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福懋科、華東Q1營收續(xù)沖

時間：2010-01-27 08:07:00

關(guān)鍵字： DRAM DDR3 爾必達東芝

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[導讀]DRAM封測廠首季展望樂觀，由于DDR3封測制程改變，代工價格較DDR2增加約20％，加上DDR2封測代工價今年初已調(diào)漲10％，DRAM封測廠首季平均價格（ASP）明顯優(yōu)于去年第4季，加上上游DRAM廠提升投片量，法人預估福懋科（81

DRAM封測廠首季展望樂觀，由于DDR3封測制程改變，代工價格較DDR2增加約20％，加上DDR2封測代工價今年初已調(diào)漲10％，DRAM封測廠首季平均價格（ASP）明顯優(yōu)于去年第4季，加上上游DRAM廠提升投片量，法人預估福懋科（8131）、華東（8110）等首季營收季增率上看1成，力成（6239）有機會挑戰(zhàn)90億元大關(guān)。

在美光加快技轉(zhuǎn)動作下，南亞科及華亞科本季已全力進行50奈米制程升級，預計3月后50奈米DDR3占產(chǎn)能比重將提升到3成以上，第2季下旬將逾5成，加上兩家DRAM廠今年合計資本支出將超過700億元，用來擴充12吋廠產(chǎn)能及加快42奈米微縮。

由于DRAM制程由70奈米推進至50奈米后，單片晶圓顆粒產(chǎn)出量將增加8成至9成，50奈米再推進至42奈米后，還可再增加7成至8成，所以市場推算兩家DRAM廠今年位成長率（bit growth）將上看7成，而承接南亞科及華亞科后段DRAM封測業(yè)務的福懋科、華東等，自然受惠最大。

爾必達陣營今年營運策略主要以50奈米制程微縮為主，包括力晶、瑞晶、茂德、華邦電等，已經(jīng)全速導入50奈米世代新技術(shù)量產(chǎn)DDR3。以現(xiàn)在進度來看，今年中旬也會有接近7成產(chǎn)能改以50奈米投片，配合爾必達陣營DRAM廠的投片量拉高到滿載水位，今年DRAM產(chǎn)出將因制程微縮而逐季拉高，后段封測廠力成、華東等自然也是接單暢旺，訂單能見度已達第2季中下旬。

至于力成除了受惠于爾必達陣營DRAM產(chǎn)能開出，東芝擴大NAND閃存產(chǎn)能力圖提升市占率，也有助于力成今年營運表現(xiàn)。

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