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物聯(lián)網(wǎng)要發(fā)展 標(biāo)準(zhǔn)需先行
2010年下半年以來(lái)，物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用在我國(guó)已經(jīng)擴(kuò)展到智能電網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)汽車、智能交通、智能物流、智能家居、環(huán)保、城市管理、醫(yī)療健康、金融服務(wù)業(yè)等10多個(gè)領(lǐng)域。與此同時(shí)，物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的缺位也日益成為影響物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的
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EUV機(jī)臺(tái)
深紫外光(EUV)技術(shù)是次世代微影技術(shù)之一，其他還還包括無(wú)光罩多重電子束、浸潤(rùn)式微影多重曝光技術(shù)等，EUV技術(shù)主要的開(kāi)發(fā)商是設(shè)備大廠愛(ài)司摩爾(ASML)，當(dāng)半導(dǎo)體制程技術(shù)走入20奈米或是10奈米以下，現(xiàn)有的浸潤(rùn)式曝光(I
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Altera宣布將啟用臺(tái)積電多種28nm制程工藝生產(chǎn)其FPGA芯片產(chǎn)品
可編程邏輯芯片設(shè)計(jì)商 Altera公司本周一宣布將使用臺(tái)積電公司的28nm LP（低功耗）制程技術(shù)制造其廉價(jià)型中端FPGA芯片產(chǎn)品。今年4月份，Altera公司曾宣布他們將使用臺(tái)積電的高性能(HP)28nm工藝制作其高端 Statix V FPG
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日月光半導(dǎo)體公布11月份凈收入
(ASX) 5.29 : 日月光半導(dǎo)體公布，11月份凈收入年增率為93.7%，達(dá)168.22億元臺(tái)幣，較1月份小跌0.5%。.
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設(shè)備商出新招 半導(dǎo)體制造成本再下探
甫于日前落幕的日本半導(dǎo)體設(shè)備暨材料展(SEMICON Japan 2010)上，包括應(yīng)用材料(Applied Materials)與艾司摩爾(ASML)等設(shè)備大廠分別宣布，在半導(dǎo)體蝕刻(Etch)與微影(Lithography)制造技術(shù)上取得新的突破，將可大幅提升
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11月?tīng)I(yíng)收矽品小增2%，日月光微減0.5%
臺(tái)灣IC封測(cè)兩大龍頭日月光(2311)、矽品(2325)11月?tīng)I(yíng)收雙雙出爐，其中矽品表現(xiàn)逆勢(shì)，較上月小幅增加2%，而日月光則較上月小幅減少0.5%。 受到部份客戶訂單回溫下，矽品公布11月合并營(yíng)收為51.35億元，較上月小幅增加
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研調(diào)：大中華區(qū)前四大晶圓代工明年總營(yíng)收增9.4%
根據(jù)DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，2010年全球前10大晶圓代工廠商排名中，臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)以全年?duì)I收132.3億美元與38.6億美元，分別拿下第1名與第2名，中芯則以15.5億美元，位居第4名。至于臺(tái)積電旗
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矽品京元電 本月轉(zhuǎn)旺
手機(jī)晶片大廠聯(lián)發(fā)科（2454）接獲大單，為矽品（2325）及京元電（2449）12月業(yè)績(jī)?cè)鎏沓砷L(zhǎng)動(dòng)能。法人強(qiáng)調(diào)，矽品12月?tīng)I(yíng)收可望擺脫谷底回升，股價(jià)也可望展開(kāi)補(bǔ)漲，拉高和日月光差距。矽品昨（6）日公布11月合并營(yíng)收51.35
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封測(cè)雙雄11月?tīng)I(yíng)收 一好一壞
封測(cè)雙雄日月光（2311）、硅品（2325）昨（6）日公布11月?tīng)I(yíng)收，日月光封測(cè)事業(yè)合并營(yíng)收達(dá)107.37億元，較10月減少3.9％，但硅品受惠于聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)（NVIDIA）等大客戶訂單回升，11月合并營(yíng)收達(dá)51.35億元，較10月增加
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統(tǒng)計(jì)研究所－晶圓代工產(chǎn)業(yè) 兩岸市占率高
根據(jù)DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，2010年全球前10大晶圓代工廠排名中，大中華地區(qū)即占4席，而大中華地區(qū)前4大晶圓代工廠2010年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)合計(jì)市占率高達(dá)73%，亦突顯出大中華地區(qū)在晶圓代工產(chǎn)業(yè)地位之重
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SOKUDO的涂布/顯像裝置的吞吐量達(dá)到350張/小時(shí)以上
在“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張MESSE會(huì)展中心）上，SOKUDO公開(kāi)了可將該公司涂布/顯像裝置“SOKUDO DUO”的吞吐量提高至350張/小時(shí)以上（與曝光裝置連接時(shí)）的技術(shù)。預(yù)定2011年上市配備這種技術(shù)的
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新一代微細(xì)化技術(shù)及裝置紛紛亮相，曝光裝置缺席展會(huì)
在“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張MESSE會(huì)展中心）上，微細(xì)化是最重要的主題之一。因此，支持新一代微細(xì)化技術(shù)的技術(shù)及生產(chǎn)裝置紛紛亮相，比如，支持DRAM中的3X～2Xnm以及NAND閃存和邏輯IC中的2X～1
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大日本網(wǎng)屏制造投產(chǎn)150mm晶圓外觀檢測(cè)裝置
大日本網(wǎng)屏制造（DNS）開(kāi)發(fā)出了晶圓外觀檢測(cè)裝置“ZI-2000”。在“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張Messe會(huì)展中心）上展出的同時(shí)，還將從2010年12月開(kāi)始銷售。 DNS為了強(qiáng)化LED、太陽(yáng)能電池、充電電
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低速數(shù)模轉(zhuǎn)換器選型需求的權(quán)衡與分析
當(dāng)選擇數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 時(shí)，設(shè)計(jì)師可以從種類繁多的 IC 中選擇。DAC 可以針對(duì)具體的應(yīng)用劃分成很多不同類別。不過(guò)，DAC 的劃分也可以簡(jiǎn)化，僅分成 DC 或低速調(diào)節(jié)所需的 DAC和產(chǎn)生高速波形所需的 DAC。 本文專注
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如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET
雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開(kāi)關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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