摩爾定律即將敲響終止的音符,業(yè)界對于半導(dǎo)體業(yè)的前景也產(chǎn)生了各種看法,其中從大的方面,包括從工藝來看,在14nm之后如何往下走,包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的進(jìn)程等。顯然時(shí)至今日尚沒有非常清楚的路線圖,
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”,每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象,2011年是22nm工藝,到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知,尺寸縮小僅是一種手段,如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利,業(yè)界不會盲目跟進(jìn)
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”,每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象,2011年是22nm工藝,到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知,尺寸縮小僅是一種手段,如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利,業(yè)界不會盲目跟進(jìn)
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”,每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象,2011年是22nm工藝,到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知,尺寸縮小僅是一種手段,如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利,業(yè)界不
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”,每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象,2011年是22nm工藝,到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知,尺寸縮小僅是一種手段,如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利,業(yè)界不會盲目跟進(jìn)
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”,每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象,2011年是22nm工藝,到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知,尺寸縮小僅是一種手段,如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利,業(yè)界不會盲目跟進(jìn)
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”,每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象,2011年是22nm工藝,到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知,尺寸縮小僅是一種手段,如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利,業(yè)界不
晶圓龍頭臺積電13日董事會通過573.65億元資本支出,連同上次核準(zhǔn)金額,合計(jì)為2033.65億元,約占臺積電全年資本支出上限100億美元的68%,顯示臺積電加速先進(jìn)制程腳步。臺積電將今年資本支出上修至95至100億美元(約新臺
聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計(jì)劃,全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過,聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時(shí),授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行,反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn);此次在14/10奈米的合作僅
聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計(jì)劃,全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過,聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時(shí),授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行,反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn);此次在14/10奈米的合作僅
英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計(jì)咨詢公司之一的英盛德認(rèn)為,F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn),因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受益。工程部副總
聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計(jì)劃,全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過,聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時(shí),授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行,反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn);此次在14/10奈米的合作僅
聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計(jì)劃,全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過,聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時(shí),授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行,反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn);此次在14/10奈米的合作僅
據(jù)國外媒體報(bào)道,英盛德(Sondrel)認(rèn)為FinFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn),因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說:「最近,在德州召開的設(shè)計(jì)自動
根據(jù)美國商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo),世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為,F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn),因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。工程部副
根據(jù)美國商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo),世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為,F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn),因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。 工程
聯(lián)電(2303)執(zhí)行長顏博文昨(7)日表示,聯(lián)電跳過20納米,與IBM合作14納米FinFET(鰭式場效晶體管)制程,近期更加入IBM 10納米FinFet CMOS聯(lián)盟,將縮短和競爭對手在先進(jìn)制程差距。 聯(lián)電昨天公布第2季約當(dāng)8寸晶圓
鰭式電晶體(FinFET)制程將帶動新一波半導(dǎo)體設(shè)備投資熱潮。由于FinFET導(dǎo)入立體式電晶體結(jié)構(gòu),使得晶圓制程中的蝕刻和缺陷檢測復(fù)雜度較以往大幅攀升,因此包括科林研發(fā)(Lam Research)和東京威力科創(chuàng)(TEL)等半導(dǎo)體設(shè)備大