-
潛力無限，GaN市場2013年起飛
導(dǎo)讀：自2011年以來，50-250伏特(V)負(fù)載點(diǎn)(Point-of-load)及高階功率元件的市場需求不斷高漲，而目前新的GaN元件規(guī)格已能符合此一耐壓區(qū)間，將借更優(yōu)異的材料特性，快速在市場上崛起。雖然氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體(Pow
-
Yole：2012年功率半導(dǎo)體市場200億美元
市調(diào)機(jī)構(gòu)YoleDeveloppement指出，包括分立式半導(dǎo)體、模組和IC在內(nèi)的功率元件市場規(guī)模預(yù)估2012年將達(dá)到200億美元。這些產(chǎn)品可滿足新興的混合動(dòng)力車應(yīng)用，以及從太陽能逆變器到照明、加熱器等多種應(yīng)用，產(chǎn)品范圍從幾伏
-
日本鐵路致力于高效節(jié)能 采用LED SiC新型半導(dǎo)體
受東日本大地震和少子老齡化等影響，日本鐵路行業(yè)的業(yè)務(wù)環(huán)境正在發(fā)生巨變。本站將分兩次介紹鐵路技術(shù)第一線的情況。首先是為實(shí)現(xiàn)節(jié)能而采取的舉措。 日本的鐵路行業(yè)如今處在劇烈的環(huán)境變化之中。對節(jié)能要求嚴(yán)格是重大
-
品牌DNA成就羅姆在半導(dǎo)體行業(yè)的影響力
在近期廣東省計(jì)劃三年內(nèi)普及LED公共照明的利好政策下，6月的廣州照明展無疑成為最大的關(guān)注話題。作為亞洲最大規(guī)模的照明展覽會(huì)，為期4天的廣州照明展吸引了國內(nèi)外知名展商的踴躍報(bào)名。業(yè)界知名的半導(dǎo)體制造商羅姆(RO
-
USB的芯片互連標(biāo)準(zhǔn)SSIC正式推出
USB的芯片互連標(biāo)準(zhǔn)SSIC正式推出
-
英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列
21ic訊 — 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地
-
英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件
21ic訊 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個(gè)
-
羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
21ic訊 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的
-
羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝并開始量產(chǎn)
21IC訊 日本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗低，可靠性高，在各種應(yīng)
-
羅姆開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM
21ic訊 羅姆株式會(huì)社面向太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小※正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM&rdquo
-
羅姆開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM
21ic訊 羅姆株式會(huì)社面向太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小※正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM&rdquo
-
蜂窩網(wǎng)絡(luò)趨勢引領(lǐng)新工藝前景方向
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅
-
硅襯底，躋身主流待何時(shí)？
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LE
-
硅襯底，躋身主流待何時(shí)？
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型
-
Keil C51對標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展學(xué)習(xí)資料
Keil C51對標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展學(xué)習(xí)資料
-
硅襯底，躋身主流待何時(shí)？
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LE
-
技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件
與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
-
搶攻節(jié)能商機(jī)日本產(chǎn)官學(xué)合組SiC晶片研發(fā)團(tuán)隊(duì)
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所(產(chǎn)總研)27日發(fā)布新聞稿宣布，攜手富士電機(jī)(FujiElectric)、住友電工(SumitomoElectricIndustries)、ALVAC等16家日本企業(yè)設(shè)立的電源控制晶片共同研發(fā)團(tuán)隊(duì)「TsukubaPower-ElectronicsConstella
-
技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件
與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
-
適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第一期：探索能源采集芯片的奧義
- 了解華邦優(yōu)質(zhì)技術(shù)資源， 闖三關(guān)，驗(yàn)證您的內(nèi)存/存儲(chǔ)達(dá)人身份
- ST超低功耗MCU來襲，挑戰(zhàn)趣味游戲，見證STM32U3的電池增壽能力
- PI邀您探索神秘節(jié)能空間，點(diǎn)亮你的專屬“智慧客廳”
- 基恩士新型顯微系統(tǒng)產(chǎn)品“VHX-X1系列”來襲，填寫有獎(jiǎng)問卷
- STM32C0系列MCU新品來襲，更高性能+更低成本，你值得擁有
- 挑戰(zhàn)趣味測試，驗(yàn)證您是存儲(chǔ)達(dá)人還是內(nèi)存大神
