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2010年全球前十大晶圓代工廠大中華業(yè)者占4席

根據(jù)DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析，2010年全球前十大晶圓代工廠商排名中，臺(tái)積電(TSMC)、聯(lián)電(UMC)以全年?duì)I收132.3億美元與38.6億美元，分別拿下第一名與第二名，中芯(SMIC)則以15.5億美元全年?duì)I收，居于第四名

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2010-12-13

晶圓代工臺(tái)積電先進(jìn)制程 DIGI
2010全球十大半導(dǎo)體廠商排名出爐三星與英特爾差距縮小

根據(jù)全球技術(shù)研究和咨詢公司Gartner的初步調(diào)查，在經(jīng)歷了全球經(jīng)濟(jì)衰退之后，2010年全球半導(dǎo)體市場出現(xiàn)反彈，總收入達(dá)到了3,003億美元，比2009年增長了31.5%。Gartner半導(dǎo)體研究總監(jiān)StephanOhr先生表示：“2010年半導(dǎo)

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2010-12-13

三星半導(dǎo)體廠商英特爾半導(dǎo)體行業(yè)
英特爾和AMD將淘汰模擬視頻輸出接口技術(shù)

據(jù)國外媒體報(bào)道，芯片制造商Intel和AMD將在2015年之前淘汰VGA和LVD等模擬視頻輸出接口，以支持DisplayPort及HDMI等數(shù)字接口在電腦顯示器，投影儀和嵌入式平板顯示器領(lǐng)域的發(fā)展。　　Intel和AMD已經(jīng)答應(yīng)在2015年前淘汰

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2010-12-13

英特爾 AMD 模擬接口技術(shù)
15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？

在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會(huì)議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日，舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏

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2010-12-13

布線 CMOS LSI 5NM
臺(tái)積電11月營收環(huán)比降4.4%

TSMC 10日公布2010年11月營收報(bào)告，就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，營收約為新臺(tái)幣357億2,200萬元，較今年10月減少了4.4%，較去年同期則增加了21.7%。累計(jì)2010年1至11月營收約為新臺(tái)幣3,732億1,200萬元，較去年同期增加了46.

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2010-12-13

TSMC 臺(tái)積電
Gartner：今年全球半導(dǎo)體銷售額突破3千億美元大關(guān)

市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner 8日發(fā)表研究報(bào)告指出，2010年全球半導(dǎo)體銷售額可望年增31.5%至重要里程碑3,003億美元，庫存過低的系統(tǒng)制造商對(duì)零組件需求大增是帶動(dòng)今年半導(dǎo)體銷售額成長的主因。雖然第3季需求減緩、消費(fèi)者信心

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2010-12-13

半導(dǎo)體英特爾三星電子 GARTNER
花旗環(huán)球：40奈米大缺貨

花旗環(huán)球證券半導(dǎo)體分析師徐振志昨（12）日指出，全球40奈米產(chǎn)能正處于大缺貨狀態(tài)，晶圓代工客戶已展開新一輪「鞏固產(chǎn)能」大作戰(zhàn)！臺(tái)積電40奈米產(chǎn)能天天被客戶追著跑，因應(yīng)高階產(chǎn)能趨緊態(tài)勢，2011年資本支出若上調(diào)至

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2010-12-13

Xilinx 平板晶圓代工臺(tái)積電
菱生3年60億加碼MEMS封測

　看好微機(jī)電（MEMS）市場的成長，半導(dǎo)體封測廠菱生精密（2369）將規(guī)劃3年砸下60億元資本支出，擴(kuò)充MEMS封測產(chǎn)能。菱生預(yù)計(jì)本月董事會(huì)中將提案討論，一旦公司內(nèi)部通過，就會(huì)開始尋找主地興建新廠。而據(jù)了解，菱生受

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2010-12-13

陀螺儀 MEMS BSP INVENSENSE
臺(tái)積松江擴(kuò)產(chǎn) 目標(biāo)月產(chǎn)11萬片

臺(tái)積電（2330）大陸持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，近期把7.62億元機(jī)器設(shè)備移轉(zhuǎn)到上海松江，其中包括日前才向美國海力士收購的5億多元8寸機(jī)臺(tái)，公司預(yù)計(jì)年底將完成月產(chǎn)能5萬片目標(biāo)，明年則往11萬片月產(chǎn)能邁進(jìn)。臺(tái)積電董事長張忠謀日前才表

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2010-12-13

汽車電子晶片海力士臺(tái)積電
臺(tái)積電松江廠強(qiáng)攻汽車晶片

臺(tái)積電大陸松江廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，近期更把臺(tái)灣約7.62億元機(jī)器設(shè)備移轉(zhuǎn)到松江廠區(qū)，預(yù)計(jì)年底將完成月產(chǎn)能5萬片目標(biāo)，明年進(jìn)一步朝月產(chǎn)能11萬片邁進(jìn)。據(jù)了解，臺(tái)積電松江廠這波擴(kuò)產(chǎn)，主要是為因應(yīng)汽車電子晶片相關(guān)需求。臺(tái)

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2010-12-13

汽車晶片晶圓臺(tái)積電
晶圓雙雄擴(kuò)產(chǎn) 明年征兵5,000

晶圓雙雄明年產(chǎn)能大增，人力需求同步大開，增幅至少達(dá)8%。臺(tái)積電預(yù)計(jì)在北中南召募約3,000名新血，聯(lián)電也將釋出約2,000個(gè)職缺，是半導(dǎo)體業(yè)找人最積極的族群。晶圓雙雄招募對(duì)象以工程師、線上作業(yè)員為主，理工碩博士最

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2010-12-13

工程師晶圓聯(lián)電臺(tái)積電
意法半導(dǎo)體等利用65nm晶圓分析TSV對(duì)CMOS電路的影響

法國CEA-LETI公司、法國薩瓦大學(xué)（Universite de Savoie）及意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）共同分析了在帶有65nm工藝CMOS電路的硅