GM3044型CMOS遙控紅外發(fā)射器電路

GM3043型CMOS遙控紅外發(fā)射器電路

圖像傳感器加快視頻監(jiān)控高清化腳步

視頻監(jiān)控在生活中、安防中、交通中都占有重要地位，起著重要作用。視頻監(jiān)控高清化也逐漸成為近幾年來的熱點(diǎn)，但如何才能進(jìn)步實(shí)現(xiàn)視頻監(jiān)控高清化呢？圖像傳感器的發(fā)展很重要。圖像傳感器技術(shù)目前已經(jīng)取得顯著進(jìn)步，這

LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法

外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激

拆解揭露驚天內(nèi)情，尼康CMOS設(shè)計(jì)“偷師”索尼！

近日國外chipworks.com網(wǎng)站對尼康D7000進(jìn)行拆解，對D7000 CMOS研究后發(fā)現(xiàn)“SONY”字樣，證實(shí)這款相機(jī)采用索尼產(chǎn)Sony IMX071。 D7000 CMOS上索尼標(biāo)記 隨后小編又在該網(wǎng)站查詢到，尼康一些單反相機(jī)的CMOS信

CMOS隔離器在醫(yī)療設(shè)備中的典型應(yīng)用

典型醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用 ? 圖2：心電圖（ECG）前端 心電圖應(yīng)用 圖2顯示了一個(gè)心電圖（ECG）前端框圖，來自設(shè)備放大器的模擬輸出經(jīng)過高通濾波器，然后通過串行ADC轉(zhuǎn)換成數(shù)字格式。轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)通過增強(qiáng)型（5kV）數(shù)字隔離器

MEMS是否真的會走上CMOS的演進(jìn)路線

MEMS市場2010年強(qiáng)勁增長，營業(yè)收入同比增長18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場新一輪兩位數(shù)增長周期的開始，其增長趨勢將持續(xù)到2014年。2011年，MEMS產(chǎn)業(yè)的主要增長動(dòng)力將是消費(fèi)電子和手

勝開封裝技術(shù) 大廠肯定

隨著智能型手機(jī)及Tablet PC快速的增長，勝開科技CMOS image sensor也跟著大幅被采用，該公司走利基型封裝策略，在image sensor及MEMS封裝另闢藍(lán)海，跨入產(chǎn)業(yè)最為當(dāng)紅手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等進(jìn)入障礙較高的產(chǎn)業(yè)，毛利率高于

Diodes推出高速CMOS邏輯器件

21ic訊 Diodes公司推出完整的先進(jìn)高速CMOS邏輯器件系列，實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有同類高速CMOS邏輯器件更優(yōu)越的功耗和開關(guān)速度。全新74AHC1Gxx邏輯系列的工作電壓為2.0V至5.5V，可輕易替代用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件

MEMS是否會走CMOS的演進(jìn)路線

MEMS市場2010年強(qiáng)勁增長，營業(yè)收入同比增長18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場新一輪兩位數(shù)增長周期的開始，其增長趨勢將持續(xù)到2014年。2011年，MEMS產(chǎn)業(yè)的主要增長動(dòng)力將是消費(fèi)電子和手

鑫創(chuàng)CMOS MEMS麥克風(fēng)下半年量產(chǎn)

國科會19日舉辦晶片系統(tǒng)成果發(fā)表會，NAND Flash控制晶片廠鑫創(chuàng)(3259)總經(jīng)理胡定中親自說明公司以CMOS MEMS麥克風(fēng)設(shè)計(jì)及制程專利成果，并宣布已經(jīng)完成產(chǎn)品開發(fā)，并計(jì)劃于今年下半年量產(chǎn)，預(yù)估到今年底，該產(chǎn)品將有機(jī)會

GlobalFoundries進(jìn)軍MEMS市場

MEMS市場2010年強(qiáng)勁增長，營業(yè)收入同比增長18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場新一輪兩位數(shù)增長周期的開始，其增長趨勢將持續(xù)到2014年。2011年，MEMS產(chǎn)業(yè)的主要增長動(dòng)力將是消費(fèi)電子和手

應(yīng)用于頻率合成器的寬分頻比CMOS可編程分頻器設(shè)計(jì)

