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IR為混合動力汽車和電動車推出堅固耐用的600V 車用IGBT產(chǎn)品
21ic電源網(wǎng)訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機(jī)驅(qū)
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充放電型IGBT關(guān)斷緩沖吸收電路
為了使IGBT關(guān)斷時的過電壓能得能更有效的抑制并減小IGBT的關(guān)斷損耗，通常都需給IGBT主電路設(shè)置關(guān)斷緩沖吸收電路。
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英飛凌推出額定電流高達(dá) 120A 的新型 TO-247PLUS 封裝
21ic電源網(wǎng)訊 英飛凌科技股份有限公司針對大功率應(yīng)用擴(kuò)大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達(dá) 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)
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首批國產(chǎn)8英寸IGBT芯片宣布調(diào)試達(dá)標(biāo)
日前，中國南車株洲所發(fā)布聲明稱，裝有中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數(shù)指標(biāo)均達(dá)到國際領(lǐng)先的水準(zhǔn)。這意味著，由中國南車株洲所下屬公司南車時代電
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IR 推出1200V Gen8 IGBT系列 提升工業(yè)應(yīng)用的基準(zhǔn)效率和耐用性
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺適用于符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝，并
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Littelfuse推出額定值高達(dá)1700V和450A的模塊 擴(kuò)充其IGBT產(chǎn)品
標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案可滿足嚴(yán)苛要求Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛
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4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用
制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。這種芯片組的特點是導(dǎo)通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開通行為和高魯棒性的短路行為。在
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21ic新聞大爆炸：西班牙智能電表驚現(xiàn)漏洞
1、西班牙智能電表驚現(xiàn)漏洞 可導(dǎo)致大面積停電近來，研究人員發(fā)現(xiàn)西班牙所使用的智能電表中存在安全漏洞，此次西班牙電表中發(fā)現(xiàn)的安全漏洞可能允許黑客進(jìn)行計費欺詐甚至關(guān)閉整個電路系統(tǒng)，造成大面積停電事件發(fā)生。原
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IR推出650V器件以擴(kuò)充超高速溝道IGBT系列
適合工業(yè)用電機(jī)、焊接、太陽能、感應(yīng)加熱和不間斷電源應(yīng)用21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵
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國家智能電網(wǎng)項目首次采用國產(chǎn)高壓大功率IGBT芯片
集成電路(俗稱“芯片”)的研發(fā)應(yīng)用，我國與發(fā)達(dá)國家存在較大差距。在電力領(lǐng)域，進(jìn)口芯片一直處于壟斷強(qiáng)勢地位，長期以來，我國輸變電設(shè)備與配用電設(shè)備中的核心芯片進(jìn)口產(chǎn)品分別占到95%和80%，芯片已經(jīng)成為
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MOSFET選擇策略詳解
在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是僅有的功率開關(guān)。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制
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日益壯大的ROHM最新功率元器件產(chǎn)品陣容
前言全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導(dǎo)體
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IR第八代IGBT技術(shù)平臺和IR3847 SupIRBuck榮獲 “2014中國年度電子成就獎”
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布旗下第八代 (Gen8) 1200V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺和IR3847 SupIRBuck大電流集成式穩(wěn)壓器榮膺業(yè)界聞名的&
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概述新一代場截止陽極短路IGBT
隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進(jìn)步，各類電力電子應(yīng)用都開始要求用專門、專業(yè)的半導(dǎo)體開關(guān)器件，以實現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通(NPT) IGBT相比，場截止(FS)
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大功率IGBT高頻逆變電焊機(jī)電路圖
大功率IGBT高頻逆變電焊機(jī)電路如下圖所示：
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IGBT 應(yīng)用常見問題及解決方法
80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了GTR和MOSFET的優(yōu)點，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提
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IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)
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基于IGBT熱計算的最大化電源設(shè)計效用解決方案
計算大多數(shù)半導(dǎo)體器件結(jié)溫的過程廣為人知。通常情況下，外殼或引腳溫度已知。測量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計算外殼至結(jié)點的溫升
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如何判斷過流保護(hù)，還是短路保護(hù)？
通常，在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中需要很多不同類型的保護(hù)，包括保護(hù)功率晶體管、電機(jī)或系統(tǒng)的任何部件。變頻器的電流保護(hù)是其中至關(guān)重要的一項。它不僅能預(yù)防對功率晶體管的任何
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意法半導(dǎo)體推出1200V IGBT 使用壽命更長、更節(jié)能
意法半導(dǎo)體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機(jī)、不間斷電源和功率因數(shù)校正
