2025年5月29日,中國--服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和愛發(fā)科 (ULVAC) 合作,共同拓展意法半導體在新加坡的“廠內(nèi)實驗室”(LiF)合作項目。新一期項目包括與新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學 (NUS)的合作項目。
【2025年5月26日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵(GaN)開關——650 V CoolGaN? G5雙向開關(BDS)。該產(chǎn)品采用共漏極設計和雙柵極結(jié)構(gòu),是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管(GIT)技術和CoolGaN?技術的單片雙向開關,能夠有效替代轉(zhuǎn)換器中常用的傳統(tǒng)背靠背開關。
【2025年5月15日, 德國慕尼黑訊】隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及,以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù),預計全球?qū)﹄娏Φ男枨髮焖僭鲩L。為應對這一挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊,進一步擴大其持續(xù)壯大的氮化鎵(GaN)功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺,專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動汽車充電樁等大功率應用開發(fā)。它能滿足日益增長的高性能需求,提供更大的易用性,幫助客戶加快設計進程,縮短產(chǎn)品上市時間。
在當今的電子設備領域,電源管理設計至關重要,其性能直接影響著設備的整體表現(xiàn)。隨著科技的不斷進步,氮化鎵(GaN)功率器件應運而生,為電源管理設計帶來了新的突破和提升。
在全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電氣化、智能化轉(zhuǎn)型的浪潮中,功率半導體技術的革新成為關鍵驅(qū)動力。氮化鎵(GaN)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,正憑借其獨特的性能優(yōu)勢,逐漸在車載應用領域嶄露頭角,成為行業(yè)矚目的焦點。從當前發(fā)展態(tài)勢來看,GaN 車載應用已成不可逆轉(zhuǎn)的趨勢。
在消費電子設備日益普及的今天,用戶對充電速度和設備便攜性的需求不斷攀升。傳統(tǒng)的硅基快充芯片在滿足這些需求方面逐漸力不從心,而氮化鎵(GaN)快充芯片技術的出現(xiàn),為快充領域帶來了小型化與能效提升的雙重突破。
在半導體領域,氮化鎵(GaN)器件以其卓越的性能優(yōu)勢,如高電子遷移率、高擊穿電場、低導通電阻等,被視為極具潛力的下一代功率器件,有望在眾多領域掀起變革。然而,盡管前景誘人,氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風順,諸多不利因素成為其大規(guī)模推廣應用的絆腳石。
2025年4月1日,中國蘇州 — 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制造全球領軍企業(yè)英諾賽科(香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK),共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢,提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。
上海2025年3月17日 /美通社/ -- 3月14日, "2025 英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會"(ICIC 2025,以下同)在深圳舉行。本屆大會匯聚600多位業(yè)界精英,就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了精彩探討,首次在國內(nèi)展示了英飛凌兩款...
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的杰出代表,憑借其寬禁帶寬度、高擊穿電壓、高熱導率、高電子飽和漂移速度等卓越特性,在光電子、電力電子、射頻微波等諸多領域展現(xiàn)出了巨大的應用潛力。然而,如同任何新興技術一樣,氮化鎵器件在發(fā)展過程中也面臨著一系列嚴峻的挑戰(zhàn),這些不利因素在一定程度上阻礙了其大規(guī)模商業(yè)化應用與進一步的技術突破。
【2025年3月17日, 中國上海訊】3月14日, “2025 英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會”(ICIC 2025,以下同)在深圳舉行。本屆大會匯聚600多位業(yè)界精英,就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了精彩探討,首次在國內(nèi)展示了英飛凌兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓,彰顯了英飛凌在技術創(chuàng)新領域的領先地位,并解讀最新產(chǎn)品與解決方案,為行業(yè)注入新動能,助力企業(yè)在低碳數(shù)字變革的浪潮中把握先機。
【2025年3月3日, 德國慕尼黑訊】由于市場對于音頻設備的緊湊、輕便、高集成度和節(jié)能的需求越來越高,領先的音頻設備制造商在不斷提高音質(zhì)的同時,也在努力滿足這一需求。另外,他們還必須實現(xiàn)無縫連接、保證成本效益,并提供對用戶友好的功能,這使得音頻產(chǎn)品的開發(fā)變得更加復雜。為了解決這些難題,SounDigital在其全新1500 W D類放大器中集成了英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的 CoolGaN?晶體管,支持800 kHz開關頻率和五個通道,借助英飛凌先進的氮化鎵(GaN)技術,將其能效提升了 5%,能量損耗降低了 60%。
在半導體技術持續(xù)迭代的進程中,碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)器件作為第三代半導體的杰出代表,憑借其卓越的性能優(yōu)勢,正逐步改寫著電子產(chǎn)業(yè)的格局,成為推動眾多領域變革的關鍵力量。深入了解這兩種器件的特性、應用現(xiàn)狀以及未來市場走向,對于把握半導體行業(yè)發(fā)展脈搏意義重大。
全新變壓器在緊湊組件尺寸中實現(xiàn)卓越的隔離和電氣間隙/爬電距離
【2024年11月20日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管,該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費和工業(yè)開關電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機驅(qū)動器。
隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,半導體材料作為信息技術的基石,正經(jīng)歷著前所未有的變革。其中,氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表,正憑借其出色的性能吸引著大量資本的涌入。這標志著GaN和SiC時代即將到來,將為電子、通信、能源等多個領域帶來革命性的變化。
第三代半導體,以其獨特的寬禁帶特性,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),在功率電子、射頻電子和光電子器件領域展現(xiàn)出了巨大的應用潛力。然而,盡管這些材料在性能上遠超傳統(tǒng)半導體,其廣泛應用仍面臨諸多挑戰(zhàn)和痛點。
為了填補開關IC市場高壓電源技術的空白,近日PI公司擴充了旗下產(chǎn)品組合,推出了一款額定耐壓為1700V的氮化鎵開關IC——InnoMux?-2 1700V IC,旨在為業(yè)界提供更高能效、更低成本的解決方案。
評估套件具有 Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步電機控制器/驅(qū)動器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實現(xiàn)高于90%的效率, 并通過三路精確調(diào)整的輸出提供高達70W的功率