市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技指出,隨著后續(xù)買方對DRAM的采購動能收斂,加上現(xiàn)貨價格領(lǐng)跌所帶動,第四季合約價反轉(zhuǎn)機(jī)會大,預(yù)估將下跌3~8%,結(jié)束僅三個季度的上漲周期。而在買賣雙方心理博弈之際,后續(xù)供給方的擴(kuò)產(chǎn)策略,與需求端的成長力道,將成為影響2022年DRAM產(chǎn)業(yè)走勢最關(guān)鍵的因素,預(yù)期20...
10月12日消息,三星宣布開始量產(chǎn)基于極紫外光(EUV)技術(shù)的14nmDRAM。繼去年3月三星推出首款EUVDRAM后,又將EUV層數(shù)增加至5層,為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)主管JooyoungLee表示,“通過...
(全球TMT2021年10月12日訊)三星宣布已開始量產(chǎn)基于極紫外光(EUV)技術(shù)的14納米(nm)DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后,又將EUV層數(shù)增加至5層,為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。 “通過開拓關(guān)鍵的圖...
9月23日消息,據(jù)國外媒體報道,在今年8月份,研究機(jī)構(gòu)就曾表示,由于供求狀況發(fā)生了變化,加之供求雙方存在較大的分歧,在三季度已經(jīng)過了一半的情況下,供求雙方仍未就三季度DRAM的合約價格達(dá)成一致。
本文將為大家呈現(xiàn),如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DRAM工藝中存在的AA形狀扭曲和與之相關(guān)的微負(fù)載效應(yīng)與制造變量。
由于供過于求,近幾個季度DRAM價格大幅下跌。為了降低成本,并為內(nèi)存所需要的新應(yīng)用程序做好準(zhǔn)備,DRAM制造商正在積極轉(zhuǎn)向更新的工藝技術(shù)。盡管他們承認(rèn)需要平衡DRAM的供需,但實(shí)際上他們?yōu)閿U(kuò)大生產(chǎn)能力制定了積極的計劃,因?yàn)樗麄冃枰獮榧磳⒌絹淼闹圃旒夹g(shù)提供更干凈的空間。
1α DRAM和176層NAND是下一代內(nèi)存和存儲產(chǎn)品的重要技術(shù)突破,行業(yè)內(nèi)正在跟隨這一技術(shù)路線進(jìn)行產(chǎn)品創(chuàng)新升級。此前這兩項新技術(shù)在發(fā)布之時也宣布了重要產(chǎn)品的量產(chǎn)發(fā)布,例如LPDDR5等。但在近日臺北Computex展會同期,美光繼續(xù)推進(jìn)這兩項創(chuàng)新技術(shù)的的下放和量產(chǎn),推出了更多適用于更大終端市場的全新內(nèi)存和存儲產(chǎn)品,全面推進(jìn)PC、數(shù)據(jù)中心和汽車等應(yīng)用場景升級。
內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.近日發(fā)布《快步前行:美光 2021 年可持續(xù)發(fā)展報告》,凸顯美光在特殊時期不但體現(xiàn)出企業(yè)韌性,更在促進(jìn)創(chuàng)新、人、社區(qū)和制造等方面取得長足進(jìn)展。
應(yīng)用材料公司今天宣布推出一系列材料工程解決方案,為存儲客戶提供三種全新進(jìn)一步微縮DRAM的方法,并加速改善芯片性能、功率、面積、成本和上市時間(即:PPACt)。
近年來在DRAM的工藝節(jié)點(diǎn)上,美光一直處于先行者的位置。近期在第四代DRAM工藝制程的研發(fā)中,美光也率先實(shí)現(xiàn)了突破并開始量產(chǎn)1α DRAM產(chǎn)品。
Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商,源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商,也在整個半導(dǎo)體公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士設(shè)在中國無錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,SRAM逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。近年來SRAM在改善系統(tǒng)性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了積極的作用。
“我們對于未來充滿了信心,因?yàn)樵诿拦獬^40年的歷史當(dāng)中,現(xiàn)在是史上首次,不管是在DRAM技術(shù)還是在NAND的技術(shù)上,我們同時實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先?!?/p>
進(jìn)一步鞏固了在 DRAM 和 NAND 領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位
美光進(jìn)一步鞏固了在DRAM和NAND領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位!
美光科技2020年推出的LPDDR5、GDDR6X、176層3D NAND引領(lǐng)了內(nèi)存和存儲的進(jìn)化。展望未來,內(nèi)存和存儲的區(qū)別將越來越模糊,在2021年,將看到企業(yè)正在尋求新型解決方案,例如存儲級內(nèi)存和內(nèi)存虛擬化,以進(jìn)一步釋放AI及激增的數(shù)據(jù)量帶來的價值。
當(dāng)大家同時面對DRAM、SDRAM以及DDR SDRAM時,大家能夠很快的反應(yīng)出來每一個都是什么嗎?本文中,小編將對這些概念加以介紹。
為增進(jìn)大家對DRAM的了解,本文將對DRAM工作原理以及DRAM和NAND之間的區(qū)別加以介紹。
本文將基于兩點(diǎn)對DRAM予以介紹:1.DRAM的組織方式介紹,2.DRAM模塊介紹。
DRAM作為PC必備器件之一,大家自然對DRAM較為熟悉。但是,大家知道DRAM存儲具有哪些分類嗎?大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計出來的嗎?