晶圓分為無圖案晶圓(Bare Wafer)和圖案晶圓(Patterned wafer)?？紤]兩種晶圓的缺陷類型的出發(fā)點(diǎn)有些不同。晶圓表面的缺陷類型很多，既有可能是工藝產(chǎn)生也有可能材質(zhì)本身的缺陷。采用不同的缺陷檢測方式，可能會(huì)對(duì)缺陷進(jìn)行不同的劃分。綜合考慮缺陷的物理屬性和后面缺陷檢測算法的針對(duì)性，缺陷可以簡單地分為表面冗余物(顆粒，污染物等)，晶體缺陷(滑移線缺陷，堆垛層錯(cuò))，劃痕，圖案缺陷(針對(duì)圖案晶圓)。

晶圓表面的冗余物種類比較多，小到幾十納米的微小顆粒，大到幾百微米的灰塵，以及前一個(gè)工序留下的表面殘留物。顆粒是可能引入的工序有刻蝕、拋光、清洗等。冗余物缺陷主要來自于生產(chǎn)加工中晶圓表面的灰塵、空氣純凈度未到達(dá)標(biāo)準(zhǔn)以及加工過程中化學(xué)試劑等。這些顆粒在光刻時(shí)會(huì)遮擋光線，造成集成電路結(jié)構(gòu)上的缺陷，污染物可能會(huì)附著在晶圓表面，造成圖案的不完整，影響芯片的電氣特性。

滑移線缺陷是也是一種常見的缺陷，它是由晶體生長時(shí)的加熱不均造成的，他通常在晶圓的外圍邊緣處，形成一條條水平的細(xì)小直線。由于滑移線的尺寸相對(duì)比較大，可以通過人工觀測的形式辨認(rèn)。

堆垛層錯(cuò)(Stacking Fault)也是可以在外延層中發(fā)現(xiàn)的缺陷，一般是由于晶體結(jié)構(gòu)中密排面的正常堆垛順序遭到了破壞，其尺寸通常在微米級(jí)別。

機(jī)械損傷一般指晶圓表面因?yàn)閽伖饣蛘咔衅斐傻膭澓?，一般是由化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)造成的，成弧狀，也有可能是非連續(xù)點(diǎn)狀分布。這種損傷有大有小，通常會(huì)影響晶圓電路的連通性，是比較嚴(yán)重地缺陷。這種缺陷是可以糾正的，有可能是機(jī)械的操作不當(dāng)。