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德州儀器擴大氮化鎵半導體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍
德州儀器采用當前先進的 GaN 制造技術，現(xiàn)啟用兩家工廠生產(chǎn) GaN 功率半導體全系列產(chǎn)品 新聞亮點： 德州儀器增加了 GaN 制造投入，將兩個工廠的 GaN 半導體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。 德州儀器基于 GaN 的半導體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。 憑借德州儀器品類齊...
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英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化鎵功率半導體優(yōu)化無線功率
【2024年10月21日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關系，后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P，幫助該公司開發(fā)先進的無線功率解決方案，為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。
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英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革
憑借這一突破性的?300 mm GaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長 利用現(xiàn)有的大規(guī)模300 mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率 300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平 德國慕尼黑和奧地利菲拉赫2024年9月12日 /美...
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英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革
【2024年9月11日，德國慕尼黑和奧地利菲拉赫訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。
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Peregrine 推出支持氮化鎵功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器
在當今快速發(fā)展的通信技術領域，高效、穩(wěn)定的功率放大器及其配套控制設備是確保數(shù)據(jù)傳輸質量和效率的關鍵。近日，Peregrine Semiconductor(派更半導體公司)憑借其強大的技術實力和創(chuàng)新精神，成功推出了兩款支持氮化鎵(GaN)功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器(MPAC)——PE46130和PE46140。這兩款產(chǎn)品的問世，不僅為無線通信、雷達技術等領域的發(fā)展注入了新的活力，還進一步鞏固了Peregrine在射頻解決方案領域的領先地位。
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探索硅摻雜對塊體 GaN 熱導率的影響
寬帶隙半導體材料氮化鎵 (GaN) 具有出色的電氣和光學特性，可用于各種電子和光電設備。然而，與其他半導體相比，其固有熱導率明顯較低。硅摻雜可以顯著影響塊狀氮化鎵 (GaN) 的熱導率。
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什么是氮化鎵充電器?如何選擇氮化鎵充電器?
氮化鎵基發(fā)光二極管，電子學術語，GaN 是一種寬帶隙化合物半導體材料，具有發(fā)射藍光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐堿、耐腐蝕等特點，是繼鍺、硅和砷化鎵之后最主要的半導體材料之一。
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Nexperia將在漢堡投資2億美元
擴大研發(fā)和生產(chǎn)能力，支持未來技術的發(fā)展
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GaN， “鎵”馭全功率 ——高壓大功率應用，氮化鎵前景可期
功率半導體領域已有很多年未發(fā)生系統(tǒng)性技術變革，目前熱門的寬禁帶（WBG）功率器件已經(jīng)開始占據(jù)自己所“擅長”的市場領域——氮化鎵（GaN）功率器件應用從快充起步已獲得顯著的商業(yè)化進展，EV的逆變器則率先采用了碳化硅（SiC）。
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術的持續(xù)發(fā)展
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英飛凌榮獲群光電能“氮化鎵戰(zhàn)略合作伙伴獎”
【2024 年 5 月6日，德國慕尼黑和臺灣新北市訊】全球電源供應器制造商及電力電子行業(yè)領導者群光電能 （Chicony Power; TWSE：6412）（以下簡稱群電） 宣布其年度合作伙伴獎項得主，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）脫穎而出，榮獲2023年度“氮化鎵戰(zhàn)略合作伙伴獎”。
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
該SiP系列現(xiàn)已增至三款器件，均使用了Transphorm的SuperGaN，為支持新一代適配器和充電器拓展了功率等級
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陜西光電子先導院攜“新質生產(chǎn)力”成果亮相慕尼黑上海光博會
2024年慕尼黑上海光博會于3月20-22日舉行，陜西光電子先導院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵（GaAs）IPD晶圓、氮化鎵（GaN）HEMT晶圓4項成果亮相，展位上的各項產(chǎn)品吸引了眾多參觀者駐足、交流。
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氮化鎵跟普通充電器有什么區(qū)別
傳統(tǒng)的普通充電器的基礎材料是硅，硅也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料。但隨著硅的極限逐步逼近，加之隨著快充功率的增大，快充頭體積也就更大，攜帶起來非常不方便;一些大功率充電器長時間充電還容易引起充電頭發(fā)熱。
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
【2024年3月11日，德國慕尼黑和美國紐約州西塞內(nèi)卡訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布與Worksport Ltd.（Nasdaq代碼：WKSP；WKSPW）合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設計，進一步縮小尺寸并提高功率密度。
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意法半導體推出靈活多變的同步整流控制器，提高硅基或氮化鎵功率轉換器能效
有助于簡化工業(yè)電源、便攜式設備充電器和交流/直流適配器操作，節(jié)省電能
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德州儀器全新產(chǎn)品系列不斷突破電源設計極限，助力工程師實現(xiàn)卓越的功率密度
中國上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功率級采用熱增強雙面冷卻封裝技術，可簡化中壓應用的熱設計并實現(xiàn)超高的功率密度（高于 1.5kW/in3）。德州儀器新款 1.5W 隔離式直流/直流模塊集成了變壓器，具有業(yè)界超高功率密度和超小尺寸，可幫助工程師將汽車和工業(yè)系統(tǒng)中的隔離式輔助電源尺寸縮小 89% 以上。
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新加坡芯片廠突然倒閉，員工解散！
業(yè)內(nèi)消息，近日新加坡 RF GaN（射頻氮化鎵）芯片供應商 Gallium Semiconductor（加聯(lián)賽半導體）突然終止業(yè)務并解雇所有員工，包括位于荷蘭奈梅亨的研發(fā)中心。
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EPC將在APEC 2024展示最前沿的電力電子解決方案
EPC的氮化鎵專家將在APEC展會展示用于各種應用的新型GaN FET和IC產(chǎn)品
