-
功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
-
功率半導(dǎo)體采用新型材料，更能符合節(jié)能需求
市場研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
-
組件小型化，滿足混合動力汽車需求
值此石油價格及環(huán)保意識高漲之際，采用新能源的車輛開發(fā)備受關(guān)注，但是受限于技術(shù)進(jìn)展及配套措施，中國大陸的混合動力汽車及純電動汽車銷量仍然偏少。根據(jù)中國大陸汽車工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年一季度中國大陸國
-
組件小型化，滿足混合動力汽車需求
值此石油價格及環(huán)保意識高漲之際，采用新能源的車輛開發(fā)備受關(guān)注，但是受限于技術(shù)進(jìn)展及配套措施，中國大陸的混合動力汽車及純電動汽車銷量仍然偏少。根據(jù)中國大陸汽車工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年一季度中國大陸國
-
GaN發(fā)展勢頭迅猛 提前達(dá)到10億美元市場規(guī)模
雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬美元的資金（主要投向美國Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）
-
GaN發(fā)展勢頭迅猛 提前達(dá)到10億美元市場規(guī)模
雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬美元的資金（主要投向美國Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）
-
GaN發(fā)展將比預(yù)想更早形成10億美元市場
即使目前只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬美元的資金(主要投向美國Transphorm公司)。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類電子產(chǎn)品、照明器具及IT(信息通信)設(shè)備
-
Yole 預(yù)估2012年功率半導(dǎo)體規(guī)模將達(dá)200億美元
市調(diào)機(jī)構(gòu) Yole Developpement 指出，包括分立式半導(dǎo)體、模塊和IC在內(nèi)的功率組件市場規(guī)模預(yù)估2012年將達(dá)到200億美元。這些產(chǎn)品可滿足新興的混合動力車應(yīng)用，以及從太陽能逆變器到照明、加熱器等多種應(yīng)用，產(chǎn)品范圍從幾
-
Yole 預(yù)估2012年功率半導(dǎo)體規(guī)模將達(dá)200億美元
市調(diào)機(jī)構(gòu) Yole Developpement 指出，包括分立式半導(dǎo)體、模塊和IC在內(nèi)的功率組件市場規(guī)模預(yù)估2012年將達(dá)到200億美元。這些產(chǎn)品可滿足新興的混合動力車應(yīng)用，以及從太陽能逆變器到照明、加熱器等多種應(yīng)用，產(chǎn)品范圍從幾
-
潛力無限，GaN市場2013年起飛
導(dǎo)讀：自2011年以來，50-250伏特(V)負(fù)載點(diǎn)(Point-of-load)及高階功率元件的市場需求不斷高漲，而目前新的GaN元件規(guī)格已能符合此一耐壓區(qū)間，將借更優(yōu)異的材料特性，快速在市場上崛起。雖然氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體(Pow
-
Yole：2012年功率半導(dǎo)體市場200億美元
市調(diào)機(jī)構(gòu)YoleDeveloppement指出，包括分立式半導(dǎo)體、模組和IC在內(nèi)的功率元件市場規(guī)模預(yù)估2012年將達(dá)到200億美元。這些產(chǎn)品可滿足新興的混合動力車應(yīng)用，以及從太陽能逆變器到照明、加熱器等多種應(yīng)用，產(chǎn)品范圍從幾伏
-
日本鐵路致力于高效節(jié)能 采用LED SiC新型半導(dǎo)體
受東日本大地震和少子老齡化等影響，日本鐵路行業(yè)的業(yè)務(wù)環(huán)境正在發(fā)生巨變。本站將分兩次介紹鐵路技術(shù)第一線的情況。首先是為實(shí)現(xiàn)節(jié)能而采取的舉措。 日本的鐵路行業(yè)如今處在劇烈的環(huán)境變化之中。對節(jié)能要求嚴(yán)格是重大
-
品牌DNA成就羅姆在半導(dǎo)體行業(yè)的影響力
在近期廣東省計劃三年內(nèi)普及LED公共照明的利好政策下，6月的廣州照明展無疑成為最大的關(guān)注話題。作為亞洲最大規(guī)模的照明展覽會，為期4天的廣州照明展吸引了國內(nèi)外知名展商的踴躍報名。業(yè)界知名的半導(dǎo)體制造商羅姆(RO
-
USB的芯片互連標(biāo)準(zhǔn)SSIC正式推出
USB的芯片互連標(biāo)準(zhǔn)SSIC正式推出
-
英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列
21ic訊 — 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地
-
英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件
21ic訊 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個
-
羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
21ic訊 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的
-
羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝并開始量產(chǎn)
21IC訊 日本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗低，可靠性高，在各種應(yīng)
-
羅姆開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小※正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM&rdquo
-
羅姆開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小※正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM&rdquo
