為了加快在450mm技術(shù)和EUV光刻技術(shù)方面的發(fā)展速度,Intel公司最近與設(shè)備廠商ASML公司達(dá)成了一攬子總合作金額高達(dá)41億美元的協(xié)議。作為協(xié)議的一部分,Intel將首先購買總值約21億美元的ASML股票,將來為配合ASML公司為
英特爾公司日前宣布與ASML控股公司簽署一系列價(jià)值總計(jì)33億歐元(約41億美元)的協(xié)議,以加速450毫米晶圓技術(shù)和超紫外線(EUV)光刻技術(shù)的開發(fā),力爭(zhēng)提前兩年實(shí)現(xiàn)支持這些技術(shù)的光刻設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,從而為半導(dǎo)體制造商
英特爾投資微影設(shè)備廠艾司摩爾(ASML)41億美元,希望提早2年展開18吋晶圓及極紫外光(EUV)微影新制程投產(chǎn),獲英特爾投資的家登(3680)確定躋身供應(yīng)商之列,下半年將獲英特爾及ASML大訂單。 家登是國內(nèi)首家參與
“當(dāng)談到FinFET時(shí),它必用在行動(dòng)處理器上,我們才能真正感受到它的優(yōu)勢(shì),”Globalfoundries技術(shù)長辦公室先進(jìn)技術(shù)架構(gòu)主管Subramani Kengeri稍早前臺(tái)北國際電腦展(Computex)期間的媒體活動(dòng)上表示。他也指出,在次20nm
中國高端CT被跨國公司壟斷的局面或?qū)⒈豢焖俅蚱平赵谏钲谂e行的第67屆中國國際醫(yī)療器械博覽會(huì)上,東軟醫(yī)療隆重推出我國第一臺(tái)64層螺旋CT,標(biāo)志著國產(chǎn)CT生產(chǎn)技術(shù)邁入高端時(shí)代。出于在快速掃描能力、超低輻射劑量、優(yōu)
2009年,英特爾旗下創(chuàng)投公司英特爾資本(Intel Capital)決定投資模組廠家登精密,這間小小的模具公司能夠獲得英特爾的青睞,當(dāng)然有其與眾不同之處。如今,半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)跟著摩爾定律(Moore's Law)步伐前進(jìn),未來
晶圓代工巨擘臺(tái)積電(TSMC)日前表示,將在20nm節(jié)點(diǎn)提供單一制程,這與該公司過去針對(duì)不同制程節(jié)點(diǎn)均提供多種制程服務(wù)的策略稍有不同。在臺(tái)積電年度技術(shù)研討會(huì)上,該公司執(zhí)行副總裁暨共同營運(yùn)長蔣尚義表示,若微影技術(shù)
晶圓代工巨擘臺(tái)積電(TSMC)日前表示,將在 20nm 節(jié)點(diǎn)提供單一制程,這與該公司過去針對(duì)不同制程節(jié)點(diǎn)均提供多種制程服務(wù)的策略稍有不同。 在臺(tái)積電年度技術(shù)研討會(huì)上,該公司執(zhí)行副總裁暨共同營運(yùn)長蔣尚義表示,若微影
日本精工電子的全資子公司,從事測(cè)量分析設(shè)備業(yè)務(wù)的SII納米科技(SII NanoTechnology),開發(fā)出了可支持16nm工藝半導(dǎo)體制造的掩模修正技術(shù)。技術(shù)詳情將在2012年4月17~19日于太平洋橫濱會(huì)展中心舉行的“Photomask Ja
歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC(比利時(shí)魯汶)日前宣布,已發(fā)布了一個(gè)早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件(PDK),這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點(diǎn)邏輯工藝的開發(fā)工具包,IMEC表示。該套件支持多種有可能在14納米節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的技術(shù),包括
歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC(比利時(shí)魯汶)日前宣布,已發(fā)布了一個(gè)早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件(PDK),這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點(diǎn)邏輯工藝的開發(fā)工具包,IMEC表示。該套件支持多種有可能在14納米節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的技術(shù),包括
歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC(比利時(shí)魯汶)日前宣布,已發(fā)布了一個(gè)早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件(PDK),這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點(diǎn)邏輯工藝的開發(fā)工具包,IMEC表示。該套件支持多種有可能在14納米節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的技術(shù),包括
IMEC日前宣布,已經(jīng)為14nm邏輯芯片發(fā)布一個(gè)早期版本的PDK(工藝開發(fā)套件)。該P(yáng)DK是業(yè)界第一個(gè)解決了14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),目的是為引進(jìn)一些新型關(guān)鍵技術(shù),如FinFET技術(shù)和EUV光刻技術(shù)等。PDK接下來將向IMEC的合作伙伴提供持
數(shù)十年來,光刻一直是關(guān)鍵的芯片生產(chǎn)技術(shù),今天它仍然很重要。不過,EUV技術(shù)的一再延遲已經(jīng)讓整個(gè)業(yè)界麻木了,擺脫光刻技術(shù)的沮喪看來遙遙無期。今天的193nm浸沒式光刻技術(shù)仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先,業(yè)界一度認(rèn)為193nm浸沒式光刻
位于比利時(shí)魯汶的歐洲研究機(jī)構(gòu) IMEC 日前公布了定向自組裝(directed self-assembly, DSA)制程,據(jù)稱能改善光學(xué)與超紫外光微影技術(shù),并已在IMEC 試點(diǎn)晶圓廠中安裝了300mm相容的生產(chǎn)線。 IMEC預(yù)計(jì)在今年2月12~16日于美
IMEC宣布成功研發(fā)出世界上第一個(gè)300毫米晶圓相容的定向自組裝(DSA)的工藝生產(chǎn)線。與美國威斯康星大學(xué),安智電子材料和東京電子IMEC的DSA合作目的,以解決關(guān)鍵的障礙,實(shí)現(xiàn)從學(xué)術(shù)DSA合作實(shí)驗(yàn)室規(guī)模到大批量制造環(huán)境
長久以來看好可作為芯片制造業(yè)的下一大步── 超紫外光(EUV)光刻技術(shù)事實(shí)上還未能準(zhǔn)備好成為主流技術(shù)。這意味著急于利用EUV制造技術(shù)的全球芯片制造商們正面臨著一個(gè)可怕的前景──他們必須使用較以往更復(fù)雜且昂貴的技
半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品,而且還在開發(fā)旨在2~3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過,雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步,但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵--微細(xì)化讓人擔(dān)心。決
半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品,而且還在開發(fā)旨在2~3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過,雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步,但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化
半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品,而且還在開發(fā)旨在2~3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過,雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步,但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化