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IGBT驅動電路
本文在分析了IGBT驅動條件的基礎上介紹了幾種常見的IGBT驅動電路，設計了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅動電路。實驗證明該電路具有良好的驅動及保護能力。絕緣門極雙極型晶
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將電磁感應加熱應用的IGBT功率損耗降至最低
近年來，人們使用的電器產品數(shù)量不斷增多，致使每個家庭內的總能耗穩(wěn)步上升，不僅大多數(shù)西方國家是這樣，新興國家亦是如此。與這些能耗相關的成本也已經增加，因為燃料資源
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透過IGBT熱計算來優(yōu)化電源設計
多數(shù)半導體組件結溫的計算過程很多人都知道。通常情況下，外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計算外殼至結點的溫
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智能IGBT門驅動耦合器接口ACPL-339J
簡介ACPL-339J是一種先進的智能IGBT門驅動耦合器接口，支持1.0A雙輸出，易于使用。ACPL-339J 經獨特設計支持具有靈活電流額定值的MOSFET的電流緩沖器，使得系統(tǒng)設計師能夠更加輕松地通過互換MOSFET緩沖器和功率IGB
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Vishay的新款NTC熱敏電阻管芯為用戶提供與IGBT相同的安裝方式
高穩(wěn)定性器件采用金、銀金屬層，支持導線鍵合、焊接和納米銀膏燒結21ic電源網訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布兩個新的無引線NTC熱敏電阻裸片---NTCC300E
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英飛凌推出新型低飽和壓降VCE(sat) IGBT
英飛凌科技股份公司近日推出新型低飽和壓降VCE(sat) IGBT。此類IGBT 專門針對 50Hz 至20kHz 的低開關頻率范圍進行了優(yōu)化。這個范圍的開關頻率常見于不間斷電源 (UPS) 以及
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Vishay 推出采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技術的新Trench IGBT平臺
600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和軟開關特性，可用于電機驅動、UPS、太陽能電池和焊接逆變器21ic電源網訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用Punch
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意法半導體(ST)推出全新M系列IGBT 有效提升太陽能及工業(yè)電源的能效和可靠性
21ic電源網訊 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出全新M系列1200V IGBT，以先進的溝柵式場截止技術 (trench-gate field-stop) 為特色，有效提升太陽能逆變器 (sol
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IR為混合動力汽車和電動車推出堅固耐用的600V 車用IGBT產品
21ic電源網訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日發(fā)布600V車用IGBT產品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅
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充放電型IGBT關斷緩沖吸收電路
為了使IGBT關斷時的過電壓能得能更有效的抑制并減小IGBT的關斷損耗，通常都需給IGBT主電路設置關斷緩沖吸收電路。
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英飛凌推出額定電流高達 120A 的新型 TO-247PLUS 封裝
21ic電源網訊 英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內
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首批國產8英寸IGBT芯片宣布調試達標
日前，中國南車株洲所發(fā)布聲明稱，裝有中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內調試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數(shù)指標均達到國際領先的水準。這意味著，由中國南車株洲所下屬公司南車時代電
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IR 推出1200V Gen8 IGBT系列 提升工業(yè)應用的基準效率和耐用性
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺適用于符合行業(yè)標準的TO-247封裝，并
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Littelfuse推出額定值高達1700V和450A的模塊 擴充其IGBT產品
標準和定制解決方案可滿足嚴苛要求Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業(yè)，已擴充其專為電機控制和逆變器應用設計的IGBT模塊功率半導體產品。 IGBT功率模塊提供廣泛
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4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領域的應用
制造商已經為高壓直流 (HVDC) 應用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對其性能進行了優(yōu)化 。這種芯片組的特點是導通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開通行為和高魯棒性的短路行為。在
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21ic新聞大爆炸：西班牙智能電表驚現(xiàn)漏洞
1、西班牙智能電表驚現(xiàn)漏洞 可導致大面積停電近來，研究人員發(fā)現(xiàn)西班牙所使用的智能電表中存在安全漏洞，此次西班牙電表中發(fā)現(xiàn)的安全漏洞可能允許黑客進行計費欺詐甚至關閉整個電路系統(tǒng)，造成大面積停電事件發(fā)生。原
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IR推出650V器件以擴充超高速溝道IGBT系列
適合工業(yè)用電機、焊接、太陽能、感應加熱和不間斷電源應用21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵
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國家智能電網項目首次采用國產高壓大功率IGBT芯片
集成電路(俗稱“芯片”)的研發(fā)應用，我國與發(fā)達國家存在較大差距。在電力領域，進口芯片一直處于壟斷強勢地位，長期以來，我國輸變電設備與配用電設備中的核心芯片進口產品分別占到95%和80%，芯片已經成為
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MOSFET選擇策略詳解
在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結型晶體管(BJT)是僅有的功率開關。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制
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日益壯大的ROHM最新功率元器件產品陣容
前言全球知名半導體制造商ROHM利用多年來在消費電子領域積累的技術優(yōu)勢，正在積極推進面向工業(yè)設備領域的產品陣容擴充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術的半導體
