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DRAM

我要報(bào)錯(cuò)
  • 威剛陳立白:今年DRAM市場(chǎng)多處于缺貨狀態(tài)

    存儲(chǔ)器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個(gè)股本的豐碩成績(jī)單,董事長(zhǎng)陳立白表示,2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時(shí)間將處于缺貨的狀態(tài),只要價(jià)格維持平穩(wěn),預(yù)計(jì)對(duì)于模塊產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是好事,往年會(huì)是傳統(tǒng)淡季的第2季,2010年將會(huì)見

  • 爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光

    一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida),隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程,爾必達(dá)狀況更顯得困窘,在經(jīng)過近1年臥薪嘗膽后,爾必達(dá)2010年開春終于宣布,40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn)

  • 爾必達(dá)擬投資400億日?qǐng)A提高瑞晶產(chǎn)能

    日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo),日廠爾必達(dá)(Elpida)與臺(tái)廠力晶合資成立的瑞晶,計(jì)劃在2010年度內(nèi)將DRAM產(chǎn)能提高為目前的2倍。 日經(jīng)報(bào)導(dǎo),雙方將投資約400億日?qǐng)A(約4。3億美元)將瑞晶產(chǎn)線全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程,以提高生產(chǎn)效率。

  • 臺(tái)12寸DRAM廠廢墟變黃金美日都覬覦

    臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠!在金融風(fēng)暴期間,臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2,000億元的負(fù)債,每天搖旗吶喊希望政府金援,否則整個(gè)產(chǎn)業(yè)面臨垮臺(tái)的命運(yùn),根本原因就是過去幾年間,業(yè)者太容易拿到資本市場(chǎng)的資金

  • 2010年全球DRAM市場(chǎng)展望

    全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴(kuò)廠競(jìng)賽”以來,DRAM市場(chǎng)嚴(yán)重供過于求的陰霾就揮之不去,在這樣心理預(yù)期下,DRAM價(jià)格持續(xù)性下跌也就顯得理所當(dāng)然。 所幸,金融海嘯的發(fā)生,迫使除三星電子(SamsungElectronics)外的

  • 半導(dǎo)體月報(bào):4季度依然強(qiáng)勁,1季度可能“淡季不淡”

    主要電子指數(shù)11月上漲:11月份,費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲4。5%,道瓊斯指數(shù)上漲6。5%,臺(tái)灣的電子零組件指數(shù)上漲3。6%,臺(tái)灣加權(quán)指數(shù)上漲3。3%,而大陸的CSRC電子行業(yè)指數(shù)則上漲16%,滬深300指數(shù)上漲7。1%。中國(guó)大陸電子股

  • iSuppli:DDR3將是2010年的搖錢大樹

    2009 年即將結(jié)束,DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世,iSuppli 公司認(rèn)為,它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)?! DR2 還不算過時(shí),而且未來一段時(shí)間

  • 美光爭(zhēng)取華亞科主導(dǎo)權(quán) 臺(tái)塑拒絕成瑞晶翻版

    華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資,南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認(rèn)購現(xiàn)增額度,但近期傳出美光向臺(tái)塑集團(tuán)攤牌,希望能增加認(rèn)購比例,爭(zhēng)取華亞科更多股權(quán),惟臺(tái)塑集團(tuán)回決此提議,認(rèn)為目前「等權(quán)共治」策略較

  • 臺(tái)12寸DRAM廠廢墟變黃金 美日都覬覦

    臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠!在金融風(fēng)暴期間,臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2,000億元的負(fù)債,每天搖旗吶喊希望政府金援,否則整個(gè)產(chǎn)業(yè)面臨垮臺(tái)的命運(yùn),根本原因就是過去幾年間,業(yè)者太容易拿到資本市場(chǎng)的資金

  • 集邦:DDR3將居主流,下半年封測(cè)產(chǎn)能將吃緊

    根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,由于去年第四季歐美感恩節(jié)與圣誕節(jié)銷售暢旺,加上經(jīng)濟(jì)景氣復(fù)蘇及Windows7帶動(dòng)下,PC銷售表現(xiàn)一路旺到年底,展望今年,Windows7 效益持續(xù),PC表現(xiàn)暢旺,零組件將出現(xiàn)短缺,且由于

