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迎戰(zhàn)三星、英特爾 臺積制程飆速
晶圓代工龍頭臺積電本周四（18日）將召開法說會，上周于美國圣荷西（San Jose）舉辦的2013年技術論壇中，卻意外宣示包括16納米鰭式場效晶體管（FinFET）、極紫外光（EUV）等新技術研發(fā)及投產(chǎn)進度全部往前拉。 業(yè)
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半導體群雄卡位先進制程 ASML EUV量產(chǎn)版設備提早出貨
隨半導體群雄卡位先進制程，全球最大的半導體設備制造公司荷蘭艾司摩爾(ASML-US)EUV量產(chǎn)版設備NXE:3300B擬將提早出貨，7臺銷售集中在亞太地區(qū)并約在第3季放量。 艾司摩爾預定在臺積電(2330-TW)(TSM-US)4月法說會前
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市場抉擇極限 14nm制程是半導體業(yè)難以跨越的坎？
依照摩爾定律，全球半導體的工藝制程技術平均每兩年進入一個新世代。從理性分析來看，業(yè)界都認為半導體業(yè)遲早會遇到技術上無法克服的物理極限，有人說是10nm，也有人說是7nm甚至是5nm。極限在哪里，最終將由市場做出
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14nm制程是半導體業(yè)難以跨越的坎？
業(yè)界都認為半導體業(yè)遲早會遇到技術上無法克服的物理極限，有人說是10nm，也有人說是7nm甚至是5nm。極限在哪里，最終將由市場做出選擇依照摩爾定律，全球半導體的工藝制程技術平均每兩年進入一個新世代。從理性分析來
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14nm制程是半導體業(yè)難以跨越的坎？
業(yè)界都認為半導體業(yè)遲早會遇到技術上無法克服的物理極限，有人說是10nm，也有人說是7nm甚至是5nm。極限在哪里，最終將由市場做出選擇 依照摩爾定律，全球半導體的工藝制程技術平均每兩年進入一個新世代。從理性分
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東芝：10nm以后僅靠ArF液浸多重曝光無法對應
東芝在光刻技術會議“SPIE Advanced Lithography”上發(fā)表演講，介紹了對于擁有半節(jié)距10nm以下（sub-10nm half pitch）分辨率的四項光刻技術、主要從尺寸精度的觀點對其進行比較的結果（演講編號：8685-2）。 此次
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Gigaphoton將LPP EUV光源輸出端最大等效功率提升至20W級別
Gigaphoton公司18日宣布已經(jīng)成功將LPP EUV光源產(chǎn)品的輸出端等效最大功率推進到了20W水平。該公司達成這個目標所使用的方法是，使用固態(tài)預脈沖激光器，100khz頻率的CO2激光來轟擊錫靶標。采用這種方法，該公司在光
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24小時內與兩位科技巨頭的偶遇
筆者曾經(jīng)在24小時之內分別與Facebook CEO扎克伯格(Mark Zuckerberg)，以及一位我稱之為“EUV先生(Mr. EUV)”的半導體業(yè)界人士短暫相遇；他們在科技產(chǎn)業(yè)界所從事的工作領域可說是南轅北轍，但與他們的對談都讓我有一些
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浸潤式微影壽命延長EUV恐無出頭天？
當193奈米微影技術在半導體制程技術藍圖上已經(jīng)接近終點，下一代應該是157奈米微影；德州儀器( TI )前段制程部門經(jīng)理Jim Blatchford雖然才剛完成采購先進157奈米微影系統(tǒng)的協(xié)商，他還是有點擔心這種未經(jīng)驗證的技術。
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產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點是重大考驗
2012年度國際電子元件大會( IEDM )于美國時間12月10日在舊金山登場，與會專家表示，半導體制程邁向14奈米節(jié)點時，可能無法達到通常每跨一個世代、晶片性能可提升30%的水準，甚至只有一半；但仍會增加大量成本，主要是
