-
意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器，瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計(jì)
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自適應(yīng)間歇工作模式(burstmode) 開(kāi)啟的情況下，待機(jī)功耗低于30 mW。此外，該器件的保護(hù)功能可提高穩(wěn)健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業(yè)內(nèi)同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨，配有USB-PD供電端口的開(kāi)發(fā)板也即將面世。
-
了解 GaN 的電磁兼容性
氮化鎵 (GaN) 晶體管開(kāi)關(guān)速度快，我檢查了LMG5200半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器，并表明它能夠?qū)崿F(xiàn) 600ps 或更短的開(kāi)關(guān)上升時(shí)間。在工作臺(tái)上，我測(cè)量了每納秒 40V 的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) dv/dt！這比我使用的典型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器高約 30 倍，雖然這有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，但它確實(shí)使?jié)M足電磁兼容性 (EMC) 的挑戰(zhàn)更加困難。為什么？因?yàn)殡妷汉碗娏鞯淖兓蕰?huì)激活寄生電路元件，從而產(chǎn)生輻射和傳導(dǎo)噪聲的噪聲源。
-
EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化鎵功率晶體管EPC2050專(zhuān)為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì)，在極小的芯片級(jí)封裝中，實(shí)現(xiàn) 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車(chē)充電、太陽(yáng)能逆變器、激光雷達(dá)和 LED 照明的理想器件。
-
意法半導(dǎo)體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費(fèi)及工業(yè)級(jí)電源設(shè)計(jì)
2022 年 4 月 7 日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡(jiǎn)化最高50 W的單開(kāi)關(guān)反激式功率變換器設(shè)計(jì)，并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達(dá)到更高水平。
-
單片式整合氮化鎵芯片即將推出，imec為提升功率電路性能拼了
3月22日消息，比利時(shí)微電子研究中心(imec)氮化鎵電力電子研究計(jì)劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平臺(tái)上，整合高性能肖特基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管(HEMT)的成功案例。該平臺(tái)以P型氮化鎵(GaN)HEMT制成，此次研發(fā)成功整合多個(gè)GaN元件，將能協(xié)助新一代芯片擴(kuò)充功能與升級(jí)性能，推進(jìn)GaN功率IC的全新發(fā)展。同時(shí)提供DC/DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器所需的開(kāi)發(fā)動(dòng)能，進(jìn)一步縮小元件尺寸與提高運(yùn)作效率。
-
Transphorm氮化鎵芯片廠(chǎng)商普通股成功轉(zhuǎn)板納斯達(dá)克資本市場(chǎng)
2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已獲準(zhǔn)在納斯達(dá)克資本市場(chǎng)(Nasdaq Capital Market，簡(jiǎn)稱(chēng)“納斯達(dá)克”)上市。
-
Power Integrations推出集成750V氮化鎵開(kāi)關(guān)的高效準(zhǔn)諧振PFC IC
HiperPFS-5 IC能夠?yàn)槌焖俪潆娺m配器、消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和家電電源提供緊湊、高效的功率因數(shù)校正電路 。
-
EPC在A(yíng)PEC 2022展會(huì)上展示GaN技術(shù)如何 為48 V應(yīng)用帶來(lái)革命性突破
EPC公司的氮化鎵專(zhuān)家將在A(yíng)PEC展會(huì)分享多項(xiàng)現(xiàn)場(chǎng)演示以闡釋氮化鎵技術(shù)如何為許多行業(yè)的功率轉(zhuǎn)換帶來(lái)革命性突破，包括計(jì)算、通信和e-mobility。
-
英飛凌將投資逾20億歐元在馬來(lái)西亞居林前道工廠(chǎng)擴(kuò)大寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步增強(qiáng)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位
【2022年2月21日，德國(guó)慕尼黑和馬來(lái)西亞居林訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將顯著擴(kuò)大寬禁帶(碳化硅和氮化鎵)半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來(lái)西亞居林工廠(chǎng)建造第三個(gè)廠(chǎng)區(qū)。建成之后，新廠(chǎng)區(qū)將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。
-
GaN激光雷達(dá)普及加速 | 氮化鎵技術(shù)如何推動(dòng)ToF激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展？
