晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,然后慢慢拉出,形成圓柱形的單晶硅。
半導體工業(yè)對于晶圓表面缺陷檢測的要求,一般是要求高效準確,能夠捕捉有效缺陷,實現(xiàn)實時檢測。較為普遍的表面檢測技術(shù)主要可以分為兩大類:針接觸法和非接觸法,接觸法以針觸法為代表;非接觸法又可以分為原子力法和光學法。
分層劃片工藝,根據(jù)劃片材料的厚度,在劃片深度方向采用分層進給的方式進行劃片。首先進行開槽劃片,采用比較小的進給深度,以保證刀具受力小,降低刀具磨損,減小劃片刀崩邊,然后再劃片到 UV 膜厚度 1/2 的位置。
拋光過程隨著集成電路(Integrated circuit,IC)制造技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片特征尺寸越來越小,互連層數(shù)越來越多,晶圓直徑也不斷增大。要實現(xiàn)多層布線,晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度,而化學機械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術(shù),它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD / CVD 一起被稱為 IC 制造最核心的五大關鍵技術(shù)。
(全球TMT2021年11月18日訊)2021年11月17日,浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司外延項目建設工程開工儀式在浙江麗水經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行。項目預計將于2022年11月竣工,2023年可實現(xiàn)投產(chǎn)運營。 浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司由杭州中欣晶圓半...
浙江麗水2021年11月18日 /美通社/ -- 2021年11月17日上午10點28分,浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司外延項目建設工程開工儀式在浙江麗水經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)隆重舉行。麗水市人大常委會主任李鋒,麗水市政府常務副市長杜興林,麗水經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)黨工委書記、管委會主任劉志...
在干法刻蝕中,由于與氣體分子的碰撞和其他隨機熱效應,加速離子的軌跡是不均勻且不垂直的(圖1)。這會對刻蝕結(jié)果有所影響,因為晶圓上任何一點的刻蝕速率將根據(jù)大體積腔室可見的立體角和該角度范圍內(nèi)的離子通量而變化。這些不均勻且特征相關的刻蝕速率使半導體工藝設計過程中刻蝕配方的研發(fā)愈發(fā)復雜。在本文中,我們將論述如何通過在SEMulator3D?中使用可視性刻蝕建模來彌補干法刻蝕這一方面的不足。
10月18日消息,中芯國際今日在投資者互動平臺回復問詢時表示,該公司今年擬擴建1萬片成熟12英寸和4.5萬片8英寸晶圓的產(chǎn)能,以滿足更多的客戶需求。IT之家曾報道,集邦咨詢的最新調(diào)查顯示,全球第二季度前十大晶圓代工業(yè)者產(chǎn)值達244.07億美元,季增6.2%,自2019年第三季以來...
全球晶圓代工先進制程領域競爭愈發(fā)白熱化,在臺積電公布亮眼財報,并宣告將赴日本設廠,用以生產(chǎn)22/28納米特殊制程,成為臺積電繼美國亞利桑那州興建5納米晶圓廠后,又一向海外拓展的重要決策。
10月18日,中芯國際在投資者互動平臺表示,公司今年擬擴建1萬片成熟12英寸和4.5萬片8英寸晶圓的產(chǎn)能,以滿足更多的客戶需求。
10月18日消息,中芯國際今日在投資者互動平臺回復問詢時表示,該公司今年擬擴建1萬片成熟12英寸和4.5萬片8英寸晶圓的產(chǎn)能,以滿足更多的客戶需求。IT之家曾報道,集邦咨詢的最新調(diào)查顯示,全球第二季度前十大晶圓代工業(yè)者產(chǎn)值達244.07億美元,季增6.2%,自2019年第三季以來...
早前,臺積電董事長劉德音接受專訪時表示,對于芯片短缺問題,臺積電努力用前所未有的方式解決,不過送到工廠的芯片比用于產(chǎn)品多,代表供應鏈有人囤積芯片!
??點擊上方?“?意法半導體PDSA”,關注我們????????科銳與意法半導體宣布擴大現(xiàn)有的多年長期碳化硅(SiC)晶圓供應協(xié)議??其J旗下Wolfspeed是全球SiC技術(shù)引領者。意法半導體是全球領先的半導體企業(yè),橫跨多重電子應用領域。根據(jù)該更新的協(xié)議,科銳將在未來數(shù)年向意法半...
據(jù)清華大學官方消息,近日,由清華大學機械系路新春教授帶領清華大學成果轉(zhuǎn)化項目公司華海清科研發(fā)的首臺12英寸(300mm)超精密晶圓減薄機(Versatile-GP300),已經(jīng)正式出機,發(fā)往國內(nèi)某集成電路龍頭企業(yè)。這是路新春教授團隊與華海清科解決我國集成電路拋光裝備“卡脖子”問題...
日前消息顯示,英特爾兩座新晶圓廠舉行了動土奠基儀式,這是該公司轉(zhuǎn)型計劃的一部分,目標是成為主要的芯片制造商,并超車競爭對手臺積電。
隨著各類鏡頭、顯示設備、生物識別技術(shù)產(chǎn)品、5G通訊技術(shù)和終端設備,以及最近備受關注的未來“元宇宙”重要場景入口設備的AR/VR等消費類終端的創(chuàng)新發(fā)展,對光學鍍膜設備的技術(shù)工藝以及性價比要求也越來越高。
晶圓分為無圖案晶圓(Bare Wafer)和圖案晶圓(Patterned wafer)??紤]兩種晶圓的缺陷類型的出發(fā)點有些不同。晶圓表面的缺陷類型很多,既有可能是工藝產(chǎn)生也有可能材質(zhì)本身的缺陷。
半導體工業(yè)對于晶圓表面缺陷檢測的要求,一般是要求高效準確,能夠捕捉有效缺陷,實現(xiàn)實時檢測。
硅片劃片方法主要有金剛石砂輪劃片、激光劃片。
隨著集成電路(Integrated circuit,IC)制造技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片特征尺寸越來越小,互連層數(shù)越來越多,晶圓直徑也不斷增大。要實現(xiàn)多層布線,晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度,而化學機械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術(shù),它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD / CVD 一起被稱為 IC 制造最核心的五大關鍵技術(shù)。