在先進半導體工藝上，臺積電目前是無可爭議的老大，Q3季度占據全然53%的晶圓代工份額，三星位列第二，但份額只有臺積電的1/3，所以三星押注了下一代工藝，包括3nm及未來的2nm工藝。

根據三星的計劃，3nm工藝會放棄FinFET晶體管技術，轉向GAA環(huán)繞柵極，3nm工藝上分為兩個版本，其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產，3GAP(高性能版)則會在2023年年初批量生產。

對比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%，同功耗下性能提高30%，同性能下功耗降低50%。

再往后就是2nm工藝，三星高管日前再次表態(tài)2nm工藝會在2025年量產。

不過具體的工藝指標還沒公布，只知道還是GAA晶體管，跟3nm一樣基于MBCFET(多橋溝道FET)技術，這是一種納米片晶體管，可以垂直堆疊，而且兼容現在的CMOS工藝，共享設備與制造方法，降低了新技術的升級成本。

三星的2nm工藝是一大進步，創(chuàng)新亮點不少，而且跟現在已有的2nm技術不同——此前IBM全球首發(fā)了2nm芯片，指甲蓋大小的面積就可以集成500億晶體管，相比7nm工藝提升了45%的性能或者減少75%的功耗，預計2024年量產。

三星也參與了IBM的2nm技術，然而自己量產的2nm技術跟IBM的2nm并不一樣，后者需要新的生產方法，三星還會依賴自家研發(fā)的2nm技術。