鑫創(chuàng)MEMS麥克風，明年7月量產(chǎn)

鑫創(chuàng)（3259）看好微機電（MEMS）麥克風市場，歷經(jīng)3年研發(fā)，今年10月推出CMOS MEMS麥克風，目前已進入推廣期，市場傳出，鑫創(chuàng)MEMS麥克風預(yù)計明年元月將送樣客戶認證，預(yù)計7月量產(chǎn)。 鑫創(chuàng)日前表示，MEMS麥克風相較傳統(tǒng)

新型磁傳感器MMC214 MMC3140

型號：MMC214 MMC3140 公司：美新半導體（無錫）有限公司 英文名稱：MEMSIC Semiconductor (WUXI) Co., Ltd. 芯片概述 新型MEMS磁傳感器廣泛用于移動消費類電子產(chǎn)品（如手機）與汽車電子、工業(yè)應(yīng)

電磁兼容性的設(shè)計與測量

1、主要技術(shù)參數(shù)電磁兼容性的設(shè)計是一項復(fù)雜的系統(tǒng)工程。首先要學習并掌握有關(guān)標準及規(guī)范，然后參照實際電磁環(huán)境來提出具體的要求，進而制定技術(shù)和工藝的實施方案。在設(shè)計電子儀器、設(shè)備時。應(yīng)重點考慮電路設(shè)計、隔離

CMOS偽差分E類射頻功率放大器設(shè)計

摘要 分析了E類功放的非理想因素，其中著重分析寄生電感對系統(tǒng)性能的影響，采用偽差分E類功放結(jié)構(gòu)有效地抑制寄生電感的影響。最后基于理想的設(shè)計方程和Load Pull技術(shù)，采用0．18μmCMOS工藝，設(shè)計出高效率的差分E類

硅CMOS技術(shù)可擴展到10nm以下

“硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導地位”。半導體制造技術(shù)國際會議

15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？

在半導體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日，舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏

意法半導體等利用65nm晶圓分析TSV對CMOS電路的影響

法國CEA-LETI公司、法國薩瓦大學（Universite de Savoie）及意法半導體（STMicroelectronics）共同分析了在帶有65nm工藝CMOS電路的硅晶圓上形成TSV（硅貫通孔）時，TSV對CMOS電路特性的影響（演講編號：35.1）。以利

CMOS偽差分E類射頻功率放大器設(shè)計

CMOS偽差分E類射頻功率放大器設(shè)計

三星主題演講:通過導入新技術(shù)，硅CMOS可延長至10nm以下工藝

“硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器（ReRAM）以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導地位”。 半導體制造技術(shù)國際會議“2

基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅(qū)動電路設(shè)計

Verilog HDL語言是IEEE標準的用于邏輯設(shè)計的硬件描述語言，具有廣泛的邏輯綜合工具支持，簡潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器，給出使用Verilog HDL語言設(shè)計的邏輯驅(qū)動電路和仿真結(jié)果。

15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？短講座出現(xiàn)站著的聽眾

在半導體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日（日），舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏輯LSI方面，美國

第三季晶圓價位持續(xù)下跌但幅度已較和緩

根據(jù)Global Semiconductor Alliance (GSA)發(fā)布的報告，今(2010)年第三季晶圓價位持續(xù)下 跌，不過下降的幅度已比前一季和緩。該季八寸與十二寸CMOS晶圓比前一季分別降價0.3%與4 .4%；后者在第二季為3200美元，至第

CMOS自動轉(zhuǎn)換可逆計數(shù)器

采用CMOS門電路的防抖動電路

采用CMOS或非門電路的防抖動電路

CMOS延遲電路（一）電路圖

CMOS延遲電路（二）電路圖

基于Zigbee的CMOS無線射頻芯片的設(shè)計考慮

本文將以笙科電子的2.4GHz IEEE 802.15.4射頻收發(fā)器(適用于Zigbee標準，RF4CE則是基于Zigbee的遙控器應(yīng)用規(guī)范)為例，介紹超低功率CMOS無線射頻芯片的設(shè)計概要，從電路設(shè)計到系統(tǒng)觀點，說明芯片設(shè)計和應(yīng)用過程中需要考

基于Zigbee的CMOS無線射頻芯片的設(shè)計考慮

本文將以笙科電子的2.4GHz IEEE 802.15.4射頻收發(fā)器(適用于Zigbee標準，RF4CE則是基于Zigbee的遙控器應(yīng)用規(guī)范)為例，介紹超低功率CMOS無線射頻芯片的設(shè)計概要，從電路設(shè)計到系統(tǒng)觀點，說明芯片設(shè)計和應(yīng)用過程中需要考

采用CMOS sensor MT9M114行車紀錄器方案（大聯(lián)大）

行車紀錄器于歐美國家甚至日本皆已被廣泛應(yīng)用，大聯(lián)大旗下富威集團結(jié)合旗下代理產(chǎn)線Aptina因應(yīng)趨勢推出采用CMOS sensor MT9M114行車紀錄器方案，破除以往市面機械式行車紀錄器進步至數(shù)字式規(guī)格并擴展車輛各項機件運作