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重新應用 BJT：在光伏逆變器中運用新型SiC BJT 可實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本
最近，碳化硅 (SiC) 的使用為 BJT 賦予了新的生命，生產出一款可實現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設計更簡易的器件。SiC BJT 運用在光伏電源轉換器中時，可實現(xiàn)良好效率，并且（也許更重要的是）能夠使用更小、更便宜的元件，從而在系統(tǒng)級別上顯著降低成本。
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GaN和SiC功率半導體將以18%的速度穩(wěn)增
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億
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科技部征集2014年863和支撐計劃項目
科技部日前開始了2014年國家高技術研究發(fā)展計劃(863計劃)和國家科技支撐計劃的項目申報工作。申報項目將通過視頻答辯、專家咨詢、方案論證、項目查重等程序，從中擇優(yōu)確定2014年度計劃備選項目，并根據(jù)國家科技計劃預
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未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億
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東京大學研究小組利用Dressed光子使SiC及GaP成功發(fā)光
東京大學研究生院工學系研究專業(yè)教授、納米光子研究中心主任大津元一的研究小組繼2011年讓硅實現(xiàn)高效率發(fā)光之后，又再次讓SiC及GaP成功發(fā)光。這些半導體均具有間接遷移型能帶構造。也就是說，導帶的電子向價帶遷移時
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未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場 將以18%速度增長
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和Ga
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SiC集成技術在生物電信號采集設計
人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經有了，但如何將他們的體
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羅姆：SiC功率元器件可優(yōu)先用于汽車充電樁
縈繞在北京上空持續(xù)時間超過一個月的霧霾天氣剛剛過去，新春必來的沙塵暴也如期光臨京城。史無前例的環(huán)境污染再次激起了人們對于PM2.5的關注。如何破解環(huán)境難題，唯一的出路就是節(jié)能減排。羅姆2013慕尼黑上海電子展
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TeliaSonera建成泛歐洲和北美100G網絡
北京時間3月20日下午消息（艾斯）據(jù)國外媒體報道，在TeliaSonera升級了其泛歐洲網絡之后，TeliaSonera International Carrier(TSIC)表示，該公司已成為“全球首個建成橫跨歐洲和北美100Gbps網絡的運營商&rdquo
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德州儀器柵極驅動器旨在滿足 IGBT 與 SiC FET 設計需求
21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531
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關于PIC24的DISI禁止中斷指令
PIC24的DISI指令是禁止中斷指令,這條指令可以把1-6優(yōu)先級中斷禁止一個固定的時間,用于一些對時間特性要求嚴格的代碼段執(zhí)行前關閉中斷.禁止中斷指令最大可以禁止中斷時間為16384 個指令周期.這條指令的執(zhí)行的時候,1-6
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Cadence發(fā)布USB3.0 VIP 可部署最新USB3.0協(xié)議擴展設計
近日，Cadence設計公司發(fā)布了用于新型USB SuperSpeed Inter-Chip規(guī)格的經過生產驗證的VIP，使用戶可以充分驗證部署最新的USB3.0協(xié)議擴展的設計。這種SSIC規(guī)格結合MIPI聯(lián)盟物理界面(M-PHY)和適應USB3.0的USB協(xié)議上層，
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2012年度高交會電子展上的日本新型電子元器件
2012年11月，一年一度的深圳高交會電子展如期舉辦，來自日本的數(shù)家知名電子企業(yè)集體亮相，這也是他們向中國推介最新型電子元器件的重要契機。接下來，筆者就精選出由TDK、羅姆(ROHM)和村田制作所帶給大家的創(chuàng)新型電子
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一次切出40片——三菱電機開發(fā)出SiC用放電線切割機
三菱電機于2013年2月6日宣布，開發(fā)出了能夠一次將一塊多晶碳化硅（SiC）錠切割成40片SiC晶片的“多點放電線切割技術”。該技術有望提高SiC晶片加工的生產效率，降低加工成本。 多點放電線切割技術是將直徑為
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聚焦“SiC”與“GaN”—新一代功率元器件的前沿
前言 在功率元器件的發(fā)展中，主要半導體材料當然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力爭更低功
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電裝等展出世界最高品質的6英寸SiC基板
電裝、豐田中央研究所、昭和電工在于東京有明國際會展中心舉行的“nano tech 2013”（第12屆國際納米技術綜合展）上，展出了共同開發(fā)的口徑為6英寸的SiC基板。該基板的特點在于位錯（缺陷）密度為數(shù)千個/cm2，“比市
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美高森美擴展碳化硅(SiC)功率模塊產品系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標準功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘
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SiC和GaN來到身邊
2013年1份月已過去大半，筆者想在此介紹一個2013年將受關注的領域。雖然這樣的領域很多，但筆者此次要說的是SiC及GaN等新一代功率半導體的動向。該領域之所以會受到關注，是因為在2013年，新一代功率半導體的使用范圍
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第三代半導體材料雙雄面臨直接競爭
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。SiC早在
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第三代半導體材料雙雄并立，難分高下
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導體材料
