美國Bridgelux公司募資達1.8億美元

BridgELux是一家涉及l(fā)ed的生產(chǎn)和固態(tài)照明科技的研發(fā)領域的公司。根據(jù)美國證交會呈報，在第五輪募資中，Bridgelux籌集到6千萬美元。迄今為止Bridgelux募資總數(shù)已達1.8億美元，并且在新的一輪募資中Bridgelux或許還將募

2G/3G互操作的優(yōu)化措施

目前，TD-SCDMA網(wǎng)絡正處在逐步完善的階段，存在一些覆蓋空洞和覆蓋邊緣弱場強情況，這就必須引進2G/3G互操作的技術(shù)。若在TD網(wǎng)絡覆蓋空洞和覆蓋邊緣區(qū)域中現(xiàn)有的GSM網(wǎng)絡覆蓋良好，則可選擇一些2G/3G互操作機制，使用

2G/3G互操作的優(yōu)化措施

目前，TD-SCDMA網(wǎng)絡正處在逐步完善的階段，存在一些覆蓋空洞和覆蓋邊緣弱場強情況，這就必須引進2G/3G互操作的技術(shù)。若在TD網(wǎng)絡覆蓋空洞和覆蓋邊緣區(qū)域中現(xiàn)有的GSM網(wǎng)絡覆蓋良好，則可選擇一些2G/3G互操作機制，使用

美國在線為iPhone推出新版PLAY播放器

7月19日消息，據(jù)國外媒體報道，為更加滿足大家對音樂播放的要求，最近又有兩款新的音樂播放程序推出。其中一款是是由美國在線(以下簡稱AOL）專為iPhone設計的PLAY軟件，通過它可以分享到在Facebook和Twitter上所聽過

最新統(tǒng)計：2011年第一季全球晶圓廠產(chǎn)能利用率93.7%

美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計報告(SICAS)，相關顯示大多數(shù)區(qū)域的晶圓廠產(chǎn)能利用率都在九成以上，整體半導體產(chǎn)能利用率為93.7%；事實上，半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能在第一季仍接近售罄的狀

2011年Q1全球晶圓廠產(chǎn)能利用率93.7%

美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計報告(SICAS)，相關顯示大多數(shù)區(qū)域的晶圓廠產(chǎn)能利用率都在九成以上，整體半導體產(chǎn)能利用率為93.7%；事實上，半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能在第一季仍接近售罄的狀

探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

IGBT：新應用帶動革新 國內(nèi)仍處追趕階段

前些年消費電子和工業(yè)控制是推動IGBT市場快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應用的“提攜”下，大功率IGBT迎來了新的春天，而這些應用帶來新的課題，與之相

科銳推出新型碳化硅肖特基二極管系列

碳化硅 (SiC) 功率器件市場領先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推

星徽LSIB,LSIC型空調(diào)扇電路圖

IBM開發(fā)出首款基于SiC晶圓的石墨烯集成電路

IBM研究中心公開了首款通過晶圓尺寸石墨烯制造出的集成電路，并展示了頻率高達10GHz的寬帶混頻器。這款模擬集成電路有一個石墨烯晶體管和一對整合在碳化硅晶圓上的電感器構(gòu)成，以無線通信應用為目標。該集成電路像寬

LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激

谷歌蘋果出席參議院聽證會為隱私政策辯護

新浪科技訊 北京時間5月11日凌晨消息，蘋果和谷歌周二出席了美國參議院舉行的聽證會上，對各自的隱私政策進行了辯解。 蘋果軟件業(yè)務副總裁蓋伊•特里布爾(Guy Tribble)說，“蘋果致力于保護我們所有用戶的

未來五年將會是LED產(chǎn)業(yè)的黃金增長期

led被稱為第四代照明光源或綠色光源，是一種半導體固體發(fā)光器件。在1955年時，美國無線電公司的RubinBraunstein發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）及其他半導體合金的紅外線放射作用，1962年美國通用電氣公司（GE）的NickHolonyak

LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激

新日鐵與科銳簽訂SiC基板專利相互授權(quán)協(xié)議

2011年4月25日在東京都內(nèi)召開了新聞發(fā)布會。（點擊放大） 新日本制鐵（新日鐵）與美國科銳就新一代功率半導體等采用的SiC基板，簽訂了雙方在全球所擁有專利的相互授權(quán)協(xié)議。雙方可相互利用SiC塊體基板和外延基板方

新日鐵增加SiC基板產(chǎn)能，2011年內(nèi)上市外延基板

新日鐵的SiC基板產(chǎn)品群（點擊放大） 基板質(zhì)量出色（點擊放大） 新日本制鐵（新日鐵）計劃在2012年3月底之前，將新一代功率半導體用4英寸（100mm）以下口徑的SiC基板產(chǎn)能增至目前約3倍的1000枚/月。為滿足SiC基

飛兆半導體收購TranSiC公司 試水碳化硅領域

為了滿足半導體應用提高效率和性能的需求，全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor） 宣布收購碳化硅 （Silicon Carbide; SiC） 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴展其領先的技術(shù)

飛兆收購TranSiC 引入碳化硅技術(shù)擴展產(chǎn)品創(chuàng)新

21ic訊 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴展其領先的技術(shù)能力。這項收購為飛兆半導體帶來獲經(jīng)驗證效率的業(yè)界領先雙極SiC晶體管技術(shù)、

飛兆收購TranSiC 引入碳化硅技術(shù)擴展產(chǎn)品創(chuàng)新

21ic訊 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴展其領先的技術(shù)能力。這項收購為飛兆半導體帶來獲經(jīng)驗證效率的業(yè)界領先雙極SiC晶體管技術(shù)、