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三季度三星利潤降幅收窄，從低迷期復蘇?
業(yè)內(nèi)消息，全球最大的存儲芯片和智能手機制造商三星電子本周表示，今年第三季度初步利潤下降了78%，降幅低于之前的預期，或?qū)⒈砻鬟^去遭受重創(chuàng)的存儲芯片市場顯示出從嚴重低迷中復蘇的早期跡象。
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突發(fā)！美國宣布徹底放開這個限制
業(yè)內(nèi)最新消息，昨天韓國總統(tǒng)府辦公室正式宣布，允許三星電子和 SK 海力士無期限向其位于中國的工廠供應來自美國的芯片設備，無需美國單獨批準。
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TrendForce集邦咨詢： NAND Flash第四季價格有望止跌回升，預估將持平或上漲0~5%
Sep. 11, 2023 ---- 近日，三星(Samsung)為應對需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。
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三星發(fā)布采用12納米級工藝的32Gb DDR5 DRAM
（全球TMT2023年9月1日訊）2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的...
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組 此次新品為實現(xiàn)高達1TB容量的內(nèi)存模組奠定了基礎 隨著12納米級內(nèi)存產(chǎn)品陣容的擴展，三星將持續(xù)為AI，下一代計算等多行業(yè)的各種應用提供支持 深圳2023年...
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TrendForce集邦咨詢：歷經(jīng)2023年低基期，預估明年DRAM、NAND Flash需求位元將同比增長13%及16%
Aug. 30, 2023 ---- TrendForce集邦咨詢表示，預期2024年存儲器原廠對于DRAM與NAND Flash的減產(chǎn)策略仍將延續(xù)，尤其以虧損嚴重的NAND Flash更為明確。預估在2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，通用型服務器的資本支出仍受到AI服務器排擠而顯得相對需求疲弱，有鑒于2023年基期已低，加上部分存儲器產(chǎn)品價格已來到相對低點，預估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。不過，盡管需求位元有回升，明年若要有效去化庫存，并回到供需平衡狀態(tài)，重點還是仰賴供應商對于產(chǎn)能有所節(jié)制，若供應商產(chǎn)能控制得宜，存儲器均價則有機會反彈。
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TrendForce集邦咨詢：第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收止跌回升，環(huán)比增長20.4%，第三季營業(yè)利潤率有望轉(zhuǎn)虧為盈
Aug. 24, 2023 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，受惠于AI服務器需求攀升，帶動HBM出貨成長，加上客戶端DDR5的備貨潮，使得三大原廠出貨量均有成長，第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約114.3億美元，環(huán)比增長20.4%，終結(jié)連續(xù)三個季度的跌勢。其中，SK海力士(SK hynix)出貨量環(huán)比增長超過35%，且平均銷售單價(ASP)較高的DDR5、HBM出貨占比顯著增長，帶動SK海力士ASP逆勢成長7~9%，推升SK海力士第二季營收環(huán)比增長近5成，成長幅度居冠，達34.4億美元，回歸第二名。
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DRAM市場的發(fā)展狀況如何？
DRAM(動態(tài)隨機存儲器)市場是一個具有規(guī)模經(jīng)濟效應的行業(yè)，其在數(shù)據(jù)中心、智能手機、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等各行業(yè)的發(fā)展也受到關注。
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三星在DRAM芯片產(chǎn)能方面有哪些消息傳出？
三星在去年12月發(fā)布了全球首款傳輸速率高達7.2Gbps的12nm級DDR5 DRAM內(nèi)存芯片，今天，三星正式宣布已大規(guī)模量產(chǎn)12nmDDR5DRAM芯片。
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如何實現(xiàn)DRAM控制器的電路設計？
即動態(tài)隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM。
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什么是DRAM？什么是DRAM模塊？
DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器)是一種具有高帶寬、低延遲和低功耗的半導體存儲設備。它利用靜電場來存儲數(shù)據(jù)。
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SDRAM是什么？它的基本概念介紹
SDRAM 英文全稱“Synchronous Dynamic Random Access Memory”，譯為“同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存”或“同步動態(tài)隨機存儲器”，是動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，簡稱 DRAM)家族的一份子。
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SDRAM、SRAM與DRAM這幾種內(nèi)存的區(qū)別是什么？
SRAM ： 靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點是一個內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多，因而價格昂貴，容量不大。
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TrendForce集邦咨詢：供應商減產(chǎn)及季節(jié)性需求支撐，預估第三季DRAM均價跌幅收斂至0~5%
Jul. 4, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究指出，受惠于DRAM供應商陸續(xù)啟動減產(chǎn)，整體DRAM供給位元逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐，減輕供應商庫存壓力，預期第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。不過，目前供應商全年庫存應仍處高水位，今年DRAM均價欲落底翻揚的壓力仍大，盡管供給端的減產(chǎn)有助季跌幅的收斂，然實際止跌反彈的時間恐需等到2024年。
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Crucial 英睿達為游戲玩家、創(chuàng)意人員和專業(yè)人士推出第五代消費級 NVMe SSD 和即插即用的高性能 DRAM 產(chǎn)品選擇
Crucial? 英睿達? T700 第五代 SSD 利用美光? 232 層 NAND 更大限度地提高性能和可靠性，而 Crucial 英睿達 Pro DRAM 則同時支持 Intel? XMP 和 AMD EXPO? ，配備散熱器實現(xiàn)開箱即用的卓越性能
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TrendForce集邦咨詢：DRAM產(chǎn)業(yè)第一季營收環(huán)比下降21.2%，連續(xù)三個季度衰退
May 25, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退;平均銷售單價三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善，價格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，DRAM下半年價格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價格跌幅仍深，預期營收成長幅度有限。
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三星半導體開始量產(chǎn) 12nm 工藝節(jié)點 DDR5 DRAM
21ic 近日獲悉，三星電子表示已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用 12nm 級工藝節(jié)點制造的雙倍數(shù)據(jù)速率 5(DDR5) DRAM，去年年底的時候該公司宣布開發(fā) 16Gb DDR5 DRAM，通過量產(chǎn)先進的 12nm DDR5 DRAM 印證了其在存儲芯片中的主導地位。
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在日本援助下，美光將在廣島 DRAM 工廠安裝 EUV
據(jù)業(yè)內(nèi)信息，美光在日本政府的援助下向其位于廣島的 DRAM 工廠投資了 37 億美元，該公司計劃在廣島工廠安裝 EUV 設備來升級工藝，進而使廣島工廠能夠制造美光最新一代 DRAM(1-gamma)，這將是日本首次使用 EUV 設備。
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美光宣布吳明霞女士出任美光中國區(qū)總經(jīng)理
2023 年 5 月 11 日，中國西安 —— 內(nèi)存與存儲解決方案領先供應商Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布委派吳明霞（Betty Wu）女士擔任美光中國區(qū)總經(jīng)理, 并繼續(xù)兼任 DRAM 封裝與測試運營企業(yè)副總裁。
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TrendForce集邦咨詢：服務器出貨不如預期及庫存壓力持續(xù)，第二季DRAM及NAND Flash均價跌幅將再擴大
May 9, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，由于DRAM及NAND Flash供應商減產(chǎn)不及需求走弱速度，部分產(chǎn)品第二季均價季跌幅有擴大趨勢，DRAM擴大至13~18%，NAND Flash則擴大至8~13%。
