為拓展海外業(yè)務(wù),三星掌門(mén)人將親赴美國(guó)選址:建廠競(jìng)賽開(kāi)始!
全球晶圓代工先進(jìn)制程領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)白熱化,在臺(tái)積電公布亮眼財(cái)報(bào),并宣告將赴日本設(shè)廠,用以生產(chǎn)22/28納米特殊制程,成為臺(tái)積電繼美國(guó)亞利桑那州興建5納米晶圓廠后,又一向海外拓展的重要決策。
對(duì)此,三星集團(tuán)實(shí)際領(lǐng)導(dǎo)人、三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕預(yù)計(jì)稍晚前往美國(guó),就盡速拍板美國(guó)晶圓廠投資案。
李在镕8月假釋出獄后,立即宣布未來(lái)3年投入240兆韓元,鞏固該公司在后疫情時(shí)代科技產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢(shì)地位,甚至稱該公司下一代制程節(jié)點(diǎn)3納米制程采用環(huán)繞閘極技術(shù)(Gate-All-AroundGAA)不會(huì)輸給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手、也就是臺(tái)積電。三星甚至在近期技術(shù)論壇上提及,預(yù)計(jì)在2025年2納米制程量產(chǎn),企圖彎道超車競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電,頗有叫戰(zhàn)臺(tái)積電的意味。
韓媒《BusinessKorea》報(bào)導(dǎo),李在镕已經(jīng)申請(qǐng)簽證,準(zhǔn)備前往美國(guó),預(yù)料最快時(shí)間落在10月底,主要是要確定在美國(guó)新晶圓廠的選址。三星2021年5月宣布投資170億美元,在美國(guó)設(shè)立第二座晶圓廠。
三星目前5個(gè)選址中,德州泰勒市(Taylor City) 機(jī)率最高,泰勒市議會(huì)于美國(guó)時(shí)間10月14日,通過(guò)對(duì)三星設(shè)廠的稅務(wù)優(yōu)惠,包括前10年土地稅減免92.5%,第2個(gè)10年減免90%,第3個(gè)10年減免85%,另外提供水電費(fèi)優(yōu)惠。
三星自2016年收購(gòu)車用零件供應(yīng)商哈曼國(guó)際(Harman International)之后,再也沒(méi)有通過(guò)大型并購(gòu)交易,但業(yè)界傳出,三星已經(jīng)鎖定幾家大廠,包括先前傳出的車用芯片主要供應(yīng)商包括荷蘭恩智浦(NXP)、美國(guó)德州儀器(TI)、日本瑞薩(Renesas)等。
為了捍衛(wèi)韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢(shì),外界認(rèn)為韓國(guó)政府這是讓李在镕假釋出獄的主要理由,三星也在實(shí)際領(lǐng)導(dǎo)人出現(xiàn)后,針對(duì)與臺(tái)積電、英特爾競(jìng)爭(zhēng)提出許多措施,也加強(qiáng)對(duì)外放話,但三星最重要赴美設(shè)廠投資案,最終的選址仍未定案。
臺(tái)積電在2020年5月中旬宣布,將在亞利桑那州鳳凰城投資120億美元興建晶圓廠,用以生產(chǎn)5納米制程,預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn),月產(chǎn)能將達(dá)2萬(wàn)片。鳳凰城去年間11月18日以9票贊成0票反對(duì),無(wú)異議通過(guò)臺(tái)積電開(kāi)發(fā)協(xié)議,鳳凰城則將由市府資金提撥2.05億美元,用于改善道路及水源等基礎(chǔ)建設(shè)。臺(tái)積電美國(guó)新廠今年上半年開(kāi)始動(dòng)工,首批250名員工招募完成,其中有部分新進(jìn)員工將來(lái)臺(tái)灣的臺(tái)積電南科廠培訓(xùn)為期1年半的時(shí)間,訓(xùn)練結(jié)束后將返回鳳凰城。
英特爾CEO Pat Gelsinger今年上任后,2021年3月宣布將啟動(dòng)IDM 2.0戰(zhàn)略,將重返晶圓代工業(yè)務(wù),并透露將投入200億美元,在亞利桑那州興建2座晶圓廠。英特爾在Fab 52/Fab62晶圓廠9月舉行動(dòng)工典禮,預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)采用全新RibbonFET和PowerVia的英特爾20A制程,亞利桑那州也將成為英特爾最大生產(chǎn)基地,若照先前英特爾公布最新制程藍(lán)圖來(lái)看,將供應(yīng)給高通、亞馬遜的云端運(yùn)算芯片。
雖然臺(tái)積電、英特爾都已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)工新廠區(qū),但是在三星搶先采用GAA技術(shù),以及取得ASML所提供的極紫外光(EUV)微影設(shè)備已經(jīng)在7納米制程導(dǎo)入,等于是三方各有勝負(fù),這三星是否有機(jī)會(huì)在3納米、甚至是2納米超車,外界持續(xù)關(guān)注。