激光雷達(dá)主要是由激光發(fā)射器、接收器、處理器以及激光操控模組這四個(gè)模塊構(gòu)成。使用激光雷達(dá)測(cè)距，多用飛行時(shí)間法(TOF)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是發(fā)射器發(fā)射出激光，操控模組控制射出方向，激光會(huì)照射到目標(biāo)物體表面，并瞬間產(chǎn)生反射，反射光束被接收器接收，處理器計(jì)算出這束光往返的時(shí)間，就能得到這個(gè)點(diǎn)的精確距離。當(dāng)發(fā)出無(wú)數(shù)道光線(xiàn)之后，就可以用無(wú)數(shù)個(gè)點(diǎn)來(lái)勾勒物體。
-
易于使用的設(shè)計(jì)工具幫助工程師縮短基于氮化鎵的功率系統(tǒng)的上市時(shí)間
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)為工程師提供更多的設(shè)計(jì)工具、模型和性能仿真器，用于基于高性能氮化鎵器件的設(shè)計(jì)。
-
納微半導(dǎo)體成立全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車(chē)普及提前三年來(lái)到，并減少20%道路二氧化碳排放
-
意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體PowerGaN系列首發(fā)，讓電源能效更高、體積更纖薄
基于氮化鎵 (GaN) 的產(chǎn)品可以取得更高的能效，幫助工程師設(shè)計(jì)出更緊湊的電源，適合各種消費(fèi)、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用。意法半導(dǎo)體 PowerGaN系列第一款產(chǎn)品現(xiàn)已投產(chǎn)；很快還將推出其他的不同封裝和規(guī)格的產(chǎn)品。
-
hofer powertrain和VisIC合作開(kāi)發(fā)三電平800V氮化鎵逆變器
（全球TMT2021年12月17日訊）汽車(chē)動(dòng)力總成技術(shù)公司hofer powertrain和高壓汽車(chē)應(yīng)用氮化鎵(GaN)解決方案領(lǐng)域企業(yè)VisIC Technologies Ltd.宣布建立合作，共同開(kāi)發(fā)用于800V汽車(chē)應(yīng)用的基于氮化鎵的逆變器。 氮化鎵半導(dǎo)體是...
-
使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式AC/DC電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。
-
落地、開(kāi)工、投產(chǎn)，新一批半導(dǎo)體項(xiàng)目匯總
近日，一批半導(dǎo)體項(xiàng)目落地、開(kāi)工、投產(chǎn)，涉及第三代半導(dǎo)體氮化鎵、存儲(chǔ)封測(cè)、以及硅晶圓外延片等領(lǐng)域。60億，第三代半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目落地福州近期，4個(gè)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目落地福州長(zhǎng)樂(lè)區(qū)，涉及新材料、大數(shù)據(jù)、第三代半導(dǎo)體等，投資額超396億元，其中包括第三代半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目。據(jù)福州新聞網(wǎng)報(bào)道，第...
-
Microchip持續(xù)擴(kuò)大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合
全新單片微波集成電路（MMIC）和分立器件，可滿(mǎn)足5G、衛(wèi)星通信和國(guó)防應(yīng)用的性能要求
-
文章?|?使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
注：原載于Bodos功率系統(tǒng)，2021年11月22日作者：DougBailey，PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式AC/DC電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工...
-
PI產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Chris Lee：利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
注：原載于電源網(wǎng)訂閱號(hào)，2021年10月26日目前市面上出現(xiàn)了一個(gè)新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠?yàn)槭謾C(jī)、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計(jì)出額定功率高達(dá)110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來(lái)自PowerIn...
-
e絡(luò)盟開(kāi)售InnoSwitch?3系列IC，進(jìn)一步擴(kuò)大Power Integrations產(chǎn)品陣容
InnoSwitch3系列IC采用PowiGaN?技術(shù)，在各種負(fù)載條件下的效率均高達(dá) 95%，且在封閉式適配器應(yīng)用中無(wú)需散熱片就可實(shí)現(xiàn)高達(dá)100W的輸出功率
K1Nn
18610005120
l4157
xdqfc
myzk001
cxshixilu
lemonhub
LLLemmm
lionpower
yaneda
氯化鈣補(bǔ)鈣
shenyaoo
18503088884
風(fēng)云ljh
mounthill
timixiaoyouxi
shell.albert
Benjaminsein
xiaokefei
hm365703550
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第一期：探索能源采集芯片的奧義
- 了解華邦優(yōu)質(zhì)技術(shù)資源， 闖三關(guān)，驗(yàn)證您的內(nèi)存/存儲(chǔ)達(dá)人身份
- ST超低功耗MCU來(lái)襲，挑戰(zhàn)趣味游戲，見(jiàn)證STM32U3的電池增壽能力
- PI邀您探索神秘節(jié)能空間，點(diǎn)亮你的專(zhuān)屬“智慧客廳”
- 基恩士新型顯微系統(tǒng)產(chǎn)品“VHX-X1系列”來(lái)襲，填寫(xiě)有獎(jiǎng)問(wèn)卷
- STM32C0系列MCU新品來(lái)襲，更高性能+更低成本，你值得擁有
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，驗(yàn)證您是存儲(chǔ)達(dá)人還是內(nèi)存大神
