CMOS
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Imec與臺(tái)積電合作40奈米制程技術(shù)
歐洲半導(dǎo)體研究所Imec與臺(tái)積電共同宣布，將Europractice IC拓展至臺(tái)積電40奈米的制程技術(shù)。透過這項(xiàng)這項(xiàng)合作，將可透過提供臺(tái)積電晶圓共乘(Cybershuttle)多重計(jì)劃晶圓給歐洲的公司與學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)。 這項(xiàng)合作包括臺(tái)積
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高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)
引言 本文采用±5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的使用
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CMOS雙向開關(guān)工作原理
CMOS雙向開關(guān)也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關(guān)產(chǎn)品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優(yōu)良，使用方便且成本低。每個(gè)開關(guān)只有一個(gè)控制端和兩互為輸入/輸出信號(hào)端，
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高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)
引言 本文采用±5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的使用
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CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機(jī)”夢(mèng)受阻
在基帶、電源管理和射頻收發(fā)等關(guān)鍵器件相繼被CMOS工藝集成后，采用砷化鎵工藝的功率放大器（PA），成為CMOS工藝通向真正的“單芯片手機(jī)”的最后堡壘。多家初創(chuàng)公司一直致力用CMOSPA替代砷化鎵PA，其中AXIOM已經(jīng)在2G手
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音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計(jì)
完成了一種橋式連接音頻功率放大器的仿真和設(shè)計(jì)。該音頻功率放大器的主體為橋式連接的兩個(gè)運(yùn)算放大器，使用盡可能小的外部組件提供高質(zhì)量的輸出功率，不需要輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網(wǎng)絡(luò)。應(yīng)用Cadence的Spectre模擬仿真工具進(jìn)行電路仿真，得到其電路指標(biāo)如頻響特性、電源電壓抑制比、總諧波失真等均達(dá)到要求。該音頻功率放大器具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。
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IMEC與臺(tái)積電進(jìn)行后CMOS合作
IMEC總裁Luc van den Hove表示為了開發(fā)新型的混合工藝技術(shù)(沿著后摩爾定律), 它的研究所決定與臺(tái)積電進(jìn)行合作。盡管IMEC己經(jīng)與諸多先進(jìn)芯片制造廠在CMOS材料與工藝方面進(jìn)行合作, 但是仍需要有大量的創(chuàng)新應(yīng)用來推動(dòng)CM
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用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)
0 引言現(xiàn)代便攜式數(shù)碼設(shè)備離不開顯示器，而作為顯示器背光源的白光LED(發(fā)光二極管)在很多方面(比如使用壽命，能耗)都有著優(yōu)于傳統(tǒng)CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷陰極熒光燈)數(shù)倍甚至數(shù)十倍的性能，所以，由
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用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)
本文基于對(duì)稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上引入了動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計(jì)的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。
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用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)
0 引言現(xiàn)代便攜式數(shù)碼設(shè)備離不開顯示器，而作為顯示器背光源的白光LED(發(fā)光二極管)在很多方面(比如使用壽命，能耗)都有著優(yōu)于傳統(tǒng)CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷陰極熒光燈)數(shù)倍甚至數(shù)十倍的性能，所以，由
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用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)
0 引言現(xiàn)代便攜式數(shù)碼設(shè)備離不開顯示器，而作為顯示器背光源的白光LED(發(fā)光二極管)在很多方面(比如使用壽命，能耗)都有著優(yōu)于傳統(tǒng)CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷陰極熒光燈)數(shù)倍甚至數(shù)十倍的性能，所以，由
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用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)
本文基于對(duì)稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上引入了動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計(jì)的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。
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用于LED驅(qū)動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)
本文基于對(duì)稱OTA結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上引入了動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償及彌勒補(bǔ)償。新設(shè)計(jì)的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩(wěn)定性。從電路分析和仿真結(jié)果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內(nèi)，其增益高達(dá)60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達(dá)70 dB，系統(tǒng)達(dá)到了較高的性能。
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IMEC讓前TSMC歐洲總裁來加強(qiáng)IC業(yè)務(wù)
歐洲半導(dǎo)體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場(chǎng)發(fā)展?？赡茉蚴浅鲎匝芯克嗟臑楣I(yè)化服務(wù), 并創(chuàng)造應(yīng)有的價(jià)值。顯然近年來其pilot生產(chǎn)線中EUV光刻研發(fā)的 費(fèi)用高聳,也難以為
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全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級(jí)性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求
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IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器
致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器
提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實(shí)現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導(dǎo)致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率，使它很適合驅(qū)動(dòng)大的電容負(fù)載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。
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基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案
LTC2259-16是 16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換器,適用于對(duì)高頻寬動(dòng)態(tài)范圍的信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化.它的SNR為73.1dB,SFDR為88dB,單電源1.8V工作,功率89mW,具有CMOS, DDR CMOS 或DDR LVDS輸出,可選擇的輸入范圍從1VP-P 到 2VP-P,主要用于通信,蜂
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基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計(jì)
摘 要： 基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。仿真結(jié)果表明，該放大器具有良好的性能
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世界先進(jìn)首季營收年增111%
受惠于驅(qū)動(dòng)IC廠積極回補(bǔ)庫存，世界先進(jìn)首季營收回升，金額達(dá)新臺(tái)幣35.74億元，較上季成長(zhǎng)約14%，更較2009年同期大幅成長(zhǎng)111.58%，法人推估，隨著晶圓出貨量增加，并持續(xù)受惠來自臺(tái)積電的轉(zhuǎn)單，可望帶動(dòng)世界先進(jìn)第2季
