如何構(gòu)建基于一個CMOS單防區(qū)報警器

　如何構(gòu)建基于一個CMOS單防區(qū)報警器　　說明　　該電路具有自動出入延誤 - 計時鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置。它為常開和常閉開關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊，磁簧接觸，鋁箔膠帶，PIRs和慣性傳感器)?！　∪绻G

ZH-3照相機集成電路的應(yīng)用電路圖

ZH-3是一塊主要用于照相機,曝光表及光度計等作電測光用的集成電路.它包含了輸入偏置恒流源,電平跟隨器及三狀態(tài)LED顯示驅(qū)動電路等功能.具有工作電壓低,功耗小,輸出電流大,能與CMOS,TTL電路直接接口,靈敏度可調(diào)及外圍電

基于多數(shù)決定邏輯非門的低功耗全加器設(shè)計

全加器是算術(shù)運算的基本單元，提高一位全加器的性能是提高運算器性能的重要途徑之一。首先提出多數(shù)決定邏輯非門的概念和電路設(shè)計，然后提出一種基于多數(shù)決定邏輯非門的全加器電路設(shè)計。該全加器僅由輸入電容和CMOS反向器組成，較少的管子、工作于極低電源電壓、短路電流的消除是該全加器的三個主要特征。對這種新的全加器，用PSpice進行了晶體管級模擬。結(jié)果顯示，這種新的全加器能正確完成加法器的邏輯功能。

光罩總座陳碧灣 讓公司年年賺錢

臺灣光罩總經(jīng)理陳碧灣堪稱是臺灣光罩產(chǎn)業(yè)中最老牌的總經(jīng)理，在員工眼中，陳碧灣是個講求紀(jì)律、展現(xiàn)持之以恒毅力的專業(yè)經(jīng)理人，在他的領(lǐng)導(dǎo)下，臺灣光罩得以維持年年賺錢的不虧損紀(jì)錄。 O型天蝎座的陳碧灣，在臺灣

如何建立一個更簡單的CMOS單防區(qū)報警

　如何建立一個更簡單的CMOS單防區(qū)報警器說明　　這是一個簡單的單區(qū)防盜報警電路。它的功能包括自動出入境延誤和定時貝爾/警報器停產(chǎn)。它的設(shè)計是與常閉類型的輸入設(shè)備的正常使用，例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動開關(guān)

如何構(gòu)建基于一個CMOS單防區(qū)報警器

　如何構(gòu)建基于一個CMOS單防區(qū)報警器　　說明　　該電路具有自動出入延誤 - 計時鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置。它為常開和常閉開關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊，磁簧接觸，鋁箔膠帶，PIRs和慣性傳感器)?！　∪绻G

基于多數(shù)決定邏輯非門的低功耗全加器設(shè)計

全加器是算術(shù)運算的基本單元，提高一位全加器的性能是提高運算器性能的重要途徑之一。首先提出多數(shù)決定邏輯非門的概念和電路設(shè)計，然后提出一種基于多數(shù)決定邏輯非門的全加器電路設(shè)計。該全加器僅由輸入電容和CMOS反向器組成，較少的管子、工作于極低電源電壓、短路電流的消除是該全加器的三個主要特征。對這種新的全加器，用PSpice進行了晶體管級模擬。結(jié)果顯示，這種新的全加器能正確完成加法器的邏輯功能。

GlobalFoundries進軍大規(guī)模MEMS制造

GlobalFoundries宣布與SVTCTechnologies合作，加速大規(guī)模MEMS制造的進程，目標(biāo)是成為MEMS代工業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。GlobalFoundries表示要將其MEMS工藝發(fā)展成類似于CMOS的標(biāo)準(zhǔn)工藝。

GlobalFoundries進軍大規(guī)模MEMS制造

GlobalFoundries宣布與SVTC Technologies合作，加速大規(guī)模MEMS制造的進程，目標(biāo)是成為MEMS代工業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。GlobalFoundries表示要將其MEMS工藝發(fā)展成類似于CMOS的標(biāo)準(zhǔn)工藝。相關(guān)鏈接：http://www.edn.com/article/51

全球晶圓SVTC搶進MEMS

全球晶圓(Globalfoundries)積極布局微機電系統(tǒng) (MEMS)領(lǐng)域。全球晶圓今天宣布，與SVTC結(jié)盟，期能加速MEMS量產(chǎn)制造。 全球晶圓表示，MEMS應(yīng)用廣泛，包括車用傳感器、噴墨打印機、高階智能型手機及游戲控制器等，是

GLOBALFOUNDRIES聯(lián)盟SVTC加速MEMS量產(chǎn)

GLOBALFOUNDRIES今天宣布與SVTC 技術(shù)公司結(jié)成戰(zhàn)略聯(lián)盟，加速進行微機電系統(tǒng)(MEMS)的量產(chǎn)制造。這項合作著重于技術(shù)開發(fā)合作，將有助GLOBALFOUNDRIES達成目標(biāo)，成為MEMS晶圓廠的領(lǐng)導(dǎo)者。微機電系統(tǒng)(MEMS)是半導(dǎo)體市場成

采用單一CMOS的電感測試儀的制作方案

這個測試儀的基礎(chǔ)是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益，這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信

一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計

提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準(zhǔn)電流進行動態(tài)電流反饋補償，設(shè)計了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25～+120℃范圍的溫度系數(shù)為7．427pp-m／℃，在27℃時電源電壓抑制比達82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。

3G手機需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求

從去年至目前為止，3G RF所需的功率放大器(Power Amplifier, PA)始終面臨缺貨的情況，究其原因，主要是由于低價手機盛行、智能型手機熱 賣與行動上網(wǎng)需求激增，導(dǎo)致PA用量大增，PA業(yè)者供應(yīng)不及。這是3G相關(guān)業(yè)者在進行

D觸發(fā)器組成遞增式顯示控制電路圖

遞增顯示也是將靜態(tài)顯示變?yōu)閯討B(tài)顯示，它和交替式不同的是逐級遞增。圖中所示是用CMOS電路D觸發(fā)器組成的遞增式顯示控制電路，圖示線路當(dāng)R復(fù)位后，所有觸發(fā)器均均置“0”即

D觸發(fā)器組成交替式顯示控制電路圖

交替顯示就是將靜態(tài)顯示變?yōu)閯討B(tài)顯示，圖中所示是用CMOS電路D觸發(fā)器組成的交替顯示的控制電路。

3G手機需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求

3G手機需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求

液晶顯示用的CMOS驅(qū)動電路

CMOS邏輯探頭電路

臺積電宣布已開發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程

據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報道，臺積電公司近日宣稱已經(jīng)開發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種