繼英特爾日前宣布,將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML,取得其15%股權(quán)后,臺積電也于5日正式宣布,將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺幣308億元)吃下ASML5%的股權(quán),且未來5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺幣102億元),來挹注ASML對18寸
晶圓代工龍頭臺積電5日宣布加入微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾(ASML)的「客戶聯(lián)合投資專案」(CustomerCo-InvestmentProgram),總投資金額高達(dá)11.14億歐元(約新臺幣407億元),包括取得ASML的5%股權(quán),并加入極紫外光
臺積電董事長張忠謀昨(7)日表示,入股艾司摩爾(ASML)是自然的決定,也義不容辭,臺積電一度是ASML最大客戶,ASML的研發(fā)表現(xiàn)出色,「未來ASML股價上漲,臺積電也會同享其利」。 臺積電將斥資 8.38億歐元取得AS
臺積電董事長張忠謀昨(7)日表示,入股艾司摩爾(ASML)是自然的決定,也義不容辭,臺積電一度是ASML最大客戶,ASML的研發(fā)表現(xiàn)出色,「未來ASML股價上漲,臺積電也會同享其利」。 臺積電將斥資 8.38億歐元取得ASML
繼英特爾日前宣布,將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML,取得其15%股權(quán)后,臺積電(2330)也于5日正式宣布,將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺幣308億元)吃下ASML 5%的股權(quán),且未來5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺幣102億元),來挹注AS
臺積電董事長張忠謀7日表示,臺積電加入半導(dǎo)體設(shè)備廠艾司摩爾(ASML)客戶聯(lián)合投資專案,資助其研究發(fā)展,是「義不容辭」。 至于媒體追問,臺積電資本支出暴增是否會損及股東權(quán)益?張忠謀指出,臺積電對任何財(cái)
繼英特爾日前宣布,將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML,取得其15%股權(quán)后,臺積電 (2330)也于5日正式宣布,將投資8.38億歐元 (相當(dāng)于臺幣308億元)吃下ASML 5%的股權(quán),且未來5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺幣102億元),來挹注
臺積電(US-TSM)(2330-TW)董事長暨總執(zhí)行長張忠謀今(7)日表示,臺積電加入艾司摩爾(ASML)(ASML-NL)「客戶聯(lián)合投資專案」資助其研究發(fā)展,是「義不容辭」。 根據(jù)雙方協(xié)議,臺積電將投資ASML8.38億歐元(約新臺幣310.64
ASMLHoldingNV公司宣布,臺積電(TSMC)已加入其客戶合作投資創(chuàng)新專案,將投資2.76億歐元,在未來五年內(nèi)共同開發(fā)超紫外光(EUV)技術(shù)和450mm微影工具,并將投入8.38億歐元取得ASML公司5%股權(quán)。ASML與臺積公司延續(xù)之前193
SEMI最新研究報告顯示,2011年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場達(dá)到了31.2億美元規(guī)模,預(yù)估2013年這一數(shù)字可達(dá)33.5億美元。繼2010年達(dá)到高峰以后,光刻掩膜板市場2011年再次增長了3%,創(chuàng)下歷史新高。而未來兩年光刻掩膜板市
SEMI最新研究報告顯示,2011年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場達(dá)到了31.2億美元規(guī)模,預(yù)估2013年這一數(shù)字可達(dá)33.5億美元。繼2010年達(dá)到高峰以后,光刻掩膜板市場2011年再次增長了3%,創(chuàng)下歷史新高。而未來兩年光刻掩膜板市
晶圓代工龍頭臺積電昨(5)日宣布加入微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾(ASML)的「客戶聯(lián)合投資專案」(Customer Co-Investment Program),總投資金額高達(dá)11.14億歐元(約新臺幣407億元),包括取得ASML的5%股權(quán),并加入
臺積電宣布入股艾司摩爾(ASML),雖可化解外界憂心先進(jìn)制程先被英特爾卡位的疑慮,但這次臺積電總投資金額逾410億元,未來還有擴(kuò)產(chǎn)資金需求,在景氣仍混沌下,臺積電未來資金調(diào)度壓力不小。 據(jù)了解,臺積電一開始對
晶圓代工廠臺積電今天宣布,加入半導(dǎo)體設(shè)備廠艾司摩爾(ASML)客戶聯(lián)合投資專案,盼加速極紫外光(EUV)微影技術(shù)與18寸晶圓微影設(shè)備開發(fā)及量產(chǎn)。 為讓關(guān)鍵微影技術(shù)發(fā)展順利,且加速進(jìn)行,荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備廠ASML于7月9日
SEMI最新研究報告顯示,2011年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場達(dá)到了31.2億美元規(guī)模,預(yù)估2013年這一數(shù)字可達(dá)33.5億美元。繼2010年達(dá)到高峰以后,光刻掩膜板市場2011年再次增長了3%,創(chuàng)下歷史新高。而未來兩年光刻掩膜板市
據(jù)英國《自然》雜志網(wǎng)站7月25日(北京時間)報道,芯片制造商英特爾公司表示,將向總部設(shè)在荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥投資41億美元,其中10億美元專門用于極紫外線(EUV)光刻技術(shù)的研發(fā),新技術(shù)有望讓晶體管的大
微影設(shè)備供應(yīng)商ASML Holding NV表示,近日向領(lǐng)先的晶片制造商釋出股權(quán)的計(jì)畫,是為了籌措450mm 晶圓技術(shù)和超紫外光 ( EUV )微影技術(shù)的研發(fā)資金,該公司預(yù)計(jì)2018年可開始生產(chǎn)EUV設(shè)備。另外, ASML也指出,此次的籌資計(jì)
2012年7月9日,英特爾公司宣布與ASML控股公司簽署一系列價值總計(jì)33億歐元(約41億美元)的協(xié)議,以加速450毫米晶圓技術(shù)和超紫外線(EUV)光刻技術(shù)的開發(fā),力爭提前兩年實(shí)現(xiàn)支持這些技術(shù)的光刻設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,從而
英特爾公司日前宣布與ASML控股公司簽署一系列價值總計(jì)33億歐元(約41億美元)的協(xié)議,以加速450毫米晶圓技術(shù)和超紫外線(EUV)光刻技術(shù)的開發(fā),力爭提前兩年實(shí)現(xiàn)支持這些技術(shù)的光刻設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,從而為半導(dǎo)體制造商
英特爾宣布與ASML控股公司簽署一系列價值總計(jì)33億歐元(約41億美元)的協(xié)議,以加速450毫米晶圓技術(shù)和超紫外線(EUV)光刻技術(shù)的開發(fā),力爭提前兩年實(shí)現(xiàn)支持這些技術(shù)的光刻設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,從而為半導(dǎo)體制造商大幅