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DRAM忙擴(kuò)產(chǎn) 封測(cè)漲價(jià)在即

雖然三星、海力士、美光等3大廠仍未釋出封測(cè)訂單委外代工，但占全球DRAM產(chǎn)能逾4成的臺(tái)灣DRAM廠及日本爾必達(dá)，封測(cè)訂單卻是源源不絕釋出，所以臺(tái)灣DRAM業(yè)者如力成、華東、福懋科、泰林等，今年來(lái)產(chǎn)能利用率維持95％以

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2010-01-23

DRAM DDR3 GB 美光
力成去年第四季毛利率仍有26%以上

DRAM封測(cè)大廠力成（6239）已敲定在2月4日舉行法說(shuō)會(huì)，公布去年第四季和全年財(cái)報(bào)。法人預(yù)期，力成第四季單季毛利率將持續(xù)成長(zhǎng)，有機(jī)會(huì)超過(guò)26%，續(xù)優(yōu)于第三季的水平。隨著半導(dǎo)體景氣持續(xù)復(fù)蘇，帶動(dòng)內(nèi)存IC封測(cè)廠營(yíng)

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2010-01-23

半導(dǎo)體內(nèi)存 IC DRAM
海力士4Q獲利6，570億韓元?jiǎng)?chuàng)3年新高

全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來(lái)新高。 2009年第4季海力士營(yíng)收為2。8兆韓元(約24。7億美元)，較第3季大幅成長(zhǎng)32%，海力士營(yíng)收成

半導(dǎo)體
2010-01-23

計(jì)算機(jī) 海力士 NANDFLASH DRAM
嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

嵌入式教程
2010-01-22

控制器嵌入式系統(tǒng) CPLD DRAM
美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米4大DRAM陣營(yíng)火藥味濃

2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代！繼爾必達(dá)跳過(guò)50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。

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2010-01-22

爾必達(dá) 40納米 DRAM 美光
南亞科擴(kuò)建12寸廠全球市占挑戰(zhàn)10%

南亞科將逆勢(shì)擴(kuò)建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬(wàn)片擴(kuò)增至5萬(wàn)~6萬(wàn)片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴(kuò)產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計(jì)華亞科)約9。5萬(wàn)片，以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬(wàn)片計(jì)算，南亞科擴(kuò)

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2010-01-22

PID MICRON DRAM 美光
三星與Rambus達(dá)成和解將支付9億美元

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星公司和Rambus公司1月19日宣布雙方已達(dá)成和解協(xié)議，此前所有爭(zhēng)端已得到解決，并且三星還得到了Rambus的授權(quán)，以使三星能在其產(chǎn)品上使用Rambus的專(zhuān)利技術(shù)。在此協(xié)議下，三星將向Rambus初步支付

智能硬件
2010-01-21

三星 RAM 隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM
海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NANDFlash產(chǎn)能

據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-KapKim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NANDFlash的產(chǎn)能。根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSup

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2010-01-20

計(jì)算機(jī) 海力士 NANDFLASH DRAM
DRAM廠祭搭售策略緊急搶救DDR2

全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫(kù)存越來(lái)越多，近期韓系DRAM大廠開(kāi)始祭出買(mǎi)DDR3模塊必須搭配買(mǎi)DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購(gòu)買(mǎi)DDR3

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2010-01-20

存儲(chǔ)器 DDR DRAM DDR3
DRAM廠祭搭售策略　緊急搶救DDR2

全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫(kù)存越來(lái)越多，近期韓系DRAM大廠開(kāi)始祭出買(mǎi)DDR3模塊必須搭配買(mǎi)DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購(gòu)買(mǎi)DDR3

智能硬件
2010-01-20

存儲(chǔ)器 DDR DRAM DDR3
海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NAND Flash產(chǎn)能

據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSup

智能硬件
2010-01-20

Flash 海力士 NAND DRAM
DDR2乏人問(wèn)津DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

DDR2和DDR31月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和

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2010-01-18

存儲(chǔ)器 DDR DRAM DDR3
DDR2乏人問(wèn)津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶

智能硬件
2010-01-18

存儲(chǔ)器 DDR DRAM DDR3
365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價(jià)還在0.5美元，當(dāng)時(shí)生產(chǎn)成本還在2美元，可見(jiàn)虧損有多嚴(yán)重，各廠只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問(wèn)題延伸至臺(tái)、美、日DRAM廠大整合階段，也演變成國(guó)與國(guó)之間的戰(zhàn)

