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SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的功率器件發(fā)展
在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。
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PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-氮化鎵器件
PCIM 見證了許多公司與氮化鎵和碳化硅合作。用于電動(dòng)汽車的半導(dǎo)體和能源革命——所有這一切都是一個(gè)快速發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)。SiC 和 GaN 器件具有比 Si 高得多的臨界擊穿電壓，允許更薄的漂移層和更高的摻雜濃度。對(duì)于給定的芯片面積和額定電壓，這會(huì)降低導(dǎo)通電阻，從而通過降低功率損耗提供更高的效率。
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GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)評(píng)估板在貿(mào)澤開售
2022年6月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)評(píng)估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強(qiáng)模式 (e-mode) 半橋評(píng)估板性能優(yōu)異，同時(shí)減少了組件總數(shù)，節(jié)省了寶貴的電路板空間。
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EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺(tái)，旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性能氮化鎵器件的功率系統(tǒng)和加快產(chǎn)品上市步伐
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作
將成熟的GaN技術(shù)與創(chuàng)新型封裝專業(yè)知識(shí)相結(jié)合
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(EPC2071),為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。
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意法半導(dǎo)體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術(shù)與性能階段突破
2019年5月19日，中國 - 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI，以下簡(jiǎn)稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。
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意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器，瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計(jì)
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自適應(yīng)間歇工作模式(burstmode) 開啟的情況下，待機(jī)功耗低于30 mW。此外，該器件的保護(hù)功能可提高穩(wěn)健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業(yè)內(nèi)同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨，配有USB-PD供電端口的開發(fā)板也即將面世。
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了解 GaN 的電磁兼容性
氮化鎵 (GaN) 晶體管開關(guān)速度快，我檢查了LMG5200半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器，并表明它能夠?qū)崿F(xiàn) 600ps 或更短的開關(guān)上升時(shí)間。在工作臺(tái)上，我測(cè)量了每納秒 40V 的開關(guān)節(jié)點(diǎn) dv/dt！這比我使用的典型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器高約 30 倍，雖然這有助于降低開關(guān)損耗，但它確實(shí)使?jié)M足電磁兼容性 (EMC) 的挑戰(zhàn)更加困難。為什么？因?yàn)殡妷汉碗娏鞯淖兓蕰?huì)激活寄生電路元件，從而產(chǎn)生輻射和傳導(dǎo)噪聲的噪聲源。
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EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì)，在極小的芯片級(jí)封裝中，實(shí)現(xiàn) 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電、太陽能逆變器、激光雷達(dá)和 LED 照明的理想器件。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費(fèi)及工業(yè)級(jí)電源設(shè)計(jì)
2022 年 4 月 7 日，中國——意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡(jiǎn)化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設(shè)計(jì)，并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達(dá)到更高水平。
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單片式整合氮化鎵芯片即將推出，imec為提升功率電路性能拼了
3月22日消息，比利時(shí)微電子研究中心(imec)氮化鎵電力電子研究計(jì)劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平臺(tái)上，整合高性能肖特基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管(HEMT)的成功案例。該平臺(tái)以P型氮化鎵(GaN)HEMT制成，此次研發(fā)成功整合多個(gè)GaN元件，將能協(xié)助新一代芯片擴(kuò)充功能與升級(jí)性能，推進(jìn)GaN功率IC的全新發(fā)展。同時(shí)提供DC/DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器所需的開發(fā)動(dòng)能，進(jìn)一步縮小元件尺寸與提高運(yùn)作效率。
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Transphorm氮化鎵芯片廠商普通股成功轉(zhuǎn)板納斯達(dá)克資本市場(chǎng)
2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已獲準(zhǔn)在納斯達(dá)克資本市場(chǎng)(Nasdaq Capital Market，簡(jiǎn)稱“納斯達(dá)克”)上市。
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Power Integrations推出集成750V氮化鎵開關(guān)的高效準(zhǔn)諧振PFC IC
HiperPFS-5 IC能夠?yàn)槌焖俪潆娺m配器、消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和家電電源提供緊湊、高效的功率因數(shù)校正電路 。
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EPC在APEC 2022展會(huì)上展示GaN技術(shù)如何 為48 V應(yīng)用帶來革命性突破
EPC公司的氮化鎵專家將在APEC展會(huì)分享多項(xiàng)現(xiàn)場(chǎng)演示以闡釋氮化鎵技術(shù)如何為許多行業(yè)的功率轉(zhuǎn)換帶來革命性突破，包括計(jì)算、通信和e-mobility。
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英飛凌將投資逾20億歐元在馬來西亞居林前道工廠擴(kuò)大寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步增強(qiáng)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位
【2022年2月21日，德國慕尼黑和馬來西亞居林訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將顯著擴(kuò)大寬禁帶(碳化硅和氮化鎵)半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個(gè)廠區(qū)。建成之后，新廠區(qū)將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。
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GaN激光雷達(dá)普及加速 | 氮化鎵技術(shù)如何推動(dòng)ToF激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展？
激光雷達(dá)主要是由激光發(fā)射器、接收器、處理器以及激光操控模組這四個(gè)模塊構(gòu)成。使用激光雷達(dá)測(cè)距，多用飛行時(shí)間法(TOF)。簡(jiǎn)單來說，就是發(fā)射器發(fā)射出激光，操控模組控制射出方向，激光會(huì)照射到目標(biāo)物體表面，并瞬間產(chǎn)生反射，反射光束被接收器接收，處理器計(jì)算出這束光往返的時(shí)間，就能得到這個(gè)點(diǎn)的精確距離。當(dāng)發(fā)出無數(shù)道光線之后，就可以用無數(shù)個(gè)點(diǎn)來勾勒物體。
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易于使用的設(shè)計(jì)工具幫助工程師縮短基于氮化鎵的功率系統(tǒng)的上市時(shí)間
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)為工程師提供更多的設(shè)計(jì)工具、模型和性能仿真器，用于基于高性能氮化鎵器件的設(shè)計(jì)。
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納微半導(dǎo)體成立全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放
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意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體PowerGaN系列首發(fā)，讓電源能效更高、體積更纖薄
基于氮化鎵 (GaN) 的產(chǎn)品可以取得更高的能效，幫助工程師設(shè)計(jì)出更緊湊的電源，適合各種消費(fèi)、工業(yè)和汽車應(yīng)用。意法半導(dǎo)體 PowerGaN系列第一款產(chǎn)品現(xiàn)已投產(chǎn)；很快還將推出其他的不同封裝和規(guī)格的產(chǎn)品。
