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22nm時代來臨450mm硅片大勢所趨
每年七月在美國加州舉行的SemiconWest展覽會是全球最大的半導體設(shè)備與材料展覽會之一。由于展覽會在七月舉行，正好上半年已過，所以在會議期間許多高管會對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與前景發(fā)表看法。本文試圖綜合展覽會與產(chǎn)業(yè)于上半
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光學光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應(yīng)
半導體制造中微型化的進展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運用精確的電磁場（EMF）模擬方法。這些方法是在給定的幾何形狀、材料參數(shù)和入射場（照明）條件下，用合適的數(shù)值方
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22nm時代來臨450mm硅片大勢所趨
22nm時代來臨450mm硅片大勢所趨
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工藝進入22nm 半導體增長毫無懸念
每年七月在美國加州舉行的Semicon West展覽會是全球最大的半導體設(shè)備與材料展覽會之一。本文試圖綜合展覽會與產(chǎn)業(yè)于上半年的進展加以概括，討論一些業(yè)界特別關(guān)注的課題。 每年七月在美國加州舉行的Semicon West展
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IC：22nm時代來臨450mm硅片大勢所趨
每年七月在美國加州舉行的SemiconWest展覽會是全球最大的半導體設(shè)備與材料展覽會之一。由于展覽會在七月舉行，正好上半年已過，所以在會議期間許多高管會對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與前景發(fā)表看法。本文試圖綜合展覽會與產(chǎn)業(yè)于上半
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IC的22nm時代來臨 450mm硅片大勢所趨
半導體業(yè)增長沒有懸念前兩個季度半導體產(chǎn)業(yè)的變化向減弱方向發(fā)展，不過保持增長應(yīng)該是沒有懸念，增長多少需要視未來的市場需求而定。全球半導體業(yè)如戲劇般在改變，2010年是國際金融危機之后的首個高增長年，增幅達32
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IC：22nm時代來臨 450mm硅片大勢所趨(圖)
特約撰稿 莫大康 每年七月在美國加州舉行的Semicon West展覽會是全球最大的半導體設(shè)備與材料展覽會之一。由于展覽會在七月舉行，正好上半年已過，所以在會議期間許多高管會對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與前景發(fā)表看法。本文試圖
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隨筆：EUV光刻技術(shù)與協(xié)和式超音速客機的奇妙類比
與我們熟悉的摩爾定律類似，如果采樣對比的時間長度足夠短，那么幾乎任何科技發(fā)展的速度都會呈現(xiàn)出一種對數(shù)級的線性增長。有些業(yè)內(nèi)人士總是喜歡將其所在業(yè)界的發(fā)展歷史趨勢總結(jié)為與摩爾定律類似的形式，希望業(yè)界的未
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東芝450mm晶圓投產(chǎn)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計畫，但這項計畫很有可能延期。老早表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。半導體晶
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東芝450mm晶圓投產(chǎn)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計畫，但這項計畫很有可能延期。老早表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。 半導體晶
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東芝對18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度趨保守
外界一直認為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計劃，但這項計劃很有可能延期。之前表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。半導體晶圓直徑從2吋一路演進到現(xiàn)行
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東芝450mm晶圓投產(chǎn)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18寸晶圓開發(fā)計劃，但這項計劃很有可能延期。老早表明要全速進軍18寸晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。 半導
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IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plas
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東芝18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度 轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計畫，但這項計畫很有可能延期。老早表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。半導體晶
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東芝18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度 轉(zhuǎn)趨保守
蘇恒安／綜合外電 外界一直認為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計畫，但這項計畫很有可能延期。老早表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(Samsung Electronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦
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IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extremeultraviolet）曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREMEtechnologiesGmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laserassisteddischargeproducedplasma）
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Gigaphoton量產(chǎn)型 LPP式EUV光源明年年初將上市銷售
光刻機光源廠商Gigaphoton公司近日宣稱其研發(fā)的EUV用LPP光源的殘骸消除技術(shù)可以去掉工質(zhì)等離子化時產(chǎn)生的92%有害殘骸，其研發(fā)的LPP光源使用了電磁場技術(shù)來降低殘骸的數(shù)量，這樣一來，這款光源產(chǎn)品將很快投入量產(chǎn)，并
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IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extreme ultraviolet）曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laser assisted discharge produced p
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IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置曝光晶圓
比利時IMEC宣布，成功利用荷蘭阿斯麥（ASML Holding N.V.）公司生產(chǎn)的試制及少量生產(chǎn)用（Pre-Production Tool：PPT）EUV（extreme ultraviolet）曝光裝置“NXE:3100”在晶圓上進行了曝光。該EUV曝光裝置配備了日本
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MIT科學家稱已實現(xiàn)9nm電子束解析度
麻省理工學院(MIC)的研究人員表示，已經(jīng)開發(fā)出一種技術(shù)，可望提升在晶片上寫入圖案的高速電子束微影解析度，甚至可達9nm，遠低于原先所想像。MIT表示，電子束微影工具的最小特征尺寸已證實可以解決 25nm的制程跨越問
