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Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 標準車規(guī)級高隔離反激式變壓器系列
全新變壓器在緊湊組件尺寸中實現(xiàn)卓越的隔離和電氣間隙/爬電距離
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英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
【2024年11月20日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費和工業(yè)開關電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機驅動器。
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資本加速涌入!GaN和SiC時代即將到來
隨著全球科技產業(yè)的飛速發(fā)展，半導體材料作為信息技術的基石，正經歷著前所未有的變革。其中，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表，正憑借其出色的性能吸引著大量資本的涌入。這標志著GaN和SiC時代即將到來，將為電子、通信、能源等多個領域帶來革命性的變化。
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化解第三代半導體的應用痛點：策略與實踐
第三代半導體，以其獨特的寬禁帶特性，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在功率電子、射頻電子和光電子器件領域展現(xiàn)出了巨大的應用潛力。然而，盡管這些材料在性能上遠超傳統(tǒng)半導體，其廣泛應用仍面臨諸多挑戰(zhàn)和痛點。
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解鎖多個“業(yè)界第一”，PI推出全新1700V氮化鎵開關IC
為了填補開關IC市場高壓電源技術的空白，近日PI公司擴充了旗下產品組合，推出了一款額定耐壓為1700V的氮化鎵開關IC——InnoMux?-2 1700V IC，旨在為業(yè)界提供更高能效、更低成本的解決方案。
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CGD和QORVO將徹底改變電機控制解決方案
評估套件具有 Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步電機控制器/驅動器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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Power Integrations推出1700V氮化鎵開關IC， 為氮化鎵技術樹立新標桿
1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實現(xiàn)高于90%的效率， 并通過三路精確調整的輸出提供高達70W的功率
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德州儀器擴大氮化鎵半導體自有制造規(guī)模，產能提升至原來的四倍
德州儀器采用當前先進的 GaN 制造技術，現(xiàn)啟用兩家工廠生產 GaN 功率半導體全系列產品 新聞亮點： 德州儀器增加了 GaN 制造投入，將兩個工廠的 GaN 半導體自有制造產能提升至原來的四倍。 德州儀器基于 GaN 的半導體現(xiàn)已投產上市。 憑借德州儀器品類齊...
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英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化鎵功率半導體優(yōu)化無線功率
【2024年10月21日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關系，后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P，幫助該公司開發(fā)先進的無線功率解決方案，為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。
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英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革
憑借這一突破性的?300 mm GaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長 利用現(xiàn)有的大規(guī)模300 mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產的資本效率 300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平 德國慕尼黑和奧地利菲拉赫2024年9月12日 /美...
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英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革
【2024年9月11日，德國慕尼黑和奧地利菲拉赫訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產環(huán)境中掌握這一突破性技術的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產不僅在技術上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。
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Peregrine 推出支持氮化鎵功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器
在當今快速發(fā)展的通信技術領域，高效、穩(wěn)定的功率放大器及其配套控制設備是確保數(shù)據(jù)傳輸質量和效率的關鍵。近日，Peregrine Semiconductor(派更半導體公司)憑借其強大的技術實力和創(chuàng)新精神，成功推出了兩款支持氮化鎵(GaN)功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器(MPAC)——PE46130和PE46140。這兩款產品的問世，不僅為無線通信、雷達技術等領域的發(fā)展注入了新的活力，還進一步鞏固了Peregrine在射頻解決方案領域的領先地位。
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探索硅摻雜對塊體 GaN 熱導率的影響
寬帶隙半導體材料氮化鎵 (GaN) 具有出色的電氣和光學特性，可用于各種電子和光電設備。然而，與其他半導體相比，其固有熱導率明顯較低。硅摻雜可以顯著影響塊狀氮化鎵 (GaN) 的熱導率。
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什么是氮化鎵充電器?如何選擇氮化鎵充電器?
氮化鎵基發(fā)光二極管，電子學術語，GaN 是一種寬帶隙化合物半導體材料，具有發(fā)射藍光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐堿、耐腐蝕等特點，是繼鍺、硅和砷化鎵之后最主要的半導體材料之一。
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Nexperia將在漢堡投資2億美元
擴大研發(fā)和生產能力，支持未來技術的發(fā)展
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GaN， “鎵”馭全功率 ——高壓大功率應用，氮化鎵前景可期
功率半導體領域已有很多年未發(fā)生系統(tǒng)性技術變革，目前熱門的寬禁帶（WBG）功率器件已經開始占據(jù)自己所“擅長”的市場領域——氮化鎵（GaN）功率器件應用從快充起步已獲得顯著的商業(yè)化進展，EV的逆變器則率先采用了碳化硅（SiC）。
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產
該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術的持續(xù)發(fā)展
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英飛凌榮獲群光電能“氮化鎵戰(zhàn)略合作伙伴獎”
【2024 年 5 月6日，德國慕尼黑和臺灣新北市訊】全球電源供應器制造商及電力電子行業(yè)領導者群光電能 （Chicony Power; TWSE：6412）（以下簡稱群電） 宣布其年度合作伙伴獎項得主，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）脫穎而出，榮獲2023年度“氮化鎵戰(zhàn)略合作伙伴獎”。
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
該SiP系列現(xiàn)已增至三款器件，均使用了Transphorm的SuperGaN，為支持新一代適配器和充電器拓展了功率等級
