甫于日前落幕的日本半導(dǎo)體設(shè)備暨材料展(SEMICON Japan 2010)上，包括應(yīng)用材料(Applied Materials)與艾司摩爾(ASML)等設(shè)備大廠分別宣布，在半導(dǎo)體蝕刻(Etch)與微影(Lithography)制造技術(shù)上取得新的突破，將可大幅提升半導(dǎo)體業(yè)者在先進(jìn)制程世代的制造良率，并降低整體營(yíng)運(yùn)成本。

制程的進(jìn)步相對(duì)會(huì)造成蝕刻步驟的增加，進(jìn)而加重成本負(fù)擔(dān)，因此，精準(zhǔn)、智慧型且高生產(chǎn)力的蝕刻系統(tǒng)便益發(fā)重要。
應(yīng)用材料副總裁暨蝕刻事業(yè)處總經(jīng)理葉怡利表示，蝕刻是半導(dǎo)體業(yè)界發(fā)展最快的市場(chǎng)之一，因?yàn)橐獙?shí)現(xiàn)先進(jìn)微晶片的極小電路，須仰賴愈來(lái)愈多關(guān)鍵的蝕刻步驟；因此，該公司推出新的智慧型蝕刻系統(tǒng)，除可讓每片晶圓均勻度達(dá)埃(Angstrom)等級(jí)，提高生產(chǎn)良率外，亦能在每小時(shí)處理高達(dá)一百八十片晶圓，從而減少 30%的單片晶圓成本，是因應(yīng)未來(lái)高度復(fù)雜的晶片制造不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。

據(jù)了解，應(yīng)用材料所推出的Centris AdvantEdge Mesa蝕刻系統(tǒng)，主要是系因應(yīng)22奈米及其以下先進(jìn)制程的邏輯和記憶體晶片制造所開(kāi)發(fā)，其包含六個(gè)蝕刻制程反應(yīng)室和兩個(gè)電漿清洗制程反應(yīng)室，在搭配該公司專利的智慧型系統(tǒng)軟體運(yùn)作下，可確保每個(gè)反應(yīng)室的每項(xiàng)制程都能精確對(duì)準(zhǔn)，以達(dá)到比市場(chǎng)其他半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)快兩倍的處理速度。

與此同時(shí)，應(yīng)用材料也針對(duì)近來(lái)快速崛起的矽穿孔(TSV)技術(shù)，推出全新的加強(qiáng)型Silvia蝕刻系統(tǒng)，利用新電漿源將半導(dǎo)體蝕刻速率大幅提升40%以上，快速制作出高深寬比且剖面光滑垂直的導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)，讓Silvia系統(tǒng)的導(dǎo)孔蝕刻成本首度下降至每片晶圓低于10美元的價(jià)位，將有助晶片制造商加速導(dǎo)入矽穿孔技術(shù)，進(jìn)一步推動(dòng)三維晶片(3D IC)的發(fā)展。

另一方面，微影設(shè)備大廠艾司摩爾也宣布，兩家位于亞洲的晶片制造商已分別利用該公司TWINSCAN XT:870和TWINSCAN XT:400微影掃描機(jī)臺(tái)，創(chuàng)下每天處理超過(guò)四千片晶圓的記錄，為12寸晶圓的微影作業(yè)生產(chǎn)力設(shè)下新的門檻。艾司摩爾執(zhí)行副總裁暨行銷長(zhǎng)Frits van Hout表示，為客戶創(chuàng)造更高生產(chǎn)力一直是艾司摩爾努力的目標(biāo)，而這項(xiàng)新的里程碑即是該公司與客戶間緊密合作成效的最佳印證。

據(jù)了解，艾司摩爾目前已有超過(guò)兩百臺(tái)的微影掃描機(jī)年產(chǎn)量可達(dá)百萬(wàn)片晶圓的水準(zhǔn)，其中包括iLine、KrF、ArF等型式的掃描機(jī)，以及超過(guò)二十五臺(tái)浸潤(rùn)式(Immersion)微影掃描機(jī)。隨著艾司摩爾與客戶端技術(shù)經(jīng)驗(yàn)的日益豐富，現(xiàn)今一臺(tái)微影掃描機(jī)只消37周的時(shí)間，即可調(diào)整到年產(chǎn)量百萬(wàn)臺(tái)的水準(zhǔn)，對(duì)微影制程成本結(jié)構(gòu)的改善，不啻有莫大助益。