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14nm工藝制程競賽：“六仙”過海 各顯神通
摩爾定律即將敲響終止的音符，業(yè)界對于半導(dǎo)體業(yè)的前景也產(chǎn)生了各種看法，其中從大的方面，包括從工藝來看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的進(jìn)程等。顯然時(shí)至今日尚沒有非常清楚的路線圖，
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會盲目跟進(jìn)
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會盲目跟進(jìn)
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14nm納米是半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會盲目跟進(jìn)
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ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
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ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會盲目跟進(jìn)
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不
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臺積電加573億先進(jìn)制程 主攻20nm及FinFET
晶圓龍頭臺積電13日董事會通過573.65億元資本支出，連同上次核準(zhǔn)金額，合計(jì)為2033.65億元，約占臺積電全年資本支出上限100億美元的68%，顯示臺積電加速先進(jìn)制程腳步。臺積電將今年資本支出上修至95至100億美元(約新臺
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聯(lián)電與IBM攜手合作 積極爭取14/10奈米FinFET制程主導(dǎo)權(quán)
聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計(jì)劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過，聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時(shí)，授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn);此次在14/10奈米的合作僅
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確保與IBM合作有成 聯(lián)電緊握14/10nm主導(dǎo)權(quán)
聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計(jì)劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過，聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時(shí)，授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn)；此次在14/10奈米的合作僅
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英盛德：FinFET技術(shù)日趨盛行 利益前景可觀
英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計(jì)咨詢公司之一的英盛德認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受益。工程部副總
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確保與IBM合作有成 聯(lián)電緊握14/10nm主導(dǎo)權(quán)
聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計(jì)劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過，聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時(shí)，授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn);此次在14/10奈米的合作僅
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確保與IBM合作有成 聯(lián)電緊握14/10nm主導(dǎo)權(quán)
聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計(jì)劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過，聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時(shí)，授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn)；此次在14/10奈米的合作僅
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FinFET技術(shù)日趨盛行為電路設(shè)計(jì)商帶來新挑戰(zhàn)
據(jù)國外媒體報(bào)道，英盛德(Sondrel)認(rèn)為FinFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設(shè)計(jì)自動
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英盛德：FinFET技術(shù)日盛 前景可觀
根據(jù)美國商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo)，世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。工程部副
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英盛德：FinFET技術(shù)日盛 前景可觀
根據(jù)美國商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo)，世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。 工程
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與IBM攻10納米 聯(lián)電強(qiáng)化競爭力
聯(lián)電（2303）執(zhí)行長顏博文昨（7）日表示，聯(lián)電跳過20納米，與IBM合作14納米FinFET（鰭式場效晶體管）制程，近期更加入IBM 10納米FinFet CMOS聯(lián)盟，將縮短和競爭對手在先進(jìn)制程差距。 聯(lián)電昨天公布第2季約當(dāng)8寸晶圓
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FinFET復(fù)雜度破表 半導(dǎo)體設(shè)備商投資不手軟
鰭式電晶體(FinFET)制程將帶動新一波半導(dǎo)體設(shè)備投資熱潮。由于FinFET導(dǎo)入立體式電晶體結(jié)構(gòu)，使得晶圓制程中的蝕刻和缺陷檢測復(fù)雜度較以往大幅攀升，因此包括科林研發(fā)(Lam Research)和東京威力科創(chuàng)(TEL)等半導(dǎo)體設(shè)備大
