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SK海力士發(fā)布2022財年第一季度財務(wù)報告
結(jié)合并收入12.156萬億韓元，營業(yè)利潤2.860萬億韓元，凈利潤1.983萬億韓元 第一季度為準營收創(chuàng)歷史新高，相比2018年第一季度大幅增加3萬億韓元以上 "存儲器產(chǎn)業(yè)變動性減少，呈現(xiàn)持續(xù)增長趨勢" 首爾2022年4月...
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三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用
（全球TMT2022年3月3日訊）三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。 ...
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變革風(fēng)口上的數(shù)據(jù)中心
近年來，數(shù)據(jù)與新型服務(wù)在數(shù)量和類型方面均呈指數(shù)級增長，帶動數(shù)據(jù)中心與相關(guān)云基礎(chǔ)設(shè)施方面支出的大幅增長。但要從寶貴的數(shù)據(jù)中獲取價值和洞察，人工智能(AI)工作負載的發(fā)展是關(guān)鍵所在。因此，企業(yè)越來越注重構(gòu)建能夠幫助他們滿足這些需求的基礎(chǔ)設(shè)施——無論在本地、智能邊緣，還是在云上，以進一步提高效率和擴大規(guī)模。上述條件為云服務(wù)提供商創(chuàng)造了難得的機會。
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緩存技術(shù)
緩存(cache)，原始意義是指訪問速度比一般隨機存取存儲器(RAM)快的一種高速存儲器，通常它不像系統(tǒng)主存那樣使用DRAM技術(shù)，而使用昂貴但較快速的SRAM技術(shù)。緩存的設(shè)置是所有現(xiàn)代計算機系統(tǒng)發(fā)揮高性能的重要因素之一。
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高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖
隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案。
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DRAM概述
動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。
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IC Insights：DRAM價格將在今年第4季度回落
據(jù)全球知名半導(dǎo)體分析機構(gòu)ICInsights更新的《麥克林報告》，DRAM價格在今年前八個月飆升了41%，從1月份的平均銷售價格（ASP）3.37美元上漲至8月份的4.77美元。9月份DRAMASP下滑3%至4.62美元，仍比年初增長37%（如下圖）。2019年對DRAM來說是相...
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落地、開工、投產(chǎn)，新一批半導(dǎo)體項目匯總
近日，一批半導(dǎo)體項目落地、開工、投產(chǎn)，涉及第三代半導(dǎo)體氮化鎵、存儲封測、以及硅晶圓外延片等領(lǐng)域。60億，第三代半導(dǎo)體氮化鎵項目落地福州近期，4個重大產(chǎn)業(yè)項目落地福州長樂區(qū)，涉及新材料、大數(shù)據(jù)、第三代半導(dǎo)體等，投資額超396億元，其中包括第三代半導(dǎo)體氮化鎵項目。據(jù)福州新聞網(wǎng)報道，第...
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動態(tài)隨機存取存儲器
動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。
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SRAM結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用
SRAM (Static RAM)，即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會保持到接收了一個改變信號為止。這些晶體管不需要刷新，但停機或斷電時，它們同DRAM一樣，會丟掉信息。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。一個DRAM存儲單元僅需一個晶體管和一個小電容.而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件。所以，除了價格較貴外，SRAM芯片在外形上也較大，與DRAM相比要占用更多的空間。由于外形和電氣上的差別，SRAM和DRAM是不能互換的。
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SRAM存儲器
靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory，SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失(被稱為volatile memory)，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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存取存儲器
隨機存取存儲器(英語：Random Access Memory，縮寫：RAM)，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時讀寫(刷新時除外)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入(存入)或讀出(取出)信息。它與ROM的最大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，即一旦斷電所存儲的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。
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DRAM 的需求已經(jīng)減弱 內(nèi)存要降價？
市場研究機構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)也顯示，10 月份 PC 用 DRAM 通用產(chǎn)品(DDR4 8GB)成交價為 3.71 美元，環(huán)比降價 0.39 美元，比上一季度下降 9.51%。DRAM 自今年 1 月份起一直保持價格上升趨勢，此次是全年首次降價。TrendForce 分析認為，隨著 PC 制造商的 DRAM 庫存水平上升，市場對 DRAM 的需求已經(jīng)減弱。
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IC?Insights：DRAM價格將在今年第4季度回落
據(jù)全球知名半導(dǎo)體分析機構(gòu)ICInsights更新的《麥克林報告》，DRAM價格在今年前八個月飆升了41%，從1月份的平均銷售價格（ASP）3.37美元上漲至8月份的4.77美元。9月份DRAMASP下滑3%至4.62美元，仍比年初增長37%（如下圖）。2019年對DRAM來說是相...
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三星開發(fā)出其業(yè)界首款基于14納米的LPDDR5X DRAM
（全球TMT2021年11月9日訊）三星宣布開發(fā)出其業(yè)界首款基于14納米的下一代移動DRAM -- LPDDR5X（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X），將引領(lǐng)超高速數(shù)據(jù)服務(wù)市場的增長。 三星成功開發(fā)LPDDR5X DRAM 三星的14納米LPDDR5X在“速度、容量和省電...
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SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
10月20日，SK海力士宣布，成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3DRAM內(nèi)存芯片。該產(chǎn)品可以與CPU、GPU核心相鄰封裝在一起，采用多層堆疊工藝，實現(xiàn)遠比傳統(tǒng)內(nèi)存條高的存儲密度以及帶寬。目前HBMDRAM已經(jīng)發(fā)展到了第四代，HBM3進一步提升了單片容量以及帶寬。SK海力士表示，2020...
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綠芯工業(yè)級溫度 NVMe U.2 固態(tài)硬盤最高容量可達 7.68TB
先進的數(shù)據(jù)完整性和安全性為用戶提供高可靠性保障
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美光推出全新 Crucial 英睿達 DDR5 內(nèi)存，為消費者提供下一代臺式電腦所需的高速度和海量帶寬
與 DDR4 內(nèi)存相比，Crucial 英睿達 DDR5 內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高 50%，達到 4800MT/s，開箱即用的有效帶寬幾乎翻倍
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SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3?DRAM
10月20日，SK海力士宣布，成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片。該產(chǎn)品可以與 CPU、GPU 核心相鄰封裝在一起，采用多層堆疊工藝，實現(xiàn)遠比傳統(tǒng)內(nèi)存條高的存儲密度以及帶寬。
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DRAM中，1x、1y、1z、1α究竟是多少nm制程？
DRAM制造工藝上的1x、1y、1z1z之類的代表的是什么？DRAM產(chǎn)品目前處在10-20nm工藝制造的階段，并且由于DRAM制程工藝進入20nm以后，制造難度越來越高，內(nèi)存芯片制造廠商對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成類似1x、1y、1z的定義。1x-nm制程相當(dāng)于16~...
