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麻理將電子束光刻可刻制最小圖像尺寸降至9nm
麻省理工學院的研究人員表示，他們已經(jīng)研制出了一種可以刻制尺寸為9nm圖像的電子束光刻技術，而此前電子束光刻技術所能刻制的圖像尺寸極限則為25nm左右.有關這次研究的詳細內容將發(fā)表在下一期的《微電子工程》（ Mic
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光源供應商看好EUV導入量產(chǎn)時程
盡管紫外光微影(EUV)的一再延遲，已讓人對于它的實際商用時程產(chǎn)生疑問，但 EUV 光源供應商 Cymer 表示，隨著可提高晶圓產(chǎn)出的新一代光源技術日漸成熟，預估最快在14nm節(jié)點， EUV 將可望導入晶圓的量產(chǎn)中。Cymer迄今已
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光源問題仍是EUV光刻技術中的難題
GlobalFoundries公司的光刻技術專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光 刻技術成熟過程中最“忐忑”的因素。
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GlobalFoundries光刻專家談EUV最新進展
GlobalFoundries公司的光刻技術專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術成熟過程中最“忐忑”的因素。O
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臺積電將加入日本主導的國際半導體工藝研發(fā)聯(lián)盟
日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺積電，將加入一個由日本主導、從事新世代芯片制程技術開發(fā)的國際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預計這個月開始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術，目標在 2015 年底前結束。企業(yè)成員將運用這項技術
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臺積電將加入國際半導體工藝研發(fā)聯(lián)盟
《日本經(jīng)濟新聞》日前報導，日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺積電，將加入一個由日本主導、從事新世代芯片制程技術開發(fā)的國際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預計這個月開始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術，目標在 2015 年底前結
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臺積電 加入EIDEC聯(lián)盟
臺積電(2330)及日本IDM廠客戶瑞薩電子（Renesas）決定加入由日本半導體業(yè)聯(lián)合出資成立的EUVL基盤開發(fā)中心（EIDEC），與英特爾、三星、信越化學、旭硝子等國際級半導體廠合作，共同投入次世代極紫外光（EUV）微影技術
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半導體三王聯(lián)手日經(jīng)：臺積電將加入國際制程研發(fā)聯(lián)盟
傳臺積電將加入國際制程研發(fā)聯(lián)盟《日本經(jīng)濟新聞》周五報導，日本RenesasElectronics(6723-JP)(瑞薩電子)和臺積電(2330-TW)，將加入一個由日本主導、從事新世代晶片制程技術開發(fā)的國際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預計這個月開始研發(fā)
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半導體三王聯(lián)手日經(jīng)：臺積電將加入國際制程研發(fā)聯(lián)盟
傳臺積電將加入國際制程研發(fā)聯(lián)盟 《日本經(jīng)濟新聞》周五報導，日本Renesas Electronics(6723-JP)(瑞薩電子) 和臺積電(2330-TW)，將加入一個由日本主導、從事新世代晶片制程技術開發(fā)的國際聯(lián)盟。 該聯(lián)盟預計
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SEMI研究報告稱2012年全球光刻掩膜板市場預計可達32億美元的規(guī)模
SEMI研究報告最新研究報告顯示，2010年全球半導體光刻掩膜板市場達到了30億元規(guī)模，預估2012年這一數(shù)字可達32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下，半導體光刻掩膜板市場在2010年增長了10%，而未來兩年光刻
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ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達10臺 預計2012年開始正式交貨
2010年浸潤式微米光刻機臺設備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨；不過，
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ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達10臺 預計2012年開始正式交貨
2010年浸潤式微米光刻機臺設備(ImmersionScanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨；不過，對
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ASML單價近一億美元EUV光刻機訂單已達10臺
2010年浸潤式微米光刻機臺設備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨;不過，對
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2012年光刻掩膜板市場預計可達32億美元
SEMI研究報告最新研究報告顯示，2010年全球半導體光刻掩膜板市場達到了30億元規(guī)模，預估2012年這一數(shù)字可達32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下，半導體光刻掩膜板市場在2010年增長了10%，而未來兩年光刻
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臺積電加入SEMATECH組織
晶圓代工龍頭臺積電（2330）昨（11）日宣布，為了加速半導體技術研發(fā)，決定加入美國半導體制造技術產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟SEMATECH組織，并成為核心成員之一。臺積電希望藉由加入SEMATECH，與成員合作開發(fā)20納米以下先進制程，包括
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EUV光源廠商散伙 EUV未來充滿變數(shù)
日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布，已終止有關光源合資企業(yè)Gigaphoton的合作協(xié)議。Komatsu將從Ushio手中買下50%股權。未來Gigaphoton將成為Komatsu的全資子公司。而此舉會為EUV的未來投下何種變數(shù)仍有待觀察。成立于2
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EUV光源廠商散伙
日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布，已終止有關光源合資企業(yè)Gigaphoton的合作協(xié)議。Komatsu將從Ushio手中買下50%股權。未來Gigaphoton將成為Komatsu的全資子公司。而此舉會為EUV的未來投下何種變數(shù)仍有待觀察。成立于2
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EUV光源廠商散伙，EUV未來充滿變數(shù)
日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布，已終止有關光源合資企業(yè)Gigaphoton的合作協(xié)議。Komatsu將從Ushio手中買下50%股權。未來Gigaphoton將成為Komatsu的全資子公司。而此舉會為EUV的未來投下何種變數(shù)仍有待觀察。成立于2
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EUV光源廠商Ushio從Gigaphoton撤資
日本小松公司(Komatsu)與Ushio公司近日決定終止兩家公司有關EUV光刻機光源合資廠商Gigaphoton項目的合資合同。小松將從Ushio公司手中收購Gigaphoton余下的50%股份，這樣Gigaphoton將成為小松的獨資公司。Gigaphoton原
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Komatsu、Ushio拆夥 影響EUV光源開發(fā)？
日本的 Komatsu 和 Ushio 稍早前宣布，已終止有關光源合資企業(yè) Gigaphoton 的合作協(xié)議。 Komatsu 將從 Ushio 手中買下50%股權。未來 Gigaphoton 將成為 Komatsu 的全資子公司。而此舉會為EUV的未來投下何種變數(shù)仍有待