智能硬件
2010-01-18

微軟 PC VISTA DRAM
為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類(lèi)，DRAM及閃存類(lèi)。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱(chēng)它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)?？v觀DRAM發(fā)展的歷史，

智能硬件
2010-01-18

存儲(chǔ)器奇夢(mèng)達(dá) DRAM
爾必達(dá)將在臺(tái)灣設(shè)DRAM開(kāi)發(fā)基地合作開(kāi)發(fā)4F2技術(shù)

爾必達(dá)內(nèi)存將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開(kāi)發(fā)基地。計(jì)劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體（PSC）的合資公司臺(tái)灣瑞晶電子設(shè)立個(gè)人電腦通用DRAM開(kāi)發(fā)基地。這是爾必達(dá)和瑞晶于1月5日在臺(tái)灣召開(kāi)的新聞發(fā)布會(huì)上發(fā)布的（瑞

消費(fèi)電子
2010-01-15

電子內(nèi)存爾必達(dá) DRAM
瑞晶調(diào)整封測(cè)分配，華東賺到

日本DRAM大廠爾必達(dá)（Elpida）拿下瑞晶電子7成股權(quán)后，直接掌控瑞晶所有產(chǎn)能，瑞晶后段封測(cè)訂單分配也出現(xiàn)重大變化。據(jù)設(shè)備業(yè)者表示，瑞晶委由力成（6239）代工比重由5成提升至6成以上，但也調(diào)撥了2成至3成訂單下給華

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2010-01-13

爾必達(dá) PID DRAM DDR3
瑞晶調(diào)整封測(cè)分配華東賺到

日本DRAM大廠爾必達(dá)（Elpida）拿下瑞晶電子7成股權(quán)后，直接掌控瑞晶所有產(chǎn)能，瑞晶后段封測(cè)訂單分配也出現(xiàn)重大變化。據(jù)設(shè)備業(yè)者表示，瑞晶委由力成（6239）代工比重由5成提升至6成以上，但也調(diào)撥了2成至3成訂單下給華

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2010-01-13

爾必達(dá) PID DRAM DDR3
爾必達(dá)將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開(kāi)發(fā)基地與瑞晶等合作開(kāi)發(fā)4F2技術(shù)

爾必達(dá)內(nèi)存將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開(kāi)發(fā)基地。計(jì)劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體（PSC）的合資公司臺(tái)灣瑞晶電子設(shè)立個(gè)人電腦通用DRAM開(kāi)發(fā)基地。這是爾必達(dá)和瑞晶于1月5日在臺(tái)灣召開(kāi)的新聞發(fā)布會(huì)上發(fā)布的（瑞

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2010-01-11

電子內(nèi)存爾必達(dá) DRAM
DRAM：材料與制程創(chuàng)新的領(lǐng)域

為數(shù)字消費(fèi)、家庭網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線(xiàn)、通信和商業(yè)應(yīng)用提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)處理器架構(gòu)與內(nèi)核的領(lǐng)導(dǎo)廠商美普思科技公司（MIPSTechnologies）宣布，全球領(lǐng)先的數(shù)字電視IC供應(yīng)商晨星半導(dǎo)體（MStarSemiconductor）獲得其多線(xiàn)程MIPS32TM34

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2010-01-08

半導(dǎo)體數(shù)字電視 TV DRAM

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DRAM

DRAM忙擴(kuò)產(chǎn) 封測(cè)漲價(jià)在即

力成去年第四季毛利率仍有26%以上

海力士4Q獲利6，570億韓元?jiǎng)?chuàng)3年新高

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米4大DRAM陣營(yíng)火藥味濃

南亞科擴(kuò)建12寸廠全球市占挑戰(zhàn)10%

三星與Rambus達(dá)成和解將支付9億美元

海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NANDFlash產(chǎn)能

DRAM廠祭搭售策略緊急搶救DDR2

DRAM廠祭搭售策略　緊急搶救DDR2

海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NAND Flash產(chǎn)能

DDR2乏人問(wèn)津DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

DDR2乏人問(wèn)津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

爾必達(dá)將在臺(tái)灣設(shè)DRAM開(kāi)發(fā)基地合作開(kāi)發(fā)4F2技術(shù)

瑞晶調(diào)整封測(cè)分配，華東賺到

瑞晶調(diào)整封測(cè)分配華東賺到

爾必達(dá)將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開(kāi)發(fā)基地與瑞晶等合作開(kāi)發(fā)4F2技術(shù)

DRAM：材料與制程創(chuàng)新的領(lǐng)域

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