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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計者更好的使用功率MOSFET進行設(shè)計。　　數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。

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2010-12-06

數(shù)據(jù)表功率MOSFET 電流器件
工業(yè)精銳獎出爐蔡明介獲卓越獎

第11屆「工業(yè)精銳獎」表揚大會，將于明天（12月7日）上午9時30分，假公務人力發(fā)展中心卓越堂盛大舉行，行政院長吳敦義與經(jīng)濟部長施顏祥將親臨主持頒獎。本屆工業(yè)精銳獎的7家企業(yè)，分別為和椿科技、大銀微系統(tǒng)、合勤科

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2010-12-06

聯(lián)發(fā)科
英利科技成果鑒定會圓滿結(jié)束

11月28日，由河北省科技成果轉(zhuǎn)化服務中心組織，保定市科技局主持，由孟憲淦、郭寶增等7名相關(guān)專家組成鑒定委員會，在保定市對英利集團有限公司完成的 “高效率低成本N型單晶硅太陽電池技術(shù)的研究”、“新硅烷法制

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2010-12-06

太陽能電池多晶硅單晶硅 BSP
高新區(qū)軟件企業(yè)前三季總收入32.10億增長38.8%

本報訊記者宋顯暉報道：近日，廣東省公布9個產(chǎn)業(yè)集群升級示范區(qū)，珠海高新區(qū)軟件產(chǎn)業(yè)集群經(jīng)評審認定榮列榜單，將對全市乃至全省產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)化升級發(fā)揮示范帶動作用。據(jù)了解，升級示范區(qū)是指特色產(chǎn)業(yè)聚集度高、在產(chǎn)業(yè)

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2010-12-06

通訊軟件電力行業(yè) BSP
臺積電Q1不淡，明年業(yè)績再創(chuàng)新高可期

臺積電(2330)明年第一季業(yè)績預期仍淡季不淡，該公司董事長張忠謀看好明年晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長14%，臺積電明年營收成長幅度優(yōu)于平均值。意味臺積電明年營收、獲利再創(chuàng)新高，上周下半周外資反手買超，今早臺積電股價高檔狹

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2010-12-06

晶圓代工臺積電制程技術(shù) EPS
臺積電28nm工藝成熟度超90％明年量產(chǎn)(圖)

臺積電今日透露，28nm工藝設(shè)備的制造就緒成熟度在經(jīng)過調(diào)整之后已達90％以上，將于2011年如期投入批量生產(chǎn)。臺積電28nm工藝設(shè)備主要安置在位于新竹工業(yè)園內(nèi)的Fab 12晶圓廠，其成熟度在2009年第四季度還不到50％，如今

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2010-12-06

NVIDIA Altera AMD 臺積電
SMIC采用低功耗 Silicon Realization 技術(shù)構(gòu)建其65納米參考流程

中國領(lǐng)先的晶圓廠表示通過 Cadence 的 Silicon Realization 技術(shù)大幅提高了生產(chǎn)力加州圣荷塞和中國上海2010年12月6日電 /美通社亞洲/ -- 全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè) Cadence 設(shè)計系統(tǒng)公司 (NASDAQ: CDNS)，今天

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2010-12-06

低功耗 Silicon CADENCE REALIZATION
瑞薩中國論壇2010詮釋全新企業(yè)發(fā)展理念

日前，在北京、深圳、上海三地舉行的“瑞薩中國論壇2010”上，一個以半導體為核心構(gòu)建的“綠色智慧地球”影像每每沖擊來賓視覺，讓人印象深刻。這是作為在全球微控制器（MCU）市場中首屈一指的半導體供應商，懷揣領(lǐng)

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2010-12-06

瑞薩電子 MCU BSP 色環(huán)
第三季晶圓價位持續(xù)下跌但幅度已較和緩

根據(jù)Global Semiconductor Alliance (GSA)發(fā)布的報告，今(2010)年第三季晶圓價位持續(xù)下跌，不過下降的幅度已比前一季和緩。該季八寸與十二寸CMOS晶圓比前一季分別降價0.3%與4 .4%；后者在第二季為3200美元，至第