提出一種應(yīng)用于射頻頻率合成器的寬分頻比可編程分頻器設(shè)計(jì)。該分頻器采用脈沖吞吐結(jié)構(gòu)，可編程計(jì)數(shù)器和吞脈沖計(jì)數(shù)器都采用改進(jìn)的CMOS源極耦合(SCL)邏輯結(jié)構(gòu)的模擬電路實(shí)現(xiàn)，相對于采用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)降低了電路的噪聲和減少了版圖面積。同時(shí)，對可編程分頻器中的檢測和置數(shù)邏輯做了改進(jìn)，提高分頻器的工作頻率及穩(wěn)定性。最后，采用TSMC的0．13／μm CMOS工藝，利用Cadence Spectre工具進(jìn)行仿真，在4．5 GHz頻率下，該分頻器可實(shí)現(xiàn)200～515的分頻比，整個(gè)功耗不超過19 mW，版圖面積為106 μm×187μm。

GLOBALFOUNDRIES參加IMEC研發(fā)項(xiàng)目，將開發(fā)22nm CMOS及GaN on Si技術(shù)

比利時(shí)IMEC宣布，美國GLOBALFOUNDRIES公司將參加該研究所的研發(fā)項(xiàng)目。發(fā)布資料顯示，GLOBALFOUNDRIES已在有關(guān)（1）22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)、（2）硅（Si）上氮化鎵（GaN）技術(shù)（GaN on Si技術(shù)）的戰(zhàn)略性長期合作協(xié)議上

Globalfoundries與IMEC簽署亞22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS合作計(jì)劃

擁有阿拉伯財(cái)閥背景的Globalfoundries公司最近與歐洲半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)，比利時(shí)的IMEC簽署了一項(xiàng)關(guān)于在亞22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)和硅上氮化鎵（GaN-on-Si：可用于制造固態(tài)照明器件，功率器件和射頻電路器件等）技術(shù)結(jié)成長

GlobalFoundries和imec共同研發(fā)22nm節(jié)點(diǎn)以下CMOS技術(shù)

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商之一GlobalFoundries與納電子研發(fā)中心imec簽署了一項(xiàng)長期的戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)22nm節(jié)點(diǎn)以下CMOS技術(shù)以及GaN-on-Si技術(shù)。

一種基于PWM的CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

摘要：為解決PWM控制器中輸出電壓與基準(zhǔn)電壓的誤差放大問題，設(shè)計(jì)了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器，通過在二級放大器中間增加一級緩沖電路，克服補(bǔ)償電容的前饋效應(yīng)，同時(shí)消除補(bǔ)償電容引入的零點(diǎn)。

0．6 V CMOS軌至軌運(yùn)算放大器

摘要：為適應(yīng)低壓低功耗設(shè)計(jì)的應(yīng)用，設(shè)計(jì)了一種超低電源電壓的軌至軌CMOS運(yùn)算放大器。采用N溝道差分對和共模電平偏移的P溝道差分對來實(shí)現(xiàn)軌至軌信號輸入。當(dāng)輸入信號的共模電平處于中間時(shí)，P溝道差分對的輸入共模電平

Aptina 1.1微米背照式制程

胡皓婷 全球CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor；CIS)大廠Aptina積極布局相關(guān)市場，預(yù)期至2012年起，1,200萬畫素CIS將成為下一代趨勢。為符合終端需求，Aptina在1.4微米產(chǎn)品外，再推出1.1微米背照式(Backside Illumin

電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器的CMOS誤差放大器設(shè)計(jì)

結(jié)合電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器的工作要求，從減小輸出電壓紋波、穩(wěn)定輸出電壓出發(fā)，設(shè)計(jì)了一款誤差放大器。該誤差放大器具有較大的工作電壓范圍，使電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器高效率低噪聲工作?；贑HRT 0．35μm CMOS MIXEDSIGNAL TECHNOLOGY進(jìn)行仿真，結(jié)果表明，在2．7～5 V工作電壓范圍內(nèi)，開環(huán)電壓增益約等于72 dB，相位裕度約等于65°，單位增益帶寬約等于4．6 MHz，共模抑制比CMRR約等于113 dB，電源抑制比PSRR約等于100 dB。