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SK海力士推出首個五代雙倍速率DRAM

DDR5是繼DDR4的之后，新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，應(yīng)用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機(jī)器學(xué)習(xí)上，擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%，數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。

嵌入式動態(tài)
2019-10-30

ddr5 DRAM sk海力士新品發(fā)布
這項(xiàng)將要變革存儲架構(gòu)的技術(shù) 是時候關(guān)注下了

自計算機(jī)誕生以來，DRAM+SSD+HDD這樣的存儲架構(gòu)便從未改變過。而近2年隨著數(shù)據(jù)量的爆發(fā)以及企業(yè)、消費(fèi)者對傳輸性能、時延等要求增加，這樣的架構(gòu)已難以滿足需求。在這樣的背景下，英特爾、三星、鎂光等

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2019-10-22

存儲芯片英特爾內(nèi)存 DRAM
SK海力士開發(fā)出10納米級DRAM

10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

嵌入式動態(tài)
2019-10-21

1z納米 DRAM 新品發(fā)布
存儲市場庫存仍高美光明年仍采取保守策略

華為作為美光最大的客戶之一，美國將華為列入實(shí)體名單一事對美光產(chǎn)生了非常嚴(yán)重的影響，美光業(yè)績已經(jīng)逐漸露出下滑趨勢，上周五美光股價大跌近7%，南亞科、華邦電、威剛等存儲器企業(yè)也紛紛走低。近期DRAM及N

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2019-10-21

芯片美光 nandflash DRAM
兆易創(chuàng)新擬定增募資約43億元用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等項(xiàng)目

9月30日消息，上交所上市公司兆易創(chuàng)新(SH:603986)今日發(fā)布公告稱，擬定增募資約43億元，用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等項(xiàng)目。兆易創(chuàng)新公告截圖本次發(fā)行募集資金總額（含發(fā)行費(fèi)用）不超過人民

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2019-10-16

芯片兆易創(chuàng)新兆易 dram芯片 DRAM
明年內(nèi)存產(chǎn)能增長速度創(chuàng)十年新低國產(chǎn)內(nèi)存僅占3%

據(jù)報道，由于上游內(nèi)存廠商三星、SK海力士、三星等大幅削減產(chǎn)能投資，預(yù)計2020年內(nèi)存產(chǎn)能增長只有12.5%，創(chuàng)下了10年來的新低，一切都在為內(nèi)存漲價奠定基礎(chǔ)。 DRAM內(nèi)存價格從去年10月份開始由漲轉(zhuǎn)

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2019-10-16

國產(chǎn) 三星內(nèi)存長鑫 DRAM
研調(diào)：DRAM價明年或反彈，大陸投片量估占全球低于3%

集邦科技存儲器儲存研究（DRAMeXchange）表示，今年8月DRAM合約價與前月持平，DDR4 8GB均價來到25.5美元，而9月合約價格雖然仍在議定中，但繼續(xù)持平可能性高。展望2020年，因3大

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2019-10-11

DRAM
DRAM內(nèi)存芯片價格暫時平穩(wěn)：四季度或進(jìn)一步下跌

連續(xù)經(jīng)歷N個月下跌后，DRAM內(nèi)存芯片的價格在8月和9月份保持了基本穩(wěn)定。DRAMeXchange采集的數(shù)據(jù)顯示，DDR4-2133 8Gb(1GB)PC芯片在9月結(jié)束后的均價為2.94美元，和上月完全持平(約合21元)。不過，業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，上述局

半導(dǎo)體
2019-10-08

芯片內(nèi)存 DRAM
國產(chǎn)內(nèi)存年底量產(chǎn) 但前路依舊漫漫

本月初，紫光集團(tuán)旗下長江存儲正式宣布，其64層堆棧3D NAND閃存已開始量產(chǎn)。雖然國產(chǎn)3D NAND已經(jīng)取得了突破了，但是在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，國內(nèi)依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晉華，由于

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2019-09-24

國產(chǎn) 內(nèi)存紫光長江存儲 DRAM
長鑫存儲亮相閃存技術(shù)峰會引領(lǐng)中國DRAM技術(shù)突破

在今日舉辦的中國閃存技術(shù)峰會(CFMS)上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。

產(chǎn)業(yè)動態(tài)
2019-09-20

閃存長鑫存儲 DRAM
長鑫存儲亮相閃存技術(shù)峰會引領(lǐng)中國DRAM技術(shù)突破

在今日舉辦的中國閃存技術(shù)峰會(CFMS)上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲正

廠商動態(tài)
2019-09-20

閃存長鑫存儲 DRAM
紫光再換高管：孫世偉任武漢新芯總經(jīng)理兼CEO

8月28日，繼紫光集團(tuán)宣布委任高啟全為DRAM事業(yè)群CEO后，紫光旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱武漢新芯）宣布，聘請紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁孫世偉接任高啟全擔(dān)任武漢新芯總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（C

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2019-09-16

紫光武漢新芯孫世偉 DRAM
Q3業(yè)績提前完成傳美光停止出貨內(nèi)存漲價30%

從去年Q4季度開始，全球內(nèi)存也從牛市轉(zhuǎn)向了熊市，價格開始下滑，一直持續(xù)到今年Q2季度，據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計，Q2季度全球內(nèi)存價格也跌了10%，全球產(chǎn)值也下滑了9.1%。不過Q2季度已經(jīng)是過

