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海力士調(diào)高資本支出規(guī)模逼近華亞科
國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息，韓國大廠海力士（Hynix）宣布調(diào)高2010年資本支出，預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1。5兆韓元，相當(dāng)于12。7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一
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臺灣當(dāng)局續(xù)推DRAM再造研擬產(chǎn)業(yè)再生立法
臺灣“經(jīng)濟(jì)部長”施顏祥29日表示，若“立法院”三讀通過否決“國發(fā)基金”投資DRAM再造，“經(jīng)濟(jì)部”已研擬三個(gè)替代方案，包括由民間資金投資、橫向整合、參考日本產(chǎn)業(yè)再生法，建立法制基礎(chǔ)，繼續(xù)推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)的再造。
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DRAM內(nèi)存芯片2010年將嚴(yán)重缺貨廠商受益
由于消費(fèi)者需求增長，以及企業(yè)進(jìn)入PC更換周期，2010年下半年DRAM內(nèi)存將嚴(yán)重缺貨。 2009年，DRAM芯片價(jià)格在大部分時(shí)間內(nèi)都呈增長趨勢，因?yàn)槭芙?jīng)濟(jì)低迷影響許多廠商都削減了產(chǎn)量，只是在剛剛過去的兩個(gè)月內(nèi)趨于穩(wěn)定。
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基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計(jì)
1、引言 當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的帶寬，本文就如何設(shè)計(jì)一種符合當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲器控制器進(jìn)行研究。 本文第二部分介紹當(dāng)代D
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NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)
根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì)，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均
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硅晶圓漲 崇越臺勝科樂
半導(dǎo)體硅晶圓價(jià)格「漲」聲響起，崇越（5434）已順勢調(diào)高售價(jià)一成，明年第一季再漲5%，持續(xù)推升獲利；臺勝科 （3532）產(chǎn)線沖上滿載，朝轉(zhuǎn)盈之路邁進(jìn)，明年第一季跟進(jìn)漲價(jià)，對明年前三季市況看法樂觀。 全球前兩大半導(dǎo)
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2010年下半年存儲器芯片供給料出現(xiàn)短缺
行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦存儲芯片或?qū)⒃诿髂晗掳肽瓿霈F(xiàn)供應(yīng)不足，因消費(fèi)者需求升溫，且公司將開始進(jìn)行推遲了的電腦更新工作。 DRAMeXchange周四預(yù)計(jì)，明年個(gè)人電腦出貨量將增長13%，其中筆記本增長22。5%至
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三星成臺灣科技業(yè)公敵 前十大科技公司均拼不過
臺灣《商業(yè)周刊》日前撰文稱，三星像糖果也像毒藥，從來沒有一刻像今日，它能夠全面影響臺灣的電子科技股，讓張忠謀、郭臺銘與施崇棠等人，都必須找出一套抗星策略。臺灣前十大科技公司拼不過一家三星電子，三星已成
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DDR3將成主流，后段封測廠設(shè)備將跟著升級
全球最大美國消費(fèi)性電子展CES即將在明年1月7日到10日登場，芯片龍頭廠英特爾將在展中推出新架構(gòu)Nehalem、Westmere、以筆記計(jì)算機(jī)為主的Atom系列的處理器及芯片組，并全面支持DDR3，將推升DDR3成為明年度主流產(chǎn)品。由
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2010年下半年內(nèi)存芯片將會嚴(yán)重短缺
據(jù)國外媒體報(bào)道，行業(yè)跟蹤公司DRAMeXchange認(rèn)為，隨著消費(fèi)者需要更多的容量和企業(yè)開始更換電腦，計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片在明年下半年將可能會短缺。 由于受到經(jīng)濟(jì)衰退影響，內(nèi)存芯片廠商減少生產(chǎn)能力和資本開支，引起內(nèi)存芯
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海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求
據(jù)華爾街日報(bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。 海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-KapKim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010
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DRAMeXchange：2010年下半年存儲器芯片供給料出現(xiàn)短缺
行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦存儲芯片或?qū)⒃诿髂晗掳肽瓿霈F(xiàn)供應(yīng)不足，因消費(fèi)者需求升溫，且公司將開始進(jìn)行推遲了的電腦更新工作。 DRAMeXchange周四預(yù)計(jì)，明年個(gè)人電腦出貨量將增長13%，其中筆記本增長22。5%至
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2010年下半年內(nèi)存芯片將會嚴(yán)重短缺
據(jù)國外媒體報(bào)道，行業(yè)跟蹤公司DRAMeXchange認(rèn)為，隨著消費(fèi)者需要更多的容量和企業(yè)開始更換電腦，計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片在明年下半年將可能會短缺。 由于受到經(jīng)濟(jì)衰退影響，內(nèi)存芯片廠商減少生產(chǎn)能力和資本開支，引起內(nèi)存芯
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DDR3時(shí)代來臨 封測受惠最大
英特爾將在明年初美國消費(fèi)性電子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組，可望推動(dòng)DDR3在明年登上市場主流位置。國內(nèi)外DRAM廠主流產(chǎn)品線已由70奈米DDR2快速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3，隨
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京元電、硅格 爆發(fā)力強(qiáng)
看好明年 封測景氣回溫，京元電明年?duì)I收有機(jī)會挑戰(zhàn)歷史新高。圖為京元電董事長李金恭。 記者何易霖／攝影 二線封測廠接單熱，京元電（2449）第三季轉(zhuǎn)盈后，本季業(yè)績持續(xù)向上，明年?duì)I收將挑戰(zhàn)2007年的歷史新高
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2010年DRAM制造商資本支出將猛增80%
據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測，2010年DRAM制造商資本支出總額將達(dá)到78.5億美元，較2009年的43億美元增長80%。雖然增長迅猛，但較2007年的214億美元還是有一定差距?！ ?011年和2012年全球DRAM制造商資本支出預(yù)算將達(dá)到100億
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存儲器價(jià)格回溫美光虧損11季后首度獲利
美國存儲器大廠美光(Micron)公布2010會計(jì)年度第1季(2009年9~11月)財(cái)報(bào)，由于存儲器價(jià)格回溫，因此在連續(xù)虧損11季之后，終于由虧轉(zhuǎn)盈。第1季營收為17。4億美元，較2009年度同期成長約24%。凈利為2。04億美元，每股盈余
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PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲3%
沈寂已久的DRAM價(jià)格再度動(dòng)起來，存儲器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載存儲器平均容量成長16%至2。92GB，未來消費(fèi)性PC機(jī)種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于
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海力士發(fā)表40納米制程繪圖芯片DRAM
韓國存儲器廠海力士(Hynix)于2009年12月20日發(fā)表40納米制程2GbGDDR5繪圖芯片DRAM，工作頻寬為7Gbps，32位元I/O通道，數(shù)據(jù)處理速率每秒28GB/s，電壓為1。35V。 新推出的GDDR5繪圖DRAM采用海力士40納米制程制造，體積
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好羨慕！臺積電宣布明年起加薪15% 分紅獎(jiǎng)金全年獎(jiǎng)不完
臺積電董事長張忠謀宣布，2010年起全體員工本薪調(diào)漲15%。(巨亨網(wǎng)記者葉小慧攝) 晶圓代工市場競爭激烈，加上分紅制度費(fèi)用化沖擊，臺積電(TSMC；TSM-US；2330-TW)為鞏固人才誘因，董事長暨執(zhí)行長張忠謀今(21)日宣布，