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2010-12-06

晶圓 CMOS GSA PACKAGE
TSMC增加資本投資新廠3年內(nèi)投入使用

在最近召開的臺積電公司供應商管理會議上，臺積電表示2011年計劃的資本投資數(shù)額相比今年將再上一層樓，并透露他們計劃在臺灣地區(qū)新建一處300mm新廠房，這間廠房將于2015年正式投入使用。據(jù)臺北時報援引張忠謀的話稱，

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2010-12-06

芯片廠臺積電 TSMC
臺積和艦業(yè)績看俏

受惠平板電腦陸續(xù)上市，觸控IC廠瀚瑞微（Pixcir）單月出貨已近80萬套，該公司將發(fā)表與日商瑞薩（Renesas）合作的解決方案，可望帶動兩岸觸控供應鏈如臺積電與聯(lián)電旗下和艦的業(yè)績。Pixcir觸控技術(shù)研討會10日將在蘇州舉

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2010-12-06

聯(lián)電臺積電 PI 觸控IC
愛德萬展出“T2000”用模塊及“EPP”

愛德萬測試在“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張MESSE會展中心）上，展示了三款采用該公司開放架構(gòu)的測試儀“T2000”用新模塊及“EPP（Enhanced Performance Package）”。三款新模塊分別為“1GDM

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2010-12-06

CPU 集成 DM PS
“TSV的總成本削減65％”，Alchimer開發(fā)出濕式成膜技術(shù)

TSV（through silicon via，硅貫通孔）技術(shù)開發(fā)企業(yè)法國Alchimer S.A.首席執(zhí)行官Steve Lermer與首席技術(shù)官Claudio Truzzi為參加“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張MESSE會展中心）來到日本，并就該公司

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2010-12-06

半導體廠商 VIA MT STEVE
美國西盟將提高EUV曝光光源的輸出功率,有能力實現(xiàn)產(chǎn)品規(guī)劃

半導體曝光裝置光源知名廠商美國西盟公司（Cymer）12月1日公布了EUV（超紫外線）曝光光源的開發(fā)狀況和該公司新近涉足的有機EL（電致發(fā)光）顯示器用低溫多晶硅TFT退火光源的概況。西盟的EUV曝光光源目前有4臺已經(jīng)

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2010-12-06

輸出功率 TFT EUV CO2激光器
應用材料改進刻蝕技術(shù)，降低TSV制造成本

·TSV市場加速發(fā)展，實現(xiàn)更高性能移動器件的生產(chǎn)·全新改進的Silvia刻蝕系統(tǒng)突破關(guān)鍵的成本壁壘，促進硅通孔(TSV)的廣泛應用近日，應用材料公司發(fā)布了基于Applied Centura Silvia刻蝕系統(tǒng)的最新硅通孔刻蝕技術(shù)。新的

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2010-12-06

硅片應用材料公司 VIA 器件

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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

工業(yè)精銳獎出爐蔡明介獲卓越獎

英利科技成果鑒定會圓滿結(jié)束

高新區(qū)軟件企業(yè)前三季總收入32.10億增長38.8%

臺積電Q1不淡，明年業(yè)績再創(chuàng)新高可期

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第三季晶圓價位持續(xù)下跌但幅度已較和緩

TSMC增加資本投資新廠3年內(nèi)投入使用

臺積和艦業(yè)績看俏

愛德萬展出“T2000”用模塊及“EPP”

“TSV的總成本削減65％”，Alchimer開發(fā)出濕式成膜技術(shù)

美國西盟將提高EUV曝光光源的輸出功率,有能力實現(xiàn)產(chǎn)品規(guī)劃

應用材料改進刻蝕技術(shù)，降低TSV制造成本

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