晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(GrandAlliance)，串連矽智財(IP)、半導體設備/材料，以及電子設計自動化(EDA)供應商等合作夥伴的力量，強化在FinFET市場的競爭力。

臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀提到，今年臺積電雖屢創(chuàng)季營收新高，但第四季因客戶調(diào)整庫存可能出現(xiàn)微幅下滑的情形。

臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，臺積電在20奈米(nm)市場仍未看到具威脅性的對手，可望延續(xù)制程領先腳步，目前已開始安裝設備，明年第一季將如期量產(chǎn)。然而，他也坦言，隨著一線晶圓廠紛紛于2015年進入14或16奈米FinFET制程后，臺積電確實將面臨更大的競爭壓力，特別是來自三星、英特爾等IDM大廠的威脅力道最劇，必須提早發(fā)動因應策略。

事實上，F(xiàn)inFET技術(shù)更復雜、投資金額也更巨大，晶圓代工廠很難再以孤軍奮戰(zhàn)的策略進行研發(fā)，因此臺積電正如火如荼組織產(chǎn)業(yè)同盟，目前已與益華電腦(Cadence)、明導國際(MentorGraphics)等EDA工具商，以及安謀國際(ARM)和Imagination等IP業(yè)者達成共識，未來將共同在臺積電開放創(chuàng)新平臺(OIP)上挹注創(chuàng)新技術(shù)能量，加速優(yōu)化16奈米FinFET制程。張忠謀認為，產(chǎn)業(yè)大聯(lián)盟重要性在于相互融合不同廠商的長處，以研制最出色的制程解決方案，這將是臺積電與IDM較勁最關鍵的優(yōu)勢。

除聯(lián)合異業(yè)夥伴共同出擊外，張忠謀也透露，臺積電在今明兩年都將以95～100億美元的高額資本支出，不斷擴充FinFET研發(fā)團隊和產(chǎn)能，現(xiàn)已與大客戶展開合作，搶先掌握許多16奈米FinFET設計定案(TapeOut)。

此外，臺積電也緊鑼密鼓投入再下一代的10奈米FinFET制程布局，避免在任何新技術(shù)節(jié)點的發(fā)展被對手超前。據(jù)悉，該公司與艾司摩爾(ASML)共同投入研發(fā)次世代極紫外光(EUV)微影技術(shù)，已逐步進入收割階段，可望在2017年正式用于10奈米晶圓，大幅提高吞吐量與生產(chǎn)效率。

張忠謀強調(diào)，在FinFET時代，臺積電以晶圓代工廠的定位與IDM角逐市場還算有競爭力，但比較辛苦；若以產(chǎn)業(yè)大聯(lián)盟的方式將非常有競爭力，有信心能提供更完整的制程服務和更高品質(zhì)的晶片。