DRAM

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SK海力士開(kāi)發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

（全球TMT2021年10月20日訊）SK海力士宣布業(yè)界首次成功開(kāi)發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3?DRAM。? HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術(shù)，由多個(gè)垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價(jià)值產(chǎn)品，創(chuàng)新性地提高了數(shù)據(jù)處理速度。...

美通社全球TMT
2021-10-20

DRAM 海力士
集邦：DRAM明年供過(guò)于求，恐進(jìn)入跌價(jià)周期

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技指出，隨著后續(xù)買方對(duì)DRAM的采購(gòu)動(dòng)能收斂，加上現(xiàn)貨價(jià)格領(lǐng)跌所帶動(dòng)，第四季合約價(jià)反轉(zhuǎn)機(jī)會(huì)大，預(yù)估將下跌3～8％，結(jié)束僅三個(gè)季度的上漲周期。而在買賣雙方心理博弈之際，后續(xù)供給方的擴(kuò)產(chǎn)策略，與需求端的成長(zhǎng)力道，將成為影響2022年DRAM產(chǎn)業(yè)走勢(shì)最關(guān)鍵的因素，預(yù)期20...

滿天芯
2021-10-14

DRAM
三星宣布：14納米EUV?DDR5?DRAM正式量產(chǎn)

10月12日消息，三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14nmDRAM。繼去年3月三星推出首款EUVDRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)主管JooyoungLee表示，“通過(guò)...

OFweek維科網(wǎng)
2021-10-13

三星 DDR DRAM
三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產(chǎn)

（全球TMT2021年10月12日訊）三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14納米（nm）DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。 “通過(guò)開(kāi)拓關(guān)鍵的圖...

美通社全球TMT
2021-10-12

三星 DDR DRAM
內(nèi)存不再好賣，DRAM合約價(jià)格四季度跌幅將超出預(yù)期

9月23日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在今年8月份，研究機(jī)構(gòu)就曾表示，由于供求狀況發(fā)生了變化，加之供求雙方存在較大的分歧，在三季度已經(jīng)過(guò)了一半的情況下，供求雙方仍未就三季度DRAM的合約價(jià)格達(dá)成一致。

嵌入式硬件
2021-09-24

內(nèi)存 DRAM
微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

本文將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DRAM工藝中存在的AA形狀扭曲和與之相關(guān)的微負(fù)載效應(yīng)與制造變量。

動(dòng)態(tài)速遞
2021-08-26

器件 DRAM
供過(guò)于求，近幾個(gè)季度DRAM價(jià)格大幅下跌：美光確認(rèn)EUV工藝

由于供過(guò)于求，近幾個(gè)季度DRAM價(jià)格大幅下跌。為了降低成本，并為內(nèi)存所需要的新應(yīng)用程序做好準(zhǔn)備，DRAM制造商正在積極轉(zhuǎn)向更新的工藝技術(shù)。盡管他們承認(rèn)需要平衡DRAM的供需，但實(shí)際上他們?yōu)閿U(kuò)大生產(chǎn)能力制定了積極的計(jì)劃，因?yàn)樗麄冃枰獮榧磳⒌絹?lái)的制造技術(shù)提供更干凈的空間。

模擬技術(shù)
2021-08-23

美光 EUV工藝 DRAM
推進(jìn)內(nèi)存和存儲(chǔ)迭代升級(jí)，美光將1α DRAM與176 層 NAND 實(shí)現(xiàn)更為全面量產(chǎn)落地

1α DRAM和176層NAND是下一代內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品的重要技術(shù)突破，行業(yè)內(nèi)正在跟隨這一技術(shù)路線進(jìn)行產(chǎn)品創(chuàng)新升級(jí)。此前這兩項(xiàng)新技術(shù)在發(fā)布之時(shí)也宣布了重要產(chǎn)品的量產(chǎn)發(fā)布，例如LPDDR5等。但在近日臺(tái)北Computex展會(huì)同期，美光繼續(xù)推進(jìn)這兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)的的下放和量產(chǎn)，推出了更多適用于更大終端市場(chǎng)的全新內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品，全面推進(jìn)PC、數(shù)據(jù)中心和汽車等應(yīng)用場(chǎng)景升級(jí)。

劉巖軒
2021-06-04

美光 NAND UFS DRAM
美光發(fā)布第六次年度可持續(xù)發(fā)展報(bào)告，可持續(xù)項(xiàng)目成果顯著，進(jìn)一步堅(jiān)定促進(jìn)創(chuàng)新與社會(huì)發(fā)展的承諾

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.近日發(fā)布《快步前行：美光 2021 年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告》，凸顯美光在特殊時(shí)期不但體現(xiàn)出企業(yè)韌性，更在促進(jìn)創(chuàng)新、人、社區(qū)和制造等方面取得長(zhǎng)足進(jìn)展。

美光
2021-05-07

美光可持續(xù)發(fā)展 DRAM
應(yīng)用材料公司推出DRAM微縮領(lǐng)域的材料工程解決方案

應(yīng)用材料公司今天宣布推出一系列材料工程解決方案，為存儲(chǔ)客戶提供三種全新進(jìn)一步微縮DRAM的方法，并加速改善芯片性能、功率、面積、成本和上市時(shí)間(即：PPACt)。

應(yīng)用材料公司
2021-05-06

應(yīng)用材料公司材料工程 DRAM
解讀世界上最先進(jìn)的1α DRAM工藝——專訪美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran

