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惠瑞捷與LTX-Credence宣布合并提升系統(tǒng)級芯片測試市占率
惠瑞捷(Verigy)與LTX-Credence Corporation于11月18日宣布雙方進入最后合并協(xié)議。合并后的半導體測試公司規(guī)模及能見度都將大為提升，提供涵蓋各主要半導體市場不同區(qū)隔客戶完整的解決方案。惠瑞捷將為合并后續(xù)存公司
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惠瑞捷和LTX-Credence合并案
根據(jù)惠瑞捷(Verigy)和LTX-Credence協(xié)議條款，雙方合并案的生效方案分別為重整(惠瑞捷和LTX-Credence皆成為Holdco擁有的新成立子公司)，或是合并(LTX-Credence成為惠瑞捷獨家擁有的子公司)。LTX-Credence股東的換股比
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保利協(xié)鑫朱共山：明年上半硅晶圓仍供不應求
大陸多晶硅暨硅晶圓龍頭廠保利協(xié)鑫(GCL)總裁朱共山7日表示，太陽能產(chǎn)業(yè)供應鏈的成本下降快速，足以負擔各國政府補助下砍的沖擊，預估2011年全球仍有200億瓦的需求規(guī)模，但呼吁各國政府在下砍補助之際，能考慮讓相關的
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Cymer發(fā)布EUV光源技術路線圖 將繼續(xù)拓展OLED領域
光源對于光刻機的重要性不言而喻，沒有光源的匹配，一切圖形成像都無從談起。從1986年開始，Cymer正式進入半導體產(chǎn)業(yè)，目前已有超過3500套光源安裝在世界各地的光刻設備上。Cymer所占的市場份額已近70%，儼然已成為世
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IEK：明年全球封測代工市場將成長9.3%
IEK產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心預估，2011年全球封測委外代工市場將成長9.3%，其中測試與封裝的產(chǎn)值將分別為62.76億美元、194.02億美元，年增率分別為15%、7.52%。若單就臺灣封測業(yè)來看，則有6.5%的成長幅度，略低于全球
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Fab產(chǎn)能擴充重回正軌：年增長8%
Fab資產(chǎn)投入2011年將增長18%，但新Fab的建設前景不確定。根據(jù)最新版“全球Fab預測”，SEMI預測2010年和2011年Fab裝機容量年增長8%，2012年增長9%。這一預測是根據(jù)各Fab公布的產(chǎn)能擴充計劃和有關Fab的投資計劃分析而得
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2010年全球前十大晶圓代工廠 大中華業(yè)者占4席
根據(jù)DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析， 2010年全球前十大晶圓代工廠商排名中，臺積電(TSMC)、聯(lián)電(UMC)以全年營收132.3億美元與38.6億美元，分別拿下第一名與第二名，中芯(SMIC)則以15.5億美元全年營收，居于第四
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MEMS再傳捷報 ST獲中國手機龍頭訂單
隨著白牌、山寨手機相繼導入微機電系統(tǒng)(MEMS)元件后，可望激勵中國大陸MEMS市場規(guī)模急速擴張，不少MEMS業(yè)者早已摩拳擦掌，競相分食中國大陸手機市場大餅，日前，MEMS元件大廠意法半導體(ST)即已證實取得中國大陸手機
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補貨效應減 聯(lián)電營收走跌
晶圓代工大廠聯(lián)電（2303）昨（8）日公布11月營收達104.4億元，較10月減少2.43％，比去年同期增加14.03％。法人指出，歐美市場旺季前的補貨效應已出現(xiàn)遞減，聯(lián)電11月份12吋廠雖然仍維持滿載，但8吋廠產(chǎn)能利用率已開始
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11月營收 聯(lián)電微減 守住百億
晶圓二哥聯(lián)電（2303）11月營收較上月衰退2.43%，達104.4億元，是連續(xù)第二個月下滑，12月營收雖繼續(xù)走低，仍可守在百億元，整季營收季減幅可望在4%之內，淡季不淡。 經(jīng)濟日報／提供 晶圓代工第四季因12寸先進制
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三星與IBM相繼發(fā)布200GHz以上截止頻率的石墨烯FET
在“IEDM 2010”開幕當天舉行的研討會上，韓國三星尖端技術研究所（SAIT）與美國IBM相繼發(fā)布了截止頻率突破200GHz的石墨烯FET。兩公司均計劃將其應用于高頻RF元件。 SAIT總裁Kinam Kim上午發(fā)表了主題演講，介紹了
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三星主題演講:通過導入新技術，硅CMOS可延長至10nm以下工藝
“硅CMOS技術完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術、可變電阻式存儲器（ReRAM）以及EUV曝光技術等新構造、新材料和新工藝，硅CMOS技術將繼續(xù)保持其主導地位”。 半導體制造技術國際會議“2
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業(yè)界最高Q值,工作電壓1.8V的MEMS共振器由松下與IMEC共同開發(fā)
松下與比利時IMEC宣布，共同開發(fā)了共振銳度Q值為“業(yè)界最高水平”（截止到2010年12月7日）的低電壓驅動MEMS共振器。部分開發(fā)技術已在 “2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”（2010年1
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英特爾發(fā)表多柵極型產(chǎn)品，在III-V族溝道FET一馬當先
美國英特爾和美國IQE共同開發(fā)出了多柵極構造的III-V族半導體溝道FET（演講編號：6.1）。提高了溝道控制性，與平面構造的III-V族半導體溝道FET相比，S因子及DIBL（Drain Induced Barrier Lowering，漏極感應勢壘降低）
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平板電腦時代 晶圓代工業(yè)誰將主沉浮？
2010年進入尾聲，伴隨著行業(yè)的喜怒哀樂之事，晶圓代工產(chǎn)業(yè)即將翻過厚厚的一沓日記。 根據(jù)DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，2010年全球前十大晶圓代工廠商排名中，臺積電以全年營收132.3億美元的成績高高在上仍是
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