內(nèi)存封測3雄力成(6239)、華東(8110)、福懋科(8131)等相繼公布3月營收,普遍較2月成長。由第1季營收來看,基本上與去年第4季持平,淡季不淡效應(yīng)明顯,第2季因國內(nèi)DRAM廠力晶、南科、華亞科等DDR3比重拉升,法人
日本存儲器大廠爾必達(Elpida)將向存儲器模塊大廠金士頓(Kingston)發(fā)行新股與可轉(zhuǎn)換公司債,籌資187億日圓(約1.98億美元),以作為2010年度中擴充廣島廠半導(dǎo)體尖端設(shè)備之用。而金士頓亦將因此握有爾必達4.79%的持股,
DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右,據(jù)該公司的分析師表示,2001-2003年,內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期,而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀
據(jù)臺灣媒體報道,有國資背景的蘇州創(chuàng)投(Suzhou Venture Group)已經(jīng)收購了奇夢達位于蘇州工業(yè)園的DRAM模組裝配與測試工廠。 原奇夢達科技(蘇州)有限公司更名為智瑞達科技(蘇州)有限公司。智瑞達(
據(jù)國外媒體報道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱,30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。 三星稱,2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱,30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。 三星稱,2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片的耗電
在DRAM市場的歷史上,2009年初可能是最黑暗的時期之一,當(dāng)時廠商能活下來就不錯了。 但是,繼春季溫和復(fù)蘇之后,DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束,夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲,營業(yè)
在DRAM市場的歷史上,2009年初可能是最黑暗的時期之一,當(dāng)時廠商能活下來就不錯了。 但是,繼春季溫和復(fù)蘇之后,DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束,夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲,營業(yè)收入也水
2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強變成四強鼎立,歐系代表奇夢達(Qimonda)正式退出市場,也宣告溝槽式技術(shù)陣營的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁,將會是美、日、韓陣營合寫歷史,但目前臺灣的DRAM版圖中
2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強變成四強鼎立,歐系代表奇夢達(Qimonda)正式退出市場,也宣告溝槽式技術(shù)陣營的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁,將會是美、日、韓陣營合寫歷史,但目前臺灣的DRAM版圖中,韓系已
動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)廠力晶半導(dǎo)體自結(jié) 3月營收達新臺幣68.46億元,較2月增加24%,較去年同期大增5.72倍,并創(chuàng)下近3年來營收最高紀(jì)錄,同時是連續(xù)第5個月獲利。受惠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨價走揚,加上產(chǎn)能及良率有效拉升,
據(jù)臺灣媒體報道,有國資背景的蘇州創(chuàng)投(Suzhou Venture Group)已經(jīng)收購了奇夢達位于蘇州工業(yè)園的DRAM模組裝配與測試工廠。 原奇夢達科技(蘇州)有限公司更名為智瑞達科技(蘇州)有限公司。智瑞達(Gerad)將繼續(xù)
受全球存儲芯片供應(yīng)短缺利好影響,三星電子存儲芯片業(yè)務(wù)增長明顯,預(yù)計其2010年上半年營業(yè)利潤有望超過4萬億韓元,約合35億美元。三星公司消息人士稱,三星電子自身預(yù)估2010年全年的芯片業(yè)務(wù)營業(yè)利潤將最多可增至4.4
由于目前存儲器供應(yīng)短缺、供不應(yīng)求,全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)預(yù)期2010年的營收可望達到10年來的最高點。目前DRAM市場正處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟逐漸回溫后,企業(yè)放寬支出,對個人計算機(PC)的
DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右,據(jù)該公司的分析師表 示,2001-2003年,內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期,而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的
南科(2408)因轉(zhuǎn)換制程,本季12吋廠單月投片量不到3萬片,看好DRAM產(chǎn)業(yè)景氣,決提升產(chǎn)能至今年底前的5萬片,將帶動今年營收逐季成長。另外,該公司擬現(xiàn)增20億股,股本從340億最高增至540億元。 南科12吋廠單月全產(chǎn)能
半導(dǎo)體龍頭大廠相繼對上半年展望釋出樂觀看法,下游封測廠日月光、硅品、頎邦、京元電、華東等,3月業(yè)績都將優(yōu)于1月,上半年看不到淡季的看法維持不變。在中國大陸市場帶動下,手機、消費性電子、筆記型計算機(NB)
美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天,會場聚焦DRAM、手機和LED產(chǎn)業(yè),業(yè)者紛紛釋出樂觀看法,包括DRAM未來2、3年產(chǎn)業(yè)展望都樂觀,LED背光液晶電視年底滲透率上看35%.美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天,今天會議部份
根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測,從今年到2012年,DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限,以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進難度高影響下,位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇,帶動消費者及企業(yè)換機潮,以及智
DRAM龍頭大廠三星半導(dǎo)體24日下午生產(chǎn)線意外跳電,旗下位于企興(Kiheung)的12吋廠與8吋廠,分別負(fù)責(zé)生產(chǎn)NANDFlash、利基型DRAM產(chǎn)線跳電長達30分鐘至40分鐘,由于情形不明,廠商相繼縮手,同步停止DRAM、NANDFlash報