21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)發(fā)布碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果，助力系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)?strong>太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。

意法半導(dǎo)體已于近日在美國(guó)佛羅里達(dá)州舉辦的2012年國(guó)際太陽(yáng)能展覽會(huì)暨研討會(huì)(Solar Power International 2012)上展出了1200V碳化硅二極管。該產(chǎn)品可取代DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器所用的普通二極管，把太陽(yáng)能光伏板模塊的低壓輸出電能轉(zhuǎn)換成高質(zhì)量的電網(wǎng)電壓AC電能。

作為太陽(yáng)能發(fā)電用二極管的基本材料，碳化硅二極管的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均優(yōu)于普通雙極二極管(silicon bipolar)技術(shù)。碳化硅二極管導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)的轉(zhuǎn)換速度非?？?，而且沒(méi)有普通雙極二極管技術(shù)開(kāi)關(guān)時(shí)的反向恢復(fù)電流。在消除反向恢復(fù)電流效應(yīng)后，碳化硅二極管的能耗降低70%，能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持高能效，并提高設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)工作頻率的靈活性。

意法半導(dǎo)體的1200V碳化硅二極管試驗(yàn)證明，即便負(fù)載和開(kāi)關(guān)頻率很高，逆變器總體能效仍然提高2%。在逆變器的額定生命周期內(nèi)，2%的能效改進(jìn)可讓家庭太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)和大功率發(fā)電站節(jié)省數(shù)兆瓦小時(shí)的寶貴電能。

意法半導(dǎo)體還發(fā)布了碳化硅MOSFET項(xiàng)目的最新進(jìn)展。意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET將是世界首批商用碳化硅MOSFET。因?yàn)橛兄T多優(yōu)點(diǎn)，預(yù)計(jì)將會(huì)取代太陽(yáng)能逆變器中的高壓硅絕緣柵雙極晶體管 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)。 除了比IGBT降低50%的能耗外，碳化硅MOSFET無(wú)需特殊的驅(qū)動(dòng)電路，且工作頻率更高，這讓設(shè)計(jì)人員能夠盡可能減少電源元器件數(shù)量，降低電源成本和尺寸，并提高能效。

碳化硅MOSFET和二極管的其它應(yīng)用包括計(jì)算機(jī)房和數(shù)據(jù)中心用的大型電源和電動(dòng)汽車的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電子系統(tǒng)。