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2019-09-12

美光內(nèi)存漲價 DRAM
報告：DRAM價格將繼續(xù)走低二季度內(nèi)存跌幅近10%

據(jù)DRAM Exchange最新報告稱，DRAM市場正在降價、且趨勢是會繼續(xù)走低。這份報告中指出，今年第二季度，DRAM價格下跌了近10%。目前的狀況是供大于求，這是內(nèi)存市場將持續(xù)下跌的部分原因。對

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2019-09-10

芯片 nand dram芯片 DRAM
全球內(nèi)存廠2019Q2營收排名：三星第一韓國廠商占比超7成

8月12日消息近日，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)公布了全球內(nèi)存廠2019Q2營收排名，三星第一，SK海力士第二，美光第三。根據(jù)集邦咨詢的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，在2019年第二季度全球D

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2019-09-09

半導(dǎo)體三星韓國內(nèi)存 DRAM
內(nèi)存價格今年已經(jīng)暴跌50% 價格反彈要等到明年Q2季度

隨著日本宣布允許對韓國出口重要的半導(dǎo)體材料，持續(xù)了一個多月的日韓貿(mào)易爭端有了緩和的可能，這也讓全球內(nèi)存及閃存市場面臨的動蕩緩和了，現(xiàn)在內(nèi)存市場又要回到過剩的局面了，預(yù)計Q3季度價格還會繼續(xù)下跌。從去

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2019-09-06

半導(dǎo)體內(nèi)存 DRAM
將計算過程移步至內(nèi)存里，這家公司有什么“騷操作”？

關(guān)于這個計算世界的一個關(guān)鍵的未來要素是移動數(shù)據(jù)。移動數(shù)據(jù)需要功率，以至于從內(nèi)存中調(diào)用數(shù)據(jù)要比實(shí)際對其進(jìn)行“計算”消耗更多的功率。這就是我們有緩存的原因，但即使有緩存，也需要對CPU進(jìn)行廣泛的管理。對于簡單的操作，如位轉(zhuǎn)移或和操作，目標(biāo)是將計算能力轉(zhuǎn)移到主DRAM本身，這樣它就不必來回穿梭。今年在Hot Chips, UPMEM是第一批展示新技術(shù)的公司之一。

嵌入式動態(tài)
2019-08-21

內(nèi)存移動數(shù)據(jù) 行業(yè)資訊 DRAM
美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM

根據(jù)國外科技媒體報導(dǎo)指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此，市場預(yù)估，美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會在2019年底前，在美光位于中國臺灣臺中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。

單片機(jī)
2019-08-20

美光 10納米 DRAM
美光第三代 10nm 制程已量產(chǎn)，首批器件功耗降低 40%

8月19日訊，美光宣布1z nm制程存儲芯片量開始產(chǎn)，器件功耗降低40%。

嵌入式動態(tài)
2019-08-20

芯片美光廠商動態(tài) DRAM
瑞昱SSD主控可減少75%的DRAM緩存暫不開發(fā)PCIe 4.0主控

隨著NAND閃存的降價，SSD硬盤的價格越來越低，使得SATA與PCIe硬盤的價格相差無幾了，選擇M.2接口SSD的玩家越來越多，畢竟M.2的硬盤性能比SATA版高太多了。 PCIe硬盤要想實(shí)現(xiàn)高性

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2019-08-08

pcie 4.0 ssd 硬盤瑞昱主控 DRAM

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DRAM

SK海力士推出首個五代雙倍速率DRAM

這項(xiàng)將要變革存儲架構(gòu)的技術(shù) 是時候關(guān)注下了

SK海力士開發(fā)出10納米級DRAM

存儲市場庫存仍高美光明年仍采取保守策略

兆易創(chuàng)新擬定增募資約43億元用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等項(xiàng)目

明年內(nèi)存產(chǎn)能增長速度創(chuàng)十年新低國產(chǎn)內(nèi)存僅占3%

研調(diào)：DRAM價明年或反彈，大陸投片量估占全球低于3%

DRAM內(nèi)存芯片價格暫時平穩(wěn)：四季度或進(jìn)一步下跌

國產(chǎn)內(nèi)存年底量產(chǎn) 但前路依舊漫漫

長鑫存儲亮相閃存技術(shù)峰會引領(lǐng)中國DRAM技術(shù)突破

長鑫存儲亮相閃存技術(shù)峰會引領(lǐng)中國DRAM技術(shù)突破

紫光再換高管：孫世偉任武漢新芯總經(jīng)理兼CEO

Q3業(yè)績提前完成傳美光停止出貨內(nèi)存漲價30%

報告：DRAM價格將繼續(xù)走低二季度內(nèi)存跌幅近10%

全球內(nèi)存廠2019Q2營收排名：三星第一韓國廠商占比超7成

內(nèi)存價格今年已經(jīng)暴跌50% 價格反彈要等到明年Q2季度

將計算過程移步至內(nèi)存里，這家公司有什么“騷操作”？

美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM

美光第三代 10nm 制程已量產(chǎn)，首批器件功耗降低 40%

瑞昱SSD主控可減少75%的DRAM緩存暫不開發(fā)PCIe 4.0主控

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