基于多數(shù)決定邏輯非門的低功耗全加器設(shè)計(jì)

全加器是算術(shù)運(yùn)算的基本單元，提高一位全加器的性能是提高運(yùn)算器性能的重要途徑之一。首先提出多數(shù)決定邏輯非門的概念和電路設(shè)計(jì)，然后提出一種基于多數(shù)決定邏輯非門的全加器電路設(shè)計(jì)。該全加器僅由輸入電容和CMOS反向器組成，較少的管子、工作于極低電源電壓、短路電流的消除是該全加器的三個(gè)主要特征。對這種新的全加器，用PSpice進(jìn)行了晶體管級模擬。結(jié)果顯示，這種新的全加器能正確完成加法器的邏輯功能。

GlobalFoundries進(jìn)軍大規(guī)模MEMS制造

GlobalFoundries宣布與SVTCTechnologies合作，加速大規(guī)模MEMS制造的進(jìn)程，目標(biāo)是成為MEMS代工業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。GlobalFoundries表示要將其MEMS工藝發(fā)展成類似于CMOS的標(biāo)準(zhǔn)工藝。

GlobalFoundries進(jìn)軍大規(guī)模MEMS制造

GlobalFoundries宣布與SVTC Technologies合作，加速大規(guī)模MEMS制造的進(jìn)程，目標(biāo)是成為MEMS代工業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。GlobalFoundries表示要將其MEMS工藝發(fā)展成類似于CMOS的標(biāo)準(zhǔn)工藝。相關(guān)鏈接：http://www.edn.com/article/51

全球晶圓SVTC搶進(jìn)MEMS

全球晶圓(Globalfoundries)積極布局微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS)領(lǐng)域。全球晶圓今天宣布，與SVTC結(jié)盟，期能加速M(fèi)EMS量產(chǎn)制造。 全球晶圓表示，MEMS應(yīng)用廣泛，包括車用傳感器、噴墨打印機(jī)、高階智能型手機(jī)及游戲控制器等，是

GLOBALFOUNDRIES聯(lián)盟SVTC加速M(fèi)EMS量產(chǎn)

GLOBALFOUNDRIES今天宣布與SVTC 技術(shù)公司結(jié)成戰(zhàn)略聯(lián)盟，加速進(jìn)行微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的量產(chǎn)制造。這項(xiàng)合作著重于技術(shù)開發(fā)合作，將有助GLOBALFOUNDRIES達(dá)成目標(biāo)，成為MEMS晶圓廠的領(lǐng)導(dǎo)者。微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是半導(dǎo)體市場成

采用單一CMOS的電感測試儀的制作方案

這個(gè)測試儀的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益，這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信

一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準(zhǔn)電流進(jìn)行動態(tài)電流反饋補(bǔ)償，設(shè)計(jì)了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25～+120℃范圍的溫度系數(shù)為7．427pp-m／℃，在27℃時(shí)電源電壓抑制比達(dá)82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。

3G手機(jī)需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求

從去年至目前為止，3G RF所需的功率放大器(Power Amplifier, PA)始終面臨缺貨的情況，究其原因，主要是由于低價(jià)手機(jī)盛行、智能型手機(jī)熱 賣與行動上網(wǎng)需求激增，導(dǎo)致PA用量大增，PA業(yè)者供應(yīng)不及。這是3G相關(guān)業(yè)者在進(jìn)行

D觸發(fā)器組成遞增式顯示控制電路圖

遞增顯示也是將靜態(tài)顯示變?yōu)閯討B(tài)顯示，它和交替式不同的是逐級遞增。圖中所示是用CMOS電路D觸發(fā)器組成的遞增式顯示控制電路，圖示線路當(dāng)R復(fù)位后，所有觸發(fā)器均均置“0”即

D觸發(fā)器組成交替式顯示控制電路圖

交替顯示就是將靜態(tài)顯示變?yōu)閯討B(tài)顯示，圖中所示是用CMOS電路D觸發(fā)器組成的交替顯示的控制電路。

3G手機(jī)需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求

3G手機(jī)需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求

液晶顯示用的CMOS驅(qū)動電路

CMOS邏輯探頭電路

臺積電宣布已開發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程

據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報(bào)道，臺積電公司近日宣稱已經(jīng)開發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個(gè)CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種

CMOS攝像器件控制電路

GSA指出第二季晶圓價(jià)格下滑

全球半導(dǎo)體協(xié)會（GlobalSemiconductor Alliance，GSA）最新調(diào)查指出，2010年第二季的晶圓價(jià)格（wafer prices）出現(xiàn)下滑，其中，第二季8吋CMOS制程晶圓制造平均價(jià)格較上一季下跌了9.5%，至于12吋CMOS制程晶圓制造

GSA：第二季晶圓制造、光罩價(jià)格出現(xiàn)小幅下跌

根據(jù)全球半導(dǎo)體協(xié)會(Global Semiconductor Alliance，GSA)的最新調(diào)查結(jié)果，相較于前一季的產(chǎn)能吃緊、價(jià)格上漲，2010年第二季的晶圓價(jià)格(wafer prices)出現(xiàn)下滑趨勢。GSA的數(shù)據(jù)顯示，第二季 8吋 CMOS制程晶圓制造平

光電打靶玩具電路圖

一個(gè)滑稽可笑的貓頭鷹，當(dāng)用光電槍擊中其腹部的靶心時(shí)，它的兩眼閃閃發(fā)光，且會發(fā)出悅耳的“嘟哩、嘟哩”的叫聲。五秒鐘后，它又會啟動停止發(fā)光和叫聲。本文介紹這個(gè)玩具的制作方法，它只用一塊CMOS數(shù)字集

基于靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)

　　O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會導(dǎo)致漏

用CMOS門電路作微功耗放大電路圖

CMOS數(shù)字集成電路具有輸入阻抗高、低功耗、電源電壓范圍廣以及輸出電壓擺帳大等優(yōu)點(diǎn)。除了在數(shù)字化裝置中廣泛應(yīng)用外，亦可用于線性電路，發(fā)揮它低功耗的特點(diǎn)。