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22nm時(shí)代來臨450mm硅片大勢所趨
每年七月在美國加州舉行的SemiconWest展覽會(huì)是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備與材料展覽會(huì)之一。由于展覽會(huì)在七月舉行，正好上半年已過，所以在會(huì)議期間許多高管會(huì)對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與前景發(fā)表看法。本文試圖綜合展覽會(huì)與產(chǎn)業(yè)于上半
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光學(xué)光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應(yīng)
半導(dǎo)體制造中微型化的進(jìn)展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準(zhǔn)確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運(yùn)用精確的電磁場（EMF）模擬方法。這些方法是在給定的幾何形狀、材料參數(shù)和入射場（照明）條件下，用合適的數(shù)值方
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22nm時(shí)代來臨450mm硅片大勢所趨
22nm時(shí)代來臨450mm硅片大勢所趨
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工藝進(jìn)入22nm 半導(dǎo)體增長毫無懸念
每年七月在美國加州舉行的Semicon West展覽會(huì)是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備與材料展覽會(huì)之一。本文試圖綜合展覽會(huì)與產(chǎn)業(yè)于上半年的進(jìn)展加以概括，討論一些業(yè)界特別關(guān)注的課題。 每年七月在美國加州舉行的Semicon West展
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IC：22nm時(shí)代來臨450mm硅片大勢所趨
每年七月在美國加州舉行的SemiconWest展覽會(huì)是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備與材料展覽會(huì)之一。由于展覽會(huì)在七月舉行，正好上半年已過，所以在會(huì)議期間許多高管會(huì)對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與前景發(fā)表看法。本文試圖綜合展覽會(huì)與產(chǎn)業(yè)于上半
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IC的22nm時(shí)代來臨 450mm硅片大勢所趨
半導(dǎo)體業(yè)增長沒有懸念前兩個(gè)季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的變化向減弱方向發(fā)展，不過保持增長應(yīng)該是沒有懸念，增長多少需要視未來的市場需求而定。全球半導(dǎo)體業(yè)如戲劇般在改變，2010年是國際金融危機(jī)之后的首個(gè)高增長年，增幅達(dá)32
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IC：22nm時(shí)代來臨 450mm硅片大勢所趨(圖)
特約撰稿 莫大康 每年七月在美國加州舉行的Semicon West展覽會(huì)是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備與材料展覽會(huì)之一。由于展覽會(huì)在七月舉行，正好上半年已過，所以在會(huì)議期間許多高管會(huì)對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與前景發(fā)表看法。本文試圖
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隨筆：EUV光刻技術(shù)與協(xié)和式超音速客機(jī)的奇妙類比
與我們熟悉的摩爾定律類似，如果采樣對比的時(shí)間長度足夠短，那么幾乎任何科技發(fā)展的速度都會(huì)呈現(xiàn)出一種對數(shù)級的線性增長。有些業(yè)內(nèi)人士總是喜歡將其所在業(yè)界的發(fā)展歷史趨勢總結(jié)為與摩爾定律類似的形式，希望業(yè)界的未
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東芝450mm晶圓投產(chǎn)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會(huì)從2011年第3季啟動(dòng)18吋晶圓開發(fā)計(jì)畫，但這項(xiàng)計(jì)畫很有可能延期。老早表明要全速進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。半導(dǎo)體晶
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東芝450mm晶圓投產(chǎn)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會(huì)從2011年第3季啟動(dòng)18吋晶圓開發(fā)計(jì)畫，但這項(xiàng)計(jì)畫很有可能延期。老早表明要全速進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。 半導(dǎo)體晶
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東芝對18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會(huì)從2011年第3季啟動(dòng)18吋晶圓開發(fā)計(jì)劃，但這項(xiàng)計(jì)劃很有可能延期。之前表明要全速進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)的三星，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。半導(dǎo)體晶圓直徑從2吋一路演進(jìn)到現(xiàn)行
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東芝450mm晶圓投產(chǎn)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會(huì)從2011年第3季啟動(dòng)18寸晶圓開發(fā)計(jì)劃，但這項(xiàng)計(jì)劃很有可能延期。老早表明要全速進(jìn)軍18寸晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。 半導(dǎo)
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IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plas
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東芝18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度 轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會(huì)從2011年第3季啟動(dòng)18吋晶圓開發(fā)計(jì)畫，但這項(xiàng)計(jì)畫很有可能延期。老早表明要全速進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。半導(dǎo)體晶
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東芝18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度 轉(zhuǎn)趨保守
蘇恒安／綜合外電 外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會(huì)從2011年第3季啟動(dòng)18吋晶圓開發(fā)計(jì)畫，但這項(xiàng)計(jì)畫很有可能延期。老早表明要全速進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(Samsung Electronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦
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IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extremeultraviolet）曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國XTREMEtechnologiesGmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laserassisteddischargeproducedplasma）
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Gigaphoton量產(chǎn)型 LPP式EUV光源明年年初將上市銷售
光刻機(jī)光源廠商Gigaphoton公司近日宣稱其研發(fā)的EUV用LPP光源的殘骸消除技術(shù)可以去掉工質(zhì)等離子化時(shí)產(chǎn)生的92%有害殘骸，其研發(fā)的LPP光源使用了電磁場技術(shù)來降低殘骸的數(shù)量，這樣一來，這款光源產(chǎn)品將很快投入量產(chǎn)，并
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IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extreme ultraviolet）曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laser assisted discharge produced p
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IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置曝光晶圓
比利時(shí)IMEC宣布，成功利用荷蘭阿斯麥（ASML Holding N.V.）公司生產(chǎn)的試制及少量生產(chǎn)用（Pre-Production Tool：PPT）EUV（extreme ultraviolet）曝光裝置“NXE:3100”在晶圓上進(jìn)行了曝光。該EUV曝光裝置配備了日本
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MIT科學(xué)家稱已實(shí)現(xiàn)9nm電子束解析度
麻省理工學(xué)院(MIC)的研究人員表示，已經(jīng)開發(fā)出一種技術(shù)，可望提升在晶片上寫入圖案的高速電子束微影解析度，甚至可達(dá)9nm，遠(yuǎn)低于原先所想像。MIT表示，電子束微影工具的最小特征尺寸已證實(shí)可以解決 25nm的制程跨越問
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