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GlobalFoundries來勢(shì)洶洶 各晶圓廠展開市占率保衛(wèi)戰(zhàn)
全球晶圓(Global Foundries)喊出以全球市場(chǎng)占有率3成為目標(biāo)!各家晶圓廠紛紛展開市占率保衛(wèi)戰(zhàn)，僅管聯(lián)電也表示將以沖市占率為目標(biāo)，不過執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉還是不忘股東權(quán)益報(bào)酬率，他說必須在兩者間求取適切平衡。聯(lián)電也認(rèn)
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Global Foundries來勢(shì)洶洶 聯(lián)電兼顧市占、股東權(quán)益
全球晶圓(Global Foundries)喊出以全球市場(chǎng)占有率3成為目標(biāo)！各家晶圓廠紛紛展開市占率保衛(wèi)戰(zhàn)，僅管聯(lián)電也表示將以沖市占率為目標(biāo)，不過執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉還是不忘股東權(quán)益報(bào)酬率，他說必須在兩者間求取適切平衡。聯(lián)電也認(rèn)
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DRAM走出黑暗 2010年內(nèi)存廠商或興旺發(fā)達(dá)
在DRAM 市場(chǎng)的歷史上，2009 年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來就不錯(cuò)了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后， DRAM 供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三
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威剛陳立白：產(chǎn)能不足 內(nèi)存看漲
今年各大DRAM廠相繼擴(kuò)大資本支出，以進(jìn)入DDR3領(lǐng)域，但是在各家廠商搶訂機(jī)臺(tái)之下，恐影響后續(xù)產(chǎn)出。威剛（3260）董事長(zhǎng)陳立白指出，內(nèi)存廠所需的浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)交期長(zhǎng)達(dá)10個(gè)月以上，目前只能靠微縮制程增加產(chǎn)出，然在
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三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。三星稱，2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片的耗電量減少了30%，生產(chǎn)
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華東：訂單滿手 加班出貨
半導(dǎo)體封測(cè)法說周昨（2）日由華新科（2492）集團(tuán)的內(nèi)存封測(cè)廠華東（8110）打頭陣，總經(jīng)理于鴻棋指出，內(nèi)存需求仍佳，現(xiàn)在是被訂單追著跑，全年包括ASP（平均銷售單價(jià)）、毛利和營(yíng)收都將呈現(xiàn)逐季走揚(yáng)趨勢(shì)。 于鴻棋
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40納米成DRAM廠流行口號(hào)
近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒錢轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過50納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營(yíng)，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程
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南亞科擴(kuò)建12寸廠 全球市占挑戰(zhàn)10%
南亞科將逆勢(shì)擴(kuò)建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬片擴(kuò)增至5萬~6萬片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴(kuò)產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計(jì)華亞科)約9.5萬片，以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬片計(jì)算，南亞科擴(kuò)
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DRAM走出黑暗年底陽(yáng)光燦爛
在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來就不錯(cuò)了。 但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走
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DRAM走出黑暗 年底陽(yáng)光燦爛
在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來就不錯(cuò)了。但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走
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DRAM跌價(jià)襲擊模塊廠1月營(yíng)收處變不驚
2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NANDFlash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月營(yíng)收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈
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設(shè)備交期拉長(zhǎng) 恐影響設(shè)備業(yè)2010年成長(zhǎng)力道
近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃不斷，不少業(yè)者的機(jī)臺(tái)進(jìn)廠時(shí)間落在下半年，從目前的設(shè)備交期6~9個(gè)月來推算，部分機(jī)臺(tái)交貨時(shí)間恐怕落到2011年。在2010年科技業(yè)大擴(kuò)產(chǎn)風(fēng)潮下，市場(chǎng)紛紛看好設(shè)備業(yè)業(yè)績(jī)可望較2009年
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DRAM跌價(jià)襲擊 模塊廠1月營(yíng)收處變不驚
2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月營(yíng)收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而
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中芯國(guó)際全面停止DRAM生產(chǎn)
上海芯片代工廠中芯國(guó)際自新任CEO王寧國(guó)掌權(quán)后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。 由于中芯過去兩年以SDRAM填補(bǔ)產(chǎn)能，成為國(guó)內(nèi)消費(fèi)性電子產(chǎn)品及家電
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福懋科、華東Q1營(yíng)收續(xù)沖
DRAM封測(cè)廠首季展望樂觀，由于DDR3封測(cè)制程改變，代工價(jià)格較DDR2增加約20％，加上DDR2封測(cè)代工價(jià)今年初已調(diào)漲10％，DRAM封測(cè)廠首季平均價(jià)格（ASP）明顯優(yōu)于去年第4季，加上上游DRAM廠提升投片量，法人預(yù)估福懋科（81
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機(jī)臺(tái)交期延DRAM廠制程微縮絆腳石
2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤(rùn)式微顯影(ImmersionScanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購(gòu)是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華
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機(jī)臺(tái)交期延 DRAM廠制程微縮絆腳石
2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤(rùn)式微顯影(Immersion Scanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購(gòu)是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華
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三星與Rambus達(dá)成和解 將支付9億美元
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星公司和Rambus公司1月19日宣布雙方已達(dá)成和解協(xié)議，此前所有爭(zhēng)端已得到解決，并且三星還得到了Rambus的授權(quán)，以使三星能在其產(chǎn)品上使用Rambus的專利技術(shù)。 在此協(xié)議下，三星將向Rambus初步支付2
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并Touchdown 惠瑞捷探針卡技術(shù)如虎添翼
半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備與解決方案大廠惠瑞捷（Verigy）接橥今年四大發(fā)展目標(biāo)，除了計(jì)劃提升既有測(cè)試機(jī)臺(tái)的影響力外，惠瑞捷也藉由并購(gòu)Touchdown取得半導(dǎo)體探針卡（probe card）技術(shù)，同時(shí)惠瑞捷并計(jì)劃在18個(gè)月內(nèi)把RF測(cè)試的
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中芯國(guó)際全面停止DRAM生產(chǎn)
上海芯片代工廠中芯國(guó)際自新任CEO王寧國(guó)掌權(quán)后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。由于中芯過去兩年以SDRAM填補(bǔ)產(chǎn)能，成為國(guó)內(nèi)消費(fèi)性電子產(chǎn)品及家電市
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