[導(dǎo)讀]功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率,及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中,都會(huì)用到功率器件。基本上,功率半導(dǎo)體大致可分為功率離散元件(PowerDiscrete)與功率積體電路(PowerIC)二大類,其中,功率...
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率,及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中,都會(huì)用到功率器件。
基本上,功率半導(dǎo)體大致可分為功率離散元件 (Power Discrete) 與功率積體電路 (Power IC) 二大類,其中,功率離散元件產(chǎn)品包括 MOSFET、二極管,及 IGBT,當(dāng)中又以 MOSFET 與 IGBT 最為重要。
而全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中,用于工業(yè)控制比重最高,達(dá)34%,其次是汽車及通訊領(lǐng)域各占23%,消費(fèi)電子則占20%。
近年來,功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智慧電網(wǎng)、變頻家電等市場(chǎng),整體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)定成長(zhǎng)趨勢(shì)。
據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì),2020年全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模為79億美元,與2018、2019年相近,2021上半年由于消費(fèi)性電子市場(chǎng)需求居高不下,MOSFET無(wú)論是在出貨量或平均售價(jià)都有成長(zhǎng),2021年整體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)97億美元,年成長(zhǎng)22.8%。
展望2022年,消費(fèi)電子市場(chǎng)需求預(yù)計(jì)持穩(wěn),車用市場(chǎng)將接續(xù)消費(fèi)電子市場(chǎng)需求,成為MOSFET成長(zhǎng)主要推動(dòng)力,整體MOSFET市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)100億美元。
而IC Insights則指出在各類半導(dǎo)體功率元件中,未來最看好的產(chǎn)品將是 MOSFET與 IGBT模組。
當(dāng)前,全球MOSFET市場(chǎng)主要由英飛凌占據(jù),根據(jù) IHS 統(tǒng)計(jì)指出,英飛凌市占高達(dá)27%,排名第二為安森美,市占率13%,第三則是瑞薩的9%。
而在價(jià)值含量高的高壓MOSFET領(lǐng)域中,英飛凌更是以36%的市占率大幅領(lǐng)先所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,意法半導(dǎo)體與東芝則以市占19% 及11% 分居二、三名。
目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng),根據(jù)Omdia的統(tǒng)計(jì),以2019 年度銷售額計(jì),MOSFET前三為英飛凌、安森美和華潤(rùn)微。
IGBT領(lǐng)域,據(jù)IHS數(shù)據(jù),國(guó)內(nèi)IGBT前三為英飛凌、三菱電機(jī)、安森美,比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)排進(jìn)前十。
總的來說,聞泰科技、華潤(rùn)微、比亞迪和斯達(dá)半導(dǎo)基本屬于國(guó)內(nèi)MOSFET、IGBT領(lǐng)域第一梯隊(duì)的公司,緊隨其后的公司還包括士蘭微、新潔能、捷捷微電、揚(yáng)杰科技、中車時(shí)代等。
全球MOSFET制造商大全:
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傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
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MOSFET
數(shù)字開關(guān)
為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來最小化這個(gè)過渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來說,柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
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柵極驅(qū)動(dòng)器
MOSFET
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真,帶來更多的工程洞見。然而,與制造商精細(xì)的器件模型相比,這種簡(jiǎn)易的器件模型無(wú)法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...
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英飛凌
MOSFET
該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
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意法半導(dǎo)體
穩(wěn)壓器
MOSFET
續(xù)流二極管
2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨(dú)特的柵極負(fù)壓開啟機(jī)制,使其成為...
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MOSFET
柵極驅(qū)動(dòng)
在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開關(guān)時(shí)間太長(zhǎng),尤其是在高功率時(shí)。這樣,它們不能保證良好的飽和度,因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù),使用稱為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件,這個(gè)問題...
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電力電子
MOSFET
IGBT
碳化硅 (SiC) 因其更高的開關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱為汽車行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外,在過去五年中,汽車行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗(yàn)場(chǎng)。事實(shí)證明,通過 SiC 轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn) DC 到 A...
