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全球首顆2nm EUV芯片面世
日前，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。
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延續(xù)摩爾定律，臺(tái)積電2nm芯片工藝獲重大突破
據(jù)摩爾定律延續(xù)，由14nm，7nm，再到5nm，芯片制程工藝技術(shù)一直在突破。在5nm剛剛起步實(shí)現(xiàn)大規(guī)模突破的時(shí)候，臺(tái)積電對(duì)于2nm芯片工藝技術(shù)的研發(fā)就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)重大突破，并開始向1nm制程邁進(jìn)。
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臺(tái)積電芯片研發(fā)超前，半導(dǎo)體工藝芯片蝕刻起重要作用
據(jù)臺(tái)媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構(gòu)，臺(tái)積電2nm改采全新的多橋通道場(chǎng)效晶體管(MBCFET)架構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度超前。根據(jù)臺(tái)積電近年來整個(gè)先進(jìn)制程的布局，業(yè)界估計(jì)，臺(tái)積電2nm將在2023下半年推出，有助于其未來持續(xù)拿下蘋果、輝達(dá)等大廠先進(jìn)制程大單，狠甩三星。
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臺(tái)媒：臺(tái)積電規(guī)劃建2nm及3nm廠 供應(yīng)商漢唐帆宣將受惠
8月26日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電正規(guī)劃建2nm及3nm廠，未來資本支出有望高達(dá)新臺(tái)幣1.2兆元（約合人民幣2822億元），臺(tái)積電供應(yīng)商漢唐、帆宣將受惠。 臺(tái)積電 臺(tái)積電昨日在技術(shù)論壇說明最新建
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2nm研發(fā)取得重大突破！臺(tái)積電邁向GAA為什么比三星晚？
根據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，近日臺(tái)積電在2nm研發(fā)上取得重大突破，目前已找到路徑，將切入全環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管GAA，這是臺(tái)積電繼從鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET技術(shù)取得全球領(lǐng)先地位之后，向另一全新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)
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臺(tái)媒：臺(tái)積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
7月13日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱GAA)技術(shù)。 臺(tái)積電 臺(tái)媒稱，三星已決定在3n
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臺(tái)積電邁向GAA，2nm芯片取得重大突破
據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電在 2nm 研發(fā)有重大突破，并且已成功找到路徑，臺(tái)積電2nm預(yù)計(jì)將在2023至2024推出，該技術(shù)為切入環(huán)繞式柵極技術(shù) (gate-all-around，簡(jiǎn)稱 GAA技術(shù))。盡管5nm剛實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)不久，臺(tái)積電和三星就開始瞄準(zhǔn)更先進(jìn)的制程。
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重大突破！臺(tái)積電2nm制程研發(fā)神速：將切入GAA技術(shù)
據(jù)7月13日消息，臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱GAA)技術(shù)。
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臺(tái)積電、三星爭(zhēng)霸2nm工藝：能做出來 就怕沒人用得起
根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，他們今年上半年就會(huì)量產(chǎn)5nm EUV工藝，下半年產(chǎn)能會(huì)提升到7-8萬片晶圓/月，今年的產(chǎn)能主要是供給蘋果和華為。臺(tái)積電的3nm工藝工藝今年也會(huì)啟動(dòng)建設(shè)，三星更是搶先宣布了3nm GA
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中國(guó)CPU芯片將實(shí)現(xiàn)彎道超車 中科院表示國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望破冰
近日，中科院對(duì)外宣布，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。 目前最為先進(jìn)的
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臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)展順利 2nm工藝2024年量產(chǎn)
隨著高通驍龍865使用臺(tái)積電N7+工藝量產(chǎn)，臺(tái)積電的7nm工藝又多了一個(gè)大客戶，盡管三星也搶走了一部分7nm EUV訂單，不過整體來看臺(tái)積電在7nm節(jié)點(diǎn)上依然是搶占了最多的客戶訂單，遠(yuǎn)超三星。 接下來
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臺(tái)積電CEO：2nm工藝已有先導(dǎo)規(guī)劃 將給4萬員工發(fā)紅包
11月2日，全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電舉行了公司成立33周年慶典，董事長(zhǎng)、聯(lián)席CEO劉德音談到了臺(tái)積電的先進(jìn)工藝規(guī)劃，最先進(jìn)的2nm工藝也進(jìn)入了先導(dǎo)規(guī)劃中，明年則會(huì)量產(chǎn)5nm工藝。 劉德音談到了臺(tái)積電
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全球第一 臺(tái)積電宣布研發(fā)2nm工藝 2024年問世
在今天開幕的科技創(chuàng)新論壇會(huì)議上，臺(tái)積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森除了探討未來半導(dǎo)體工藝延續(xù)到0.1nm的可能之外，還宣布了一個(gè)重要消息—;—;臺(tái)積電已經(jīng)啟動(dòng)2nm工藝研發(fā)，預(yù)計(jì)四年后問世。 在
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沖向2nm工藝！臺(tái)積電豪砸460億元
臺(tái)積電董事會(huì)已經(jīng)批準(zhǔn)了大約65億美元(折合人民幣460億元)的資本撥款投資，將用于新工藝研發(fā)與升級(jí)、新工廠建設(shè)與產(chǎn)能擴(kuò)充等等。 臺(tái)積電上個(gè)月曾披露，今年的資本支出總額將超過110億美元，高于早先預(yù)計(jì)的
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臺(tái)積電豪砸460億元擴(kuò)充產(chǎn)能 沖向2nm工藝
臺(tái)積電董事會(huì)已經(jīng)批準(zhǔn)了大約65億美元(折合人民幣460億元)的資本撥款投資，將用于新工藝研發(fā)與升級(jí)、新工廠建設(shè)與產(chǎn)能擴(kuò)充等等。 臺(tái)積電上個(gè)月曾披露，今年的資本支出總額將超過110億美元，高于早先預(yù)計(jì)的
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半導(dǎo)體五年內(nèi)進(jìn)入將2納米，臺(tái)灣欲靠基礎(chǔ)研究突破物理極限
臺(tái)積電10納米量產(chǎn)目前已進(jìn)入量產(chǎn)，2年后將進(jìn)入7納米，不到5年將進(jìn)入3納米、2納米。
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