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[導(dǎo)讀]據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日日本京都京瓷公司開(kāi)發(fā)了一種新的薄膜工藝技術(shù),用于制造基于GaN的微光源(即邊長(zhǎng)<100μm)的獨(dú)特硅襯底,包括短腔激光器和微光LED。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日日本京都京瓷公司開(kāi)發(fā)了一種新的薄膜工藝技術(shù),用于制造基于GaN的微光源(即邊長(zhǎng)<100μm)的獨(dú)特硅襯底,包括短腔激光器和微光LED。

因具有具有更高清晰度、更小尺寸以及更輕重量等關(guān)鍵性能優(yōu)勢(shì),微光源被認(rèn)為是下一代汽車(chē)顯示器、可穿戴智能眼鏡、通信設(shè)備和醫(yī)療設(shè)備的重要材料。

預(yù)計(jì)到2026年,僅Micro-LED芯片的市場(chǎng)就將以約241%的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng)至27億美元。

包括micro-LED和激光這類(lèi)基于GaN的光源設(shè)備通常是在藍(lán)寶石和GaN襯底上制造的。

傳統(tǒng)工藝通過(guò)在受控氣體氣氛中將其加熱到(1000°C甚至更高)的高溫,直接在藍(lán)寶石襯底上形成用于光源的薄GaN器件層,然后必須從襯底上移除(剝離)器件層以創(chuàng)建基于GaN的微光源器件。

雖然更小設(shè)備是未來(lái)的趨勢(shì)而且其需求也不斷增加,但是目前3個(gè)技術(shù)門(mén)檻分別是:器件層難以剝離、高缺陷密度質(zhì)量參差、高制造成本。

對(duì)于Micro-LED,現(xiàn)有工藝需要困難的步驟才能將器件層分成基板上的單個(gè)光源,然后將器件層與基板分離,但是隨著設(shè)備變得越來(lái)越小,這種剝離過(guò)程的技術(shù)挑戰(zhàn)可能導(dǎo)致無(wú)法接受的低產(chǎn)量。

微光源的制造也存在問(wèn)題,因?yàn)槠骷颖仨毘练e在藍(lán)寶石、硅或其他晶體結(jié)構(gòu)與器件層不同的材料上,這造成了高缺陷密度和固有的質(zhì)量控制挑戰(zhàn)。

GaN和藍(lán)寶石襯底非常昂貴,雖然硅襯底的成本低于藍(lán)寶石,但將器件層與硅襯底分離卻極為困難。

京瓷在其位于京都的先進(jìn)材料和器件研究所開(kāi)發(fā)了新工藝技術(shù),在硅襯底上生長(zhǎng)了一個(gè)GaN層,可以以低成本大批量生產(chǎn),然后用中心有開(kāi)口的非生長(zhǎng)材料掩蔽GaN層。

當(dāng)在硅襯底上形成GaN層時(shí),GaN核在掩模的開(kāi)口上方生長(zhǎng)。GaN層是生長(zhǎng)核,在生長(zhǎng)初期缺陷較多,但通過(guò)橫向形成GaN層可以創(chuàng)建具有低缺陷密度的高質(zhì)量GaN層,并且可以從GaN層的這個(gè)低缺陷區(qū)域成功制造器件。

京瓷將新工藝的優(yōu)勢(shì)列為:

GaN器件層更容易剝離

用不生長(zhǎng)的材料掩蔽GaN層可以抑制Si襯底和GaN層之間的結(jié)合,從而大大簡(jiǎn)化剝離過(guò)程。

具有低缺陷密度的高質(zhì)量GaN器件層

由于Kyocera的工藝可以在比以前更廣的區(qū)域沉積低缺陷GaN,因此可以一致地制造高質(zhì)量器件層。

降低制造成本

Kyocera的新方法促進(jìn)了GaN器件層與相對(duì)便宜的Si襯底的成功和可靠分離,這將大大降低制造成本。


微光源的應(yīng)用列舉如下:

下一代車(chē)用透明顯示器

未來(lái)隨著自動(dòng)駕駛的到來(lái),對(duì)更亮、更清晰、更省電、更透明、更低成本的顯示器提出了需求。

用于AR/VR的微光源

用于增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)和虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)的微光源市場(chǎng)有望迅速擴(kuò)大正在開(kāi)發(fā)智能眼鏡和其他產(chǎn)品,以通過(guò)VR中的虛擬世界和AR中的“去智能手機(jī)”來(lái)促進(jìn)虛擬空間的創(chuàng)建。

雖然用于AR的傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器已經(jīng)小型化到長(zhǎng)度只有300微米,但京瓷表示它是第一個(gè)達(dá)到100微米尺寸的公司,其認(rèn)為這是通過(guò)開(kāi)發(fā)一種全新的生產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)的,該工藝是切割方法的演變。

這種新穎的切割方法可使尺寸減小約67%,并有助于將功耗降至最低,具有較低功耗的半導(dǎo)體激光器可以減小電池的尺寸和重量,從而提高適配性。

京瓷認(rèn)為其提供廣泛的平臺(tái)、基板和工藝技術(shù)以在不久的將來(lái)將高質(zhì)量、低成本的微光源推向市場(chǎng),因?yàn)樗哪繕?biāo)是利用新平臺(tái)。

高清晰小尺寸,日本開(kāi)發(fā)最小的硅襯底GaN激光芯片

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