  • 集邦:上半年DDR3封測(cè)產(chǎn)能 更吃緊

    受惠微軟操作系統(tǒng)Windows 7滲透率持續(xù)提升,及計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠大幅拉高DDR3機(jī)種比重,DRAM廠DDR3新產(chǎn)能已陸續(xù)開出,但因后段封測(cè)產(chǎn)能提升速度較慢,集邦科技預(yù)估,今年上半年DDR3封測(cè)產(chǎn)能吃緊情況更加嚴(yán)重,且可能因此影

  • 福懋科去年Q4營(yíng)收 優(yōu)于預(yù)期

    DRAM封測(cè)廠福懋科(8131)昨(4)日公布去年12月營(yíng)收約達(dá)9.4億元,第4季營(yíng)收達(dá)27.24億元,季增率10.1%,略高于市場(chǎng)預(yù)期,而福懋科2009年全年?duì)I收達(dá)89.56億元,與2008年的101.93億元相較,年減率約12.1%。法人預(yù)估,

    模擬
    2010-01-05
    晶圓 DDR3 DRAM
  • 2010年DRAM資本支出將猛增80%

    據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè),2010年DRAM制造商的資本支出將同比增長(zhǎng)80至78.5億美元。2009年DRAM制造商的支出額為43億美元?! ∪欢?,該支出水平仍然低于過去十年的平均支出,比2006年和2007年的高峰值也低許多。  

  • 韓國(guó)FTC:NANDFlash大廠無操控價(jià)格

    據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),韓國(guó)公平貿(mào)易委員會(huì)(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NANDFlash存儲(chǔ)器大廠有任何操控價(jià)格的證據(jù),將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外,韓國(guó)FTC表示,至目前為止所有和存儲(chǔ)器市場(chǎng)相關(guān)的操控價(jià)格調(diào)查皆已完成,包括DRA

    模擬
    2010-01-04
    SRAM TC DRAM NANDFLASH
  • ITC判Tessera控侵權(quán)敗訴,力成毛利率可望提升

    美國(guó)封裝專利業(yè)者Tessera控告國(guó)內(nèi)外DRAM業(yè)者侵權(quán)案,美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)終判Tessera敗訴,原本有付Tessera權(quán)利金的封測(cè)廠力成科技(6239)指出,若未來不需要再繳交權(quán)利金予Tessera,力成代工價(jià)格將更具優(yōu)勢(shì),

    模擬
    2009-12-31
    TE SE TC DRAM
  • 記取DRAM再造失敗教訓(xùn)臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”擬推動(dòng)“產(chǎn)業(yè)再造法”

    臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”主導(dǎo)的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎已確定翻案無望,“經(jīng)濟(jì)部”長(zhǎng)施顏祥29日首度松口表示,若國(guó)發(fā)基金無法投資臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC),或許可改由民間資金投入。由于產(chǎn)業(yè)經(jīng)常會(huì)遇到再造的需求,“經(jīng)濟(jì)部

  • 華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)

    2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好,臺(tái)系DRAM廠忙著搶錢擴(kuò)大產(chǎn)能,華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資,預(yù)計(jì)再募資超過新臺(tái)幣百億元,日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計(jì)2010年資本支出上看450億元,與同為臺(tái)塑集團(tuán)的南亞科合計(jì)資

  • 力成毛利率可望提升

    美國(guó)封裝專利業(yè)者Tessera控告國(guó)內(nèi)外DRAM業(yè)者侵權(quán)案,美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)終判Tessera敗訴,原本有付Tessera權(quán)利金的封測(cè)廠力成科技(6239)指出,若未來不需要再繳交權(quán)利金予Tessera,力成代工價(jià)格將更具優(yōu)勢(shì),

    模擬
    2009-12-31
    TE SE TC DRAM
  • 海力士調(diào)高資本支出 規(guī)模逼近華亞科

    國(guó)際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息,韓國(guó)大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出,預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元,相當(dāng)于12.7億美元,雖然以全球的角度來看,2010年的資本支出仍高居全球第三大,然經(jīng)此一調(diào)高

  • DDR3注定要奪取DRAM王座

    2009年即將結(jié)束,DDR2作為DRAM市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3幾年前就已經(jīng)問世,iSuppli公司認(rèn)為,它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2還不算過時(shí),而且未來一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過時(shí),它