Imec和Coventor在MEMS和IC設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域展開(kāi)合作

領(lǐng)先的MEMS設(shè)計(jì)供應(yīng)商Coventor和納電子研究中心imec共同宣布戰(zhàn)略合作，以改善和拓展CMOS和MEMS集成技術(shù)的設(shè)計(jì)與制造。合作將包括雙方研發(fā)路線的統(tǒng)一，及研究?jī)?nèi)容的互補(bǔ)。雙方將共同為imec的SiGe MEMS-above-IC工藝開(kāi)

Black Sand推出首個(gè)3G CMOS功率放大器產(chǎn)品系列

鑒于GaAs功率放大器（PA）技術(shù)長(zhǎng)期存在的供應(yīng)短缺和成本構(gòu)成更高的問(wèn)題，移動(dòng)設(shè)備制造商們正在尋求一種能替代GaAs功率放大器技術(shù)的產(chǎn)品。在射頻功率放大器領(lǐng)域，存在工藝之爭(zhēng)，包括主流的GaAs，欲取而代之的SiGe和CM

采用噪聲消除技術(shù)的3～5 GHz CMOS超寬帶LNA設(shè)計(jì)

本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工藝,設(shè)計(jì)了可以工作于3～5 GHz頻段的超寬帶低噪聲放大器。對(duì)電路的輸入匹配和增益進(jìn)行了分析,對(duì)噪聲消除技術(shù)進(jìn)行了推導(dǎo)。仿真結(jié)果表明,該放大器在工作頻帶內(nèi)的各項(xiàng)指標(biāo)滿足超寬帶系統(tǒng)應(yīng)用。

瑞薩通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)CMOS實(shí)現(xiàn)28nm工藝DRAM混載技術(shù)

瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)（圖1）。該項(xiàng)技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC（SystemonaChip）生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。瑞薩電子計(jì)劃通過(guò)該項(xiàng)技術(shù)，

CEA-Leti將啟動(dòng)專門(mén)用于三維積層技術(shù)的300mm研發(fā)生產(chǎn)線

法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti于2011年1月19日（當(dāng)?shù)貢r(shí)間）宣布，將在本月內(nèi)啟動(dòng)專門(mén)用于三維積層技術(shù)研發(fā)和試制的300mm生產(chǎn)線。該機(jī)構(gòu)表示，構(gòu)建專門(mén)用于三維積層技術(shù)的研發(fā)生產(chǎn)線“在歐洲尚屬首次”。 據(jù)悉，此次生產(chǎn)線

聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)研發(fā)有成　預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，聯(lián)電)日前宣布成功為客戶產(chǎn)出微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)感測(cè)器晶片，預(yù)計(jì)于今年進(jìn)入量產(chǎn)；該公司表示其三年來(lái)投入 CMOS-MEMS 技術(shù)的研發(fā)，終于獲得豐碩的成果。

聯(lián)電MEMS感測(cè)芯片　邁入量產(chǎn)

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開(kāi)發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測(cè)芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

首個(gè)3G CMOS功率放大器產(chǎn)品系列(Black Sand)

Black Sand科技有限公司日前宣布：公司已推出兩條新的3G CMOS射頻功率放大器(PA)產(chǎn)品線，它們顯著地提升各種手機(jī)、平板電腦和數(shù)據(jù)卡的可靠性和數(shù)據(jù)傳輸量。該產(chǎn)品系列包括6個(gè)特別的、覆蓋多個(gè)頻段的功率放大器。其BS

高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計(jì)

混頻器是無(wú)線收發(fā)機(jī)中的核心模塊， 對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個(gè)混頻器性能的重要指標(biāo)。 在接收機(jī)中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級(jí)模塊設(shè)計(jì)的難度， 有利

聯(lián)電MEMS感測(cè)芯片成功產(chǎn)出

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開(kāi)發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測(cè)芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

聯(lián)電MEMS感測(cè)芯片　邁入量產(chǎn)

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開(kāi)發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測(cè)芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

聯(lián)電成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測(cè)晶片

聯(lián)電(2303)今(19)日宣布成功產(chǎn)出微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）感測(cè)晶片，預(yù)計(jì)于今年進(jìn)入量產(chǎn)，投入約3年的CMOS-MEMS技術(shù)的研發(fā)，終于開(kāi)花結(jié)果。 聯(lián)電表示，使用該款CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克

用CMOS電路構(gòu)成的非編碼觸摸鍵盤(pán)

法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti提升三維芯片封裝能力

法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti最近開(kāi)始提升其三維芯片封裝的生產(chǎn)能力，CEA-Leti在Grenoble 有一條300 mm 的CMOS 研發(fā)型生產(chǎn)線，目前專門(mén)用于三維芯片封裝的試驗(yàn)。CEA-Leti 稱他們已經(jīng)可以向客戶提供 200 和 300 mm 晶圓的多種

蘇州固锝收購(gòu)明銳光電 獲130項(xiàng)物聯(lián)網(wǎng)專利

蘇州固锝今日公告，2010年12月30日，公司和探微科技股份有限公司在香港簽署了《關(guān)于MiradiaInc.(明銳光電股份[43.170.30%]有限公司)全部股權(quán)的轉(zhuǎn)讓協(xié)議》，擬以360萬(wàn)美元(約2400萬(wàn)元人民幣)，收購(gòu)明銳光電100%的股權(quán)

搶CMOS MEMS商機(jī)　矽創(chuàng)加速度計(jì)將上市

互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體制程的微機(jī)電系統(tǒng)(CMOS MEMS)因能整合多元化功能，故掀起市場(chǎng)熱潮，國(guó)內(nèi)不僅臺(tái)積電、聯(lián)電兩大半導(dǎo)體龍頭競(jìng)相投入研發(fā)，不少晶圓代工、MEMS廠商也對(duì)此市場(chǎng)亦躍躍欲試，日前，矽創(chuàng)電子即證實(shí)將

基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計(jì)數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對(duì)D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn)，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨(dú)特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測(cè)電路，對(duì)脈沖信號(hào)的寬度進(jìn)行識(shí)別

鑫創(chuàng)搶推高整合CMOS MEMS麥克風(fēng)

為力抗國(guó)外大廠如樓氏(Knowles)，鑫創(chuàng)繼2010年10月發(fā)表互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體制程的微機(jī)電系統(tǒng)(CMOS MEMS)麥克風(fēng)后，著眼于類比MEMS麥克風(fēng)干擾多，遂使筆記型電腦、手機(jī)對(duì)于數(shù)位化MEMS需求升溫，預(yù)計(jì)2011年第四季將

Sony宣布買回東芝半導(dǎo)體工廠 增產(chǎn)CMOS感測(cè)器

Sony24日于日股收盤(pán)后發(fā)布新聞稿宣布，已與東芝(Toshiba)簽署了基本合意書(shū)，將自東芝手中買回位于長(zhǎng)崎縣的半導(dǎo)體工廠；之后雙方并將于今年度內(nèi)(2011年3月底前)簽署正式契約，并預(yù)計(jì)于2011年度初期實(shí)施買回動(dòng)作。據(jù)外

媲美MEMS IDM　臺(tái)商力拚CMOS MEMS

不讓歐、美微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)業(yè)者專美于前，國(guó)內(nèi)臺(tái)積電、聯(lián)電兩大半導(dǎo)體龍頭，以及其他MEMS廠商正戮力開(kāi)發(fā)補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)MEMS，期能透過(guò)晶片商上、中、下游的合作，與國(guó)外整合元件制造商(IDM)并駕齊