半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備與解決方案大廠惠瑞捷（Verigy）接橥今年四大發(fā)展目標(biāo)，除了計(jì)劃提升既有測(cè)試機(jī)臺(tái)的影響力外，惠瑞捷也藉由并購(gòu)Touchdown取得半導(dǎo)體探針卡（probe card）技術(shù)，同時(shí)惠瑞捷并計(jì)劃在18個(gè)月內(nèi)把RF測(cè)試的市占率提升到35％。


附圖 : 圖為惠瑞捷臺(tái)灣分公司總經(jīng)理陳瑞銘。（Source：HDC）
從自動(dòng)化測(cè)試角度來(lái)看，Teradyne（29％）、Verigy（28％）、Advantest（19％）便占有超過(guò)四分之三的市占率，而惠瑞捷在SoC和DRAM測(cè)試領(lǐng)域，亦占有相當(dāng)重要的影響力，也與Teradyne和Advantest形成三國(guó)鼎立的局面?；萑鸾菖c全球各大晶圓廠、封測(cè)代工廠（OSAT）、無(wú)晶圓廠IC設(shè)計(jì)公司（Fabless）與整合組件制造商（IDM）的合作關(guān)系也越來(lái)越廣泛。

惠瑞捷臺(tái)灣分公司總經(jīng)理陳瑞銘表示，到2013年之前，惠瑞捷將集中火力發(fā)展先進(jìn)探針卡、100MHz效能的SoC、DRAM以及200MHz效能的SoC產(chǎn)品等半導(dǎo)體測(cè)試項(xiàng)目。在100MHz效能的SoC產(chǎn)品和DRAM半導(dǎo)體測(cè)試上，惠瑞捷均有相對(duì)應(yīng)的測(cè)試機(jī)臺(tái)解決方案。在DRAM部分，陳瑞銘強(qiáng)調(diào)，內(nèi)存廠商提供包括DRAM和閃存各類(lèi)多樣化產(chǎn)品，相關(guān)測(cè)試機(jī)臺(tái)必須滿(mǎn)足各種內(nèi)存測(cè)試產(chǎn)品的需求。

陳瑞銘進(jìn)一步指出，目前3D顯示和3D TV應(yīng)用形成話(huà)題效應(yīng)，將加速DRAM效能的提升，不過(guò)現(xiàn)有內(nèi)存恐無(wú)法滿(mǎn)足3D顯示需求，未來(lái)將快速進(jìn)入GDDR或XDR階段，惠瑞捷的內(nèi)存測(cè)試機(jī)臺(tái)方案均可涵蓋上述內(nèi)存測(cè)試范圍。而在MCU測(cè)試部分，惠瑞捷已經(jīng)和日系MCU大廠密切接洽，可望成為日系MCU大廠測(cè)試機(jī)臺(tái)的主要供貨商，亦可滿(mǎn)足客制化功能設(shè)計(jì)的測(cè)試內(nèi)容。

此外，惠瑞捷也將積極介入無(wú)線(xiàn)RF整合芯片測(cè)試的市場(chǎng)，包括手機(jī)基頻芯片、WLAN、藍(lán)牙、手持式數(shù)字電視芯片、機(jī)頂盒、以及WiMAX 4G芯片測(cè)試，惠瑞捷均與相關(guān)廠商進(jìn)行密切合作。

至于在探針卡部分，陳瑞銘強(qiáng)調(diào)，惠瑞捷已經(jīng)并購(gòu)美國(guó)南加州的Touchdown半導(dǎo)體測(cè)試公司，取得以MEMS為基礎(chǔ)的關(guān)鍵探針卡技術(shù)，可提升NOR、DRAM和NAND Flash的半導(dǎo)體制程良率和產(chǎn)能。這項(xiàng)技術(shù)是以3D MEMS Probe技術(shù)架構(gòu)為基礎(chǔ)，可有效提高探針數(shù)和密度，并且可替換單一探針。此外，惠瑞捷也取得300mm全晶圓架構(gòu)，藉由MEMS探針可提高基板制程的精確度，并可提高散熱效能，進(jìn)一步降低晶圓制造成本。這對(duì)于提升惠瑞捷在晶圓制程測(cè)試的能力，可說(shuō)是如虎添翼。