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產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點是重大考驗
2012年度國際電子元件大會( IEDM )于美國時間12月10日在舊金山登場，與會專家表示，半導體制程邁向14奈米節(jié)點時，可能無法達到通常每跨一個世代、晶片性能可提升30%的水準，甚至只有一半；但仍會增加大量成本，主要是
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產(chǎn)業(yè)專家：14奈米節(jié)點是重大考驗
2012年度國際電子元件大會(IEDM)于美國時間12月10日在舊金山登場，與會專家表示，半導體制程邁向 14奈米節(jié)點時，可能無法達到通常每跨一個世代、晶片性能可提升30%的水準，甚至只有一半；但仍會增加大量成本，主要是
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18寸晶圓 英特爾找上臺積電、家登
英特爾技術長Justin Rattner昨（4）日表示，半導體制程持續(xù)依循摩爾定律前進，14納米將在明年按照進度投產(chǎn)，英特爾也將擴大與生產(chǎn)鏈中相關業(yè)者合作，搶先跨入18寸晶圓及極紫外光（EUV）微影等先進技術世代。 根據(jù)
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晶片設備制造商ASML斥資25億美元收購美國Cymer
全球領先晶片(芯片)設備制造商ASML斥資19.5億歐元(25億美元)購買美國公司Cymer，以掌控對未來制造更小和更加智能的晶片至關重要的光學技術。這家荷蘭公司表示，這宗以現(xiàn)金加股權方式進行的并購交易，將加快超紫外線(
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ASML收購CYMER以加速EUV技術發(fā)展
2012年10月17日，半導體產(chǎn)業(yè)光刻系統(tǒng)巨頭阿斯麥控股（ASML）與光刻光源主供應商西盟半導體（CYMER）聯(lián)合宣布：通過由阿斯麥通過股票加現(xiàn)金方式收購西盟半導體價值19.5億歐元的所有流通股。收購西盟半導體的目的是為了
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ASML收購CYMER以加速EUV技術發(fā)展
2012年10月17日，半導體產(chǎn)業(yè)光刻系統(tǒng)巨頭阿斯麥控股（ASML）與光刻光源主供應商西盟半導體（CYMER）聯(lián)合宣布：通過由阿斯麥通過股票加現(xiàn)金方式收購西盟半導體價值19.5億歐元的所有流通股。收購西盟半導體的目的是為了
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摩爾定律正因EUV微影技術失去動力
在2012年的國際超紫外光(EUV)微影技術研討會上，專家們一致認為，過去幾十年來一直扮演半導體創(chuàng)新引擎的摩爾定律(MooresLaw)，正由于下一代超紫外光(EUV)微影技術的延遲而失去動力。為了因應14nm以下制程，EUV系統(tǒng)需
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摩爾定律待突破超紫外光(EUV)微影技術延遲障礙
在2012年的國際超紫外光(EUV)微影技術研討會上，專家們一致認為，過去幾十年來一直扮演半導體創(chuàng)新引擎的摩爾定律(Moore"sLaw)，正由于下一代超紫外光(EUV)微影技術的延遲而失去動力。為了因應14nm以下制程，EUV系統(tǒng)需
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摩爾定律等待跨越微影障礙
在2012年的國際超紫外光(EUV)微影技術研討會上，專家們一致認為，過去幾十年來一直扮演半導體創(chuàng)新引擎的摩爾定律(MooresLaw)，正由于下一代超紫外光(EUV)微影技術的延遲而失去動力。為了因應14nm以下制程，EUV系統(tǒng)需
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摩爾定律等待跨越微影障礙
在2012年的國際超紫外光(EUV)微影技術研討會上，專家們一致認為，過去幾十年來一直扮演半導體創(chuàng)新引擎的摩爾定律(Moore"sLaw)，正由于下一代超紫外光(EUV)微影技術的延遲而失去動力。為了因應14nm以下制程，EUV系統(tǒng)需
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