聯(lián)電將跳過20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn),全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯(lián) 電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后,直接跨過20納米節(jié)點(diǎn),加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世
聯(lián)電將跳過20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn),全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯(lián)電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后,直接跨過20納米節(jié)點(diǎn),加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世
聯(lián)電將跳過20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn),全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯(lián)電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后,直接跨過20納米節(jié)點(diǎn),加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世
聯(lián)電將跳過20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn),全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯(lián)電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后,直接跨過20納米節(jié)點(diǎn),加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世
一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式,加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米
聯(lián)電將跳過20奈米(nm)制程節(jié)點(diǎn),全力卡位14奈米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20奈米研發(fā)所費(fèi)不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯(lián)電已計(jì)劃在量產(chǎn)28奈米后,直接跨過20奈米節(jié)點(diǎn),加速挺進(jìn)更具投資效益的14奈米FinFET世
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
日前,Altera公布了其2013年二季度營收,總收入為421.8億美元,環(huán)比增長3%,同比卻下降9%。其凈利潤為1.015億美元,環(huán)比下降16%,同比則下降38%。由于種種問題,Stratix V的銷量不升反降,環(huán)比下降22%,而新產(chǎn)品Arri
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后,與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈,因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance),串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料,以及電子設(shè)計(jì)自動化
日前,賽靈思公布了2014第1季度財(cái)報:營收環(huán)比上漲9%至5.79億美元;每股稀釋盈余達(dá)0.56美元;毛利率由前季的66%上升至歷史新高69%。以下為賽靈思CEO Moshe N. Gavrielov的講話:我們之所以有如此令人興奮的收入,主要來
晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后,與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈,因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance),串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料,以及電子設(shè)計(jì)自動化
晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后,與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈,因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(GrandAlliance),串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料,以及電子設(shè)計(jì)自動化(
晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后,與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈,因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance),串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料,以及電子設(shè)計(jì)自動化
晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后,與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈,因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance),串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料,以及電子設(shè)計(jì)自動化
晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后,與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈,因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance),串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料,以及電子設(shè)計(jì)自動化
益華(Cadence)針對28奈米以下制程及鰭式場效電晶體(FinFET)制程發(fā)布最新版Virtuoso布局(Layout)設(shè)計(jì)套件,該套件具備電子意識設(shè)計(jì)(Electrically Aware Design, EAD)功能,可以協(xié)助行動裝置積體電路(IC)設(shè)計(jì)商縮短產(chǎn)品