2021年Intel在半導體芯片上有個戰(zhàn)略轉變,除了自建工廠生產自家處理器之外,還要重新進入代工市場,同時也加強與晶圓代工廠的合作,此前有消息稱他們已經拿了臺積電3nm一半產能,現在又要跟臺積電合作開發(fā)2nm工藝。
中國臺灣省多個當地媒體報道稱,臺積電公司總裁魏哲家表示,臺積電近年在新竹、臺南、高雄都積極擴廠投資,為考量產能的平衡以及風險的分散,臺中一定是擴廠的選擇之一。
在先進半導體工藝上,臺積電目前是無可爭議的老大,Q3季度占據全然53%的晶圓代工份額,三星位列第二,但份額只有臺積電的1/3,所以三星押注了下一代工藝,包括3nm及未來的2nm工藝。
IBM中國日前發(fā)布視頻,題為《YYDS!IBM發(fā)布全球首個2nm芯片》。
這兩年,臺積電、三星在先進工藝上你追我趕,下一步比拼的就是3nm、2nm。
昨天,Intel公布了全新的CPU工藝路線圖,7、4、3、20A、18A制程以及各種封裝技術輪番登場,還宣布將為亞馬遜、高通提供代工服務。
日前,IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。
據摩爾定律延續(xù),由14nm,7nm,再到5nm,芯片制程工藝技術一直在突破。在5nm剛剛起步實現大規(guī)模突破的時候,臺積電對于2nm芯片工藝技術的研發(fā)就已經實現重大突破,并開始向1nm制程邁進。
據臺媒透露,有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管(FinFET)架構,臺積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管(MBCFET)架構,研發(fā)進度超前。根據臺積電近年來整個先進制程的布局,業(yè)界估計,臺積電2nm將在2023下半年推出,有助于其未來持續(xù)拿下蘋果、輝達等大廠先進制程大單,狠甩三星。
8月26日消息,據臺灣媒體報道,臺積電正規(guī)劃建2nm及3nm廠,未來資本支出有望高達新臺幣1.2兆元(約合人民幣2822億元),臺積電供應商漢唐、帆宣將受惠。 臺積電 臺積電昨日在技術論壇說明最新建
根據臺灣經濟日報報道,近日臺積電在2nm研發(fā)上取得重大突破,目前已找到路徑,將切入全環(huán)柵場效應晶體管GAA,這是臺積電繼從鰭式場效應晶體管FinFET技術取得全球領先地位之后,向另一全新的技術節(jié)點邁進
7月13日消息,據臺灣媒體報道,臺積電沖刺先進制程,在2nm研發(fā)有重大突破,已成功找到路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(gate-all-around,簡稱GAA)技術。 臺積電 臺媒稱,三星已決定在3n
據報道,臺積電在 2nm 研發(fā)有重大突破,并且已成功找到路徑,臺積電2nm預計將在2023至2024推出,該技術為切入環(huán)繞式柵極技術 (gate-all-around,簡稱 GAA技術)。盡管5nm剛實現量產不久,臺積電和三星就開始瞄準更先進的制程。
據7月13日消息,臺灣媒體報道,臺積電沖刺先進制程,在2nm研發(fā)有重大突破,已成功找到路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(gate-all-around,簡稱GAA)技術。
根據臺積電的規(guī)劃,他們今年上半年就會量產5nm EUV工藝,下半年產能會提升到7-8萬片晶圓/月,今年的產能主要是供給蘋果和華為。臺積電的3nm工藝工藝今年也會啟動建設,三星更是搶先宣布了3nm GA
近日,中科院對外宣布,中國科學家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術候選。這意味著此項技術成熟后,國產2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。 目前最為先進的
隨著高通驍龍865使用臺積電N7+工藝量產,臺積電的7nm工藝又多了一個大客戶,盡管三星也搶走了一部分7nm EUV訂單,不過整體來看臺積電在7nm節(jié)點上依然是搶占了最多的客戶訂單,遠超三星。 接下來
11月2日,全球第一大晶圓代工廠臺積電舉行了公司成立33周年慶典,董事長、聯席CEO劉德音談到了臺積電的先進工藝規(guī)劃,最先進的2nm工藝也進入了先導規(guī)劃中,明年則會量產5nm工藝。 劉德音談到了臺積電
在今天開幕的科技創(chuàng)新論壇會議上,臺積電研發(fā)負責人、技術研究副總經理黃漢森除了探討未來半導體工藝延續(xù)到0.1nm的可能之外,還宣布了一個重要消息—;—;臺積電已經啟動2nm工藝研發(fā),預計四年后問世。 在
臺積電董事會已經批準了大約65億美元(折合人民幣460億元)的資本撥款投資,將用于新工藝研發(fā)與升級、新工廠建設與產能擴充等等。 臺積電上個月曾披露,今年的資本支出總額將超過110億美元,高于早先預計的