FINFET

關注人關注

我要報錯

臺積/Synopsys擴大客制化設計合作至16nm制程

全球晶片設計及電子系統(tǒng)軟體暨IP領導廠商新思科技(Synopsys)宣布，新思科技的Laker客制化設計解決方案，通過臺積電(2330)16奈米FinFET制程設計規(guī)則手冊(Design Rule Manual， DRM)第0.5版認證，同時，也將納入臺積電

模擬
2013-12-09

SYNOPSYS 新思科技臺積電 FINFET
臺積/Synopsys擴大客制化設計合作至16nm制程

全球晶片設計及電子系統(tǒng)軟體暨IP領導廠商新思科技(Synopsys)宣布，新思科技的Laker客制化設計解決方案，通過臺積電(2330)16奈米FinFET制程設計規(guī)則手冊(Design Rule Manual， DRM)第0.5版認證，同時，也將納入臺積電

模擬
2013-12-06

SYNOPSYS 新思科技臺積電 FINFET
臺積電談尖端工藝：16nm FinFET芯片的開發(fā)訂單數(shù)已超過20nm

臺積電從20nm級開始只采用一種工藝。在20nm以前的級別中，會根據(jù)用途準備多種工藝，比如，28nm就有“HP”、“HPM”、“HPL”以及“LP”工藝。而20nm只有“20SOC”一種工藝。據(jù)介紹，20SOC是在28nm工藝中備受好評的、

模擬
2013-12-03

芯片 AN 臺積電 FINFET
臺積拿回阿爾特拉訂單

業(yè)界傳出，受英特爾先進制程進度不如預期影響，今年初「變心」轉(zhuǎn)單英特爾的臺積電老客戶阿爾特拉（Altera），近期回頭找臺積電支持，使得臺積電先進制程面臨「爆單」，最快明年第2季展現(xiàn)業(yè)績強勁爆發(fā)力。隨著大客

模擬
2013-12-02

英特爾先進制程臺積電 FINFET
臺積電談尖端工藝：16nm FinFET芯片的開發(fā)訂單數(shù)已超過20nm

臺積電從20nm級開始只采用一種工藝。在20nm以前的級別中，會根據(jù)用途準備多種工藝，比如，28nm就有“HP”、“HPM”、“HPL”以及“LP”工藝。而20nm只有“20SOC”一種工藝。據(jù)介紹，20SOC是在28nm工藝中備受好評的、

模擬
2013-12-02

芯片 AN 臺積電 FINFET
研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導體

比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物

消費電子
2013-11-13

半導體 CMOS AN FINFET
新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。隨著

電子設計自動化
2013-11-13

半導體 CMOS AN FINFET
研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導體

比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物

模擬
2013-11-12

半導體 CMOS AN FINFET
IMEC新開發(fā)整合III-V族與矽晶的3D FinFET半導體

訊：比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化

半導體
2013-11-12

半導體 CMOS AN FINFET
新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮 CMOS 至 7nm 及其以下，以及實現(xiàn)混合 CMOS-RF 與 CMOS 光電元件的化

模擬
2013-11-11

半導體晶片 CMOS FINFET
三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻

硅半導體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，完成了

消費電子
2013-11-08

三星光刻紫外光 FINFET
三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻

硅半導體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，完成了

模擬
2013-11-07

三星光刻紫外光 FINFET
三星正在研究10nm工藝同時初步嘗試EUV技術

硅半導體工藝的極限在哪里？至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，

半導體
2013-11-07

三星 ARM EUV FINFET
臺積電工業(yè)：晶圓20nm已投產(chǎn)16nm正研發(fā)

訊：臺積電將在2014年初批量投產(chǎn)20nm工藝，并已完成多款產(chǎn)品的流片，而一年之后就會再量產(chǎn)16nm FinFET。今日臺積電又首次向公眾展示了這兩代工藝下的最新晶圓。這是20nm SoC工藝的晶圓。我們知道，臺積電的20n

半導體
2013-11-07

晶圓 SoC 臺積電 FINFET
臺積電晶圓展：20nm已投產(chǎn) 16nm正研發(fā)

臺積電將在2014年初批量投產(chǎn)20nm工藝，并已完成多款產(chǎn)品的流片，而一年之后就會再量產(chǎn)16nm FinFET。今日臺積電又首次向公眾展示了這兩代工藝下的最新晶圓。這是20nm SoC工藝的晶圓。我們知道，臺積電的20nm分為兩種版

半導體
2013-11-06

晶圓 SoC 臺積電 FINFET
Imec首次在300mm晶圓上實現(xiàn)三五族化合物FinFET器件

Imec Demonstrates World’s First III-V FinFET Devices Monolithically Integrated on 300mm Silicon Wafers Technology Achievement Marks Significant Step Towards Monolithic Heterogeneous Integration an

模擬
2013-11-06

器件晶圓 Silicon FINFET
先進工藝競爭加劇各大巨頭紛紛出招應對

摩爾定律遇到瓶頸、先進工藝投資如同“無底洞”，代工廠在先進工藝的巨大投入與回報之間如何取舍，在性能、成本、尺寸之間如何權(quán)衡，選擇哪一種道路持續(xù)精進，或許未來的格局就在今時的選擇埋下伏筆。大陸

電子設計自動化
2013-11-04

聯(lián)電微電子節(jié)點 FINFET
FD SOI與FinFET的先進節(jié)點之戰(zhàn)

FD SOI（全耗盡型SOI）最近重新進入業(yè)界關注的焦點。Intel、TSMC等企業(yè)已決定在22、14nm節(jié)點走向FinFET之路；而作為FD SOI技術的主要支持者，如IBM、STMicroelectronics、GlobalFoundries等，認為在先進節(jié)點上FD SOI

消費電子
2013-11-01

節(jié)點絕緣 CMOS FINFET
博通推伺服器級多核CPU 采16奈米FinFET制程

網(wǎng)通晶片大廠博通(Broadcom)宣布，推出次世代多核心處理器，採用業(yè)界最高效能64位元ARM核心，并將採先進的16奈米FinFET製程生產(chǎn)。博通指出，是利用ARMv8-A架構(gòu)授權(quán)，開發(fā)出此款創(chuàng)新的CPU處理器，為網(wǎng)路功能虛擬化(Ne

半導體
2013-10-25

CPU 博通 ARM FINFET
臺積電官方公布20/16nm大量細節(jié)

臺積電今天公布了20nm、16nm這兩種下代工藝的最新進展，同時第一次公開宣稱其實將它們視為同一代工藝。臺積電的20nm會有兩個版本，包括通用的“CLN20G”，以及面向SoC片上系統(tǒng)的“CLN20SOC”，先行量產(chǎn)的是前者。16n

消費電子
2013-10-25

AMD GPU 臺積電 FINFET

首頁上一頁 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 下一頁尾頁

www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

FINFET

臺積/Synopsys擴大客制化設計合作至16nm制程

臺積/Synopsys擴大客制化設計合作至16nm制程

臺積電談尖端工藝：16nm FinFET芯片的開發(fā)訂單數(shù)已超過20nm

臺積拿回阿爾特拉訂單

臺積電談尖端工藝：16nm FinFET芯片的開發(fā)訂單數(shù)已超過20nm

研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導體

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導體

IMEC新開發(fā)整合III-V族與矽晶的3D FinFET半導體

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻

三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻

三星正在研究10nm工藝同時初步嘗試EUV技術

臺積電工業(yè)：晶圓20nm已投產(chǎn)16nm正研發(fā)

臺積電晶圓展：20nm已投產(chǎn) 16nm正研發(fā)

Imec首次在300mm晶圓上實現(xiàn)三五族化合物FinFET器件

先進工藝競爭加劇各大巨頭紛紛出招應對

FD SOI與FinFET的先進節(jié)點之戰(zhàn)

博通推伺服器級多核CPU 采16奈米FinFET制程

臺積電官方公布20/16nm大量細節(jié)

相關標簽

關注此標簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