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碳化硅 (SiC)
MOSFET
工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī),可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動(dòng)機(jī)是最常見的電動(dòng)機(jī)類型,它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。它可以吸收一個(gè)行業(yè)高達(dá) 60% 的全部電力需求,因此對(duì)于驅(qū)動(dòng)器提供高...
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Si
MOSFET
工業(yè)電源
本文追溯了電力電子的歷史,可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的電子負(fù)載時(shí)。讓我們通過描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界,了解電子世界是如何在短短幾年內(nèi)發(fā)生巨大變化的,因?yàn)樾碌?SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開...
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MOSFET
GaN
SiC
與低功率同類產(chǎn)品不同,MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會(huì)產(chǎn)生大量熱量。因此,有效的熱管理對(duì)于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要,包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料制成的設(shè)...
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MOSFET
IGBT
冷卻系統(tǒng)
今天的汽車配備了種類繁多的電子配件和電子安全輔助裝置,使車輛更具吸引力、更安全和更易于使用。此外,傳統(tǒng)的液壓系統(tǒng)(如動(dòng)力轉(zhuǎn)向和自動(dòng)變速箱)正在被電動(dòng)等效系統(tǒng)取代,以幫助減輕整體重量并提高燃油經(jīng)濟(jì)性。
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預(yù)驅(qū)動(dòng)器
MOSFET
電力設(shè)計(jì)是由市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)的,以提高效率和生產(chǎn)力,同時(shí)符合法規(guī)要求。最重要的最終用戶需求幾乎總是更小、更輕、更高效的系統(tǒng),這得益于功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大創(chuàng)新。在硅 MOSFET 和 IGBT 長(zhǎng)期以來一直在功率半導(dǎo)體中占據(jù)主...
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碳化硅
MOSFET
2022年3月24日,世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)與成都方舟微電子有限公司(下稱“方舟微“)簽署合作協(xié)議,方舟微授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)代理旗下耗盡型MOSFET、增強(qiáng)型MOSFET和保護(hù)器件等全線產(chǎn)品。
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世強(qiáng)
MOSFET
保護(hù)器件
在幾家造車新勢(shì)力高調(diào)推出搭載碳化硅芯片模組的主驅(qū)逆變器大功率平臺(tái)電動(dòng)汽車后,中國(guó)功率半導(dǎo)體上車進(jìn)程開始進(jìn)入白熱化,電車廠紛紛加快碳化硅模塊的研發(fā)及布局。
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世強(qiáng)
碳化硅
MOSFET
【2022 年 05 月 26 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出創(chuàng)新高電流、高熱效率且符合電動(dòng)車 (EV) 產(chǎn)品應(yīng)用需求的功率封裝 PowerDI?8080-...
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Diodes
MOSFET
汽車應(yīng)用
在線性模式工作時(shí),MOSFET必須在惡劣工作條件下工作,承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS),然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性,還必須符合熱管理限制,才能避免熱失控。
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意法半導(dǎo)體
MOSFET
漏極電流
2022 年 5 月 18日,中國(guó) – 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源 (SMPS)。
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意法半導(dǎo)體
MOSFET
數(shù)據(jù)中心
在這篇文章中,我們將研究 MOSFET 用于電池保護(hù)。
每年,越來越多的電子設(shè)備由包含鋰離子 (Li ion) 電池的電池供電。高功率密度、低自放電率和易于充電使其成為幾乎所有便攜式電子產(chǎn)品的首選電池類型——如今,...
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電池保護(hù)
MOSFET
MOSFET 被用作負(fù)載開關(guān)的次數(shù)超過了在任何其他應(yīng)用中的使用量,一次數(shù)量為數(shù)億個(gè)。我可能應(yīng)該從我在這里定義“負(fù)載開關(guān)”的確切方式開始。為了這篇文章的緣故,考慮負(fù)載開關(guān)任何小信號(hào) FET,其在系統(tǒng)中的唯一功能是將一些低電...
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負(fù)載開關(guān)
MOSFET