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隨著器件功耗的增加，氮化鎵技術(shù)正走向成熟
隨著技術(shù)的發(fā)展，對功率的需求也在增加。氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)材料逐漸彰顯其作為新一代功率半導(dǎo)體骨干材料的潛力。這類材料功耗更低，性能卻優(yōu)于那些已趨成熟的硅器件。
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InnoSwitch IC銷量突破10億顆! Power Integrations繼續(xù)保持良好勢頭
深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)近日宣布，突破性的InnoSwitch?系列IC的出貨量已超過10億顆。InnoSwitch產(chǎn)品系列于2014年推出，是第一個采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink?通信技術(shù)的產(chǎn)品，該技術(shù)無需光耦即可提供高精度的次級側(cè)控制，從而實現(xiàn)優(yōu)異的能效、可靠性和耐用性。
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你知道200 V 氮化鎵產(chǎn)品系列（eGaN?FET）嗎？
什么是200 V 氮化鎵產(chǎn)品系列(eGaN?FET)?新一代200 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、太陽能微型逆變器和功率優(yōu)化器，以及多電平、高壓AC / DC轉(zhuǎn)換器的理想功率器件。
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氮化鎵，日本加大力度研究的新一代半導(dǎo)體材料
據(jù)日本媒體報道，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省(METI)加大對新一代低能耗半導(dǎo)體材料“氧化鎵”的重視，為致力于開發(fā)新材料的企業(yè)提供大量財政支持，及METI將為明年留出大約2030萬美元去資助相關(guān)企業(yè)，預(yù)計未來5年的資助將超過8560萬美元。
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iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)最新推出100 V eGaN?FET產(chǎn)品,為業(yè)界樹立全新性能基準
新一代100 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、汽車信息娛樂及激光雷達系統(tǒng)的理想功率器件。
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e絡(luò)盟供貨安世半導(dǎo)體功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，助力電動車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用降低功率損耗
客戶可訪問e絡(luò)盟社區(qū)觀看功率GaN技術(shù)網(wǎng)絡(luò)研討會視頻
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Power Integrations推出基于氮化鎵技術(shù)的高效率LYTSwitch-6 LED驅(qū)動器IC，適合緊湊型智能照明設(shè)計
高效率、高可靠性LED驅(qū)動器IC領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)近日推出LYTSwitch?-6系列安全隔離型LED驅(qū)動器IC的最新成員 —— 適合智能照明應(yīng)用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6 IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術(shù)，在該公司今天同時發(fā)布的新設(shè)計范例報告(DER-920)中，展現(xiàn)了其出色的效率和性能優(yōu)勢。
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碳化硅，氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料爆發(fā)！
當前先進半導(dǎo)體材料已上升至國家戰(zhàn)略層面，2025年目標滲透率超過50%。底層材料與技術(shù)是半導(dǎo)體發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué)，《中國制造2025》分別對第三代半導(dǎo)體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊等細分領(lǐng)域做出了目標規(guī)劃。
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GaN路線之爭：再起波瀾
憑借高功率、高頻工作環(huán)境下的優(yōu)良性能，氮化鎵（GaN）正在快速崛起，無論是在功率，還是射頻應(yīng)用領(lǐng)域，GaN都代表著高功率和高性能應(yīng)用場景的未來，將在很大程度上替代砷化鎵（GaAs）和LDMOS。 而在
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氮化鎵功率器件進入井噴期：軍事宇航份額最高
美國透明度市場研究公司近日發(fā)布研究報告稱，2012年氮化鎵半導(dǎo)體器件市場產(chǎn)值為3.7982億美元，并將在2019年達到22.0373億美元。其中，軍事國防和宇航部分占據(jù)氮化鎵半導(dǎo)體市場的最高
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99元能買到什么大牌氮化鎵充電器？差點挑花眼
眾所周知，這兩年充電器行業(yè)一大風(fēng)口就是氮化鎵的運用。這種新型半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫等特性，采用氮化鎵元件的充電器最大的特點就是體積小、重量輕。 電子產(chǎn)品往小型化、輕薄化發(fā)展，肯定離
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的200 V 氮化鎵產(chǎn)品系列(eGaN?FET)的性能提升了一倍
新一代200 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、太陽能微型逆變器和功率優(yōu)化器，以及多電平、高壓AC / DC轉(zhuǎn)換器的理想功率器件。
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僅售299元 努比亞發(fā)布120W氘鋒氮化鎵充電器：小了25%
除了紅魔5S電競手機之外，努比亞今晚還發(fā)布了一大波生產(chǎn)產(chǎn)品，其中120W氘鋒氮化鎵三口充電器僅售299元，2個USB-C、1個USB-A接口，體積比Macbook的96W充電器小了25%。 氮化鎵快充
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氮化鎵晶體管實現(xiàn)理想的電機逆變器功率損耗
與開關(guān)模式電源不同，三相電機驅(qū)動逆變器通常使用低開關(guān)頻率；只有幾萬赫茲。大功率電機尺寸較大，具有高電感繞組；因此，即使在低開關(guān)頻率下，電流紋波也是可以接受的。隨著電機技術(shù)的進步，功率密度增加；電
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打破外企壟斷核心器件：首款國產(chǎn)氮化鎵快充主控芯片問世
充電頭網(wǎng)近日獲悉，蘇州美思迪賽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（MIX-DESIGN）推出了一款氮化鎵快充主控+柵極驅(qū)動器SOC芯片MX6535，使其成為了國內(nèi)首家掌握氮化鎵控制及驅(qū)動技術(shù)的公司，并在全球范圍內(nèi)成為
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極速閃充！全新紅魔120W氘鋒氮化鎵三口快充充電官宣
還記得今年3月，在紅魔5G手機發(fā)布會上，官方還帶來了一款65W氮化鎵快充充電器，提供2個Type-C接口和1個USB-A口，支持3口同時充電。
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國產(chǎn)打破外企壟斷！蘇州美思迪賽發(fā)布氮化鎵快充主控
據(jù)了解，蘇州美思迪賽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(MIX-DESIGN)推出了一款氮化鎵快充主控+柵極驅(qū)動器SOC芯片MX6535，成為國內(nèi)首家掌握氮化鎵控制及驅(qū)動技術(shù)的公司，并在全球范圍內(nèi)成為繼美國TI和安森美之后的第三家推出氮化鎵驅(qū)動及控制器的公司。
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小米65W氮化鎵充電器開啟預(yù)約：149元 小巧便攜
小米65W氮化鎵充電器已重新在小米商城上架并開啟預(yù)約，將于6月16日10點正式開售，預(yù)約價149元。 65W小米GaN充電器主要核心賣點有三：1、采用新材料：GaN氮化鎵，充電效率效率更高；2、小巧便
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寬帶隙技術(shù)：21世紀電力電子應(yīng)用的新規(guī)范
在過去的二十年中，研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進行了實驗，這些材料顯示出巨大的潛力來替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體應(yīng)用中的現(xiàn)有硅材料技術(shù)。在新世紀即將來臨之際，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)達到了足夠的成熟度并獲得了足夠的吸引力，從而拋棄了其他潛在的替代方法，并得到了全球工業(yè)制造商的足夠關(guān)注。
