-
SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高，6英寸微管密度降至0.01個/平方厘米
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國科銳（Cree）在SiC基片市場上占有較高份額，從該公司在Si
-
SiC半導(dǎo)體元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實(shí)用化
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiC MOSFET’（電裝解說員）。在2013年10月舉辦的‘CEATEC JAPAN 2013’上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖
-
“可將SiC基片的制造成本至少減半”，日企提出新制造方法
日本風(fēng)險企業(yè)Sicoxs開發(fā)出了低成本生產(chǎn)制作SiC功率元件使用的SiC單晶基片的新方法，主要是通過減小SiC單晶體的厚度來削減成本。據(jù)介紹，采用新方法后，可將制造成本降至原來的1/2以下。 制造方法如下。首先，將單晶S
-
揭秘IGBT市場成長的動力來源
據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。IGBT將在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能
-
揭秘IGBT市場成長的動力來源
21ic訊 據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美
-
PEC電力電子西安站蓄勢待發(fā)
由愛戴愛集團(tuán)主辦，《Bodo's功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會蘇州站于10月25-26號蘇州會議中心落下帷幕。繼PEC電力電子蘇州站圓滿結(jié)束后，PEC電力電子西安站蓄勢待發(fā)。據(jù)PEC組委會工作人員表示：PEC電力電子蘇州
-
Microsemi 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列 推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列
新器件以緊湊的占位面積實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)效率提升21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄
-
SiC功率半導(dǎo)體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實(shí)用化
“高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)‘溝道型’SiC MOSFET”（電裝解說員）。 在2013年10月舉辦的“CEATEC JAPAN 2013”上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖1）。其中包括了兩大“驚
-
利用低功耗SiC電源制備SiC晶體 日新技研展示高頻加熱電源
生產(chǎn)和銷售制造設(shè)備用高頻電源等產(chǎn)品的日新技研試制出了利用SiC功率元件的高頻加熱電源，并在SiC相關(guān)國際學(xué)會“ICSCRM 2013”并設(shè)的展會上進(jìn)行了展示。該公司表示，與利用Si功率元件時相比，利用SiC功率元
-
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產(chǎn)刻蝕系統(tǒng)
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 日本上市公司薩姆肯（Samco）發(fā)布了新型晶片盒生產(chǎn)蝕刻系統(tǒng) ，處理SiC加工，型號為RIE-600iPC。系統(tǒng)主要應(yīng)用在碳化硅功率儀器平面加工、SiC MOS結(jié)構(gòu)槽刻蝕形成晶圓刻蝕SiC和SiO2掩膜刻蝕
-
磨刀霍霍：各企業(yè)紛紛瞄準(zhǔn)6英寸SiC晶圓
近日，關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國際學(xué)會“ICSCRM 2013”于日本宮崎縣舉行。在展場內(nèi)，多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸（150mm）的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3～4英寸（75mm～100mm）晶圓的下一代產(chǎn)品?？其J已率先
-
多家LED巨頭紛紛瞄準(zhǔn)6英寸SiC晶圓市場
近日，關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國際學(xué)會“ICSCRM 2013”于日本宮崎縣舉行。在展場內(nèi)，多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸(150mm)的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3～4英寸(75mm～100mm)晶圓的下一代產(chǎn)品?？其J已率先供貨6
-
山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”(日本宮
-
山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013&rdq
-
山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”（日本宮
-
山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”（日本宮
-
山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM 2013”（日本
-
昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓
昭和電工2013年9月30日宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品，此次確立了量產(chǎn)化技術(shù)，從10月份開始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹，6英寸產(chǎn)品適于降低元件成
-
昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓
昭和電工日前宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品，此次確立了量產(chǎn)化技術(shù)，從10月份開始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹，6英寸產(chǎn)品適于降低元件成本，也適合
-
6英寸SiC晶圓接連出現(xiàn)，各公司紛紛公布供貨時間
在關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國際學(xué)會“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日，日本宮崎縣Phoenix Seagaia Resort）的展示會場內(nèi)，多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸（150mm）的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3～4英寸（75mm～100
徐俊成123
徐俊成123
徐俊成123
徐俊成123
徐俊成123
hyrzwwy
hyrzwwy
hyrzwwy
c126
393994856
DianGongN
美思電子
adofu2008
Name_006
lzhj881506
Davy楷
1122徐
gck_2009
之一知足
之一知足