近年來(lái)在DRAM的工藝節(jié)點(diǎn)上，美光一直處于先行者的位置。近期在第四代DRAM工藝制程的研發(fā)中，美光也率先實(shí)現(xiàn)了突破并開(kāi)始量產(chǎn)1α DRAM產(chǎn)品。

劉巖軒
2021-04-02

美光內(nèi)存 DRAM
SK海力士CEO官宣：未來(lái)十年加大研發(fā)10nm以下芯片工藝

Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商，源于韓國(guó)品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存，2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商，也在整個(gè)半導(dǎo)體公司中占第九位。2019年9月5日，SK海力士設(shè)在中國(guó)無(wú)錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國(guó)生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。

消費(fèi)電子
2021-03-25

芯片 SK海力士 DRAM
SRAM與DRAM有啥區(qū)別？

隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。近年來(lái)SRAM在改善系統(tǒng)性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了積極的作用。

玩轉(zhuǎn)嵌入式
2021-02-26

靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM DRAM
逾19億元！長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM產(chǎn)品迎兆易創(chuàng)新大訂單

兆易創(chuàng)新2021年將向長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（香港）采購(gòu)DRAM產(chǎn)品額度為3億美元（19億人民幣），與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)產(chǎn)品聯(lián)合開(kāi)發(fā)平臺(tái)合作額度3,000萬(wàn)元人民幣。

半導(dǎo)體快評(píng)
2021-02-10

兆易創(chuàng)新長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) DRAM
美光發(fā)布1α DRAM 制程技術(shù)，引領(lǐng)DRAM技術(shù)革新

“我們對(duì)于未來(lái)充滿了信心，因?yàn)樵诿拦獬^(guò)40年的歷史當(dāng)中，現(xiàn)在是史上首次，不管是在DRAM技術(shù)還是在NAND的技術(shù)上，我們同時(shí)實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先?！?/p>
劉巖軒
2021-02-02

美光內(nèi)存 DRAM
美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)

進(jìn)一步鞏固了在 DRAM 和 NAND 領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位

美光
2021-01-27

美光制程技術(shù) DRAM
美光率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

美光進(jìn)一步鞏固了在DRAM和NAND領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位！

美光
2021-01-27

美光內(nèi)存 DRAM
美光：5G引發(fā)的內(nèi)存和存儲(chǔ)演進(jìn)

美光科技2020年推出的LPDDR5、GDDR6X、176層3D NAND引領(lǐng)了內(nèi)存和存儲(chǔ)的進(jìn)化。展望未來(lái)，內(nèi)存和存儲(chǔ)的區(qū)別將越來(lái)越模糊，在2021年，將看到企業(yè)正在尋求新型解決方案，例如存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存和內(nèi)存虛擬化，以進(jìn)一步釋放AI及激增的數(shù)據(jù)量帶來(lái)的價(jià)值。

21ic編輯部
2021-01-15

美光科技 NAND DRAM
你知道DRAM為何物?DRAM、SDRAM、DDR SDRAM都了解嗎?

當(dāng)大家同時(shí)面對(duì)DRAM、SDRAM以及DDR SDRAM時(shí)，大家能夠很快的反應(yīng)出來(lái)每一個(gè)都是什么嗎?本文中，小編將對(duì)這些概念加以介紹。

技術(shù)解析
2020-12-17

指數(shù) SDRAM DRAM
DRAM/NAND工作原理是什么?DRAM、NAND有何區(qū)別?

為增進(jìn)大家對(duì)DRAM的了解，本文將對(duì)DRAM工作原理以及DRAM和NAND之間的區(qū)別加以介紹。

技術(shù)解析
2020-12-17

指數(shù) NAND DRAM

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DRAM

SK海力士開(kāi)發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

集邦：DRAM明年供過(guò)于求，恐進(jìn)入跌價(jià)周期

三星宣布：14納米EUV?DDR5?DRAM正式量產(chǎn)

三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產(chǎn)

內(nèi)存不再好賣，DRAM合約價(jià)格四季度跌幅將超出預(yù)期

微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

供過(guò)于求，近幾個(gè)季度DRAM價(jià)格大幅下跌：美光確認(rèn)EUV工藝

推進(jìn)內(nèi)存和存儲(chǔ)迭代升級(jí)，美光將1α DRAM與176 層 NAND 實(shí)現(xiàn)更為全面量產(chǎn)落地

美光發(fā)布第六次年度可持續(xù)發(fā)展報(bào)告，可持續(xù)項(xiàng)目成果顯著，進(jìn)一步堅(jiān)定促進(jìn)創(chuàng)新與社會(huì)發(fā)展的承諾

應(yīng)用材料公司推出DRAM微縮領(lǐng)域的材料工程解決方案

解讀世界上最先進(jìn)的1α DRAM工藝——專訪美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran

SK海力士CEO官宣：未來(lái)十年加大研發(fā)10nm以下芯片工藝

SRAM與DRAM有啥區(qū)別？

逾19億元！長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM產(chǎn)品迎兆易創(chuàng)新大訂單

美光發(fā)布1α DRAM 制程技術(shù)，引領(lǐng)DRAM技術(shù)革新

美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)

美光率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

美光：5G引發(fā)的內(nèi)存和存儲(chǔ)演進(jìn)

你知道DRAM為何物?DRAM、SDRAM、DDR SDRAM都了解嗎?

DRAM/NAND工作原理是什么?DRAM、NAND有何區(qū)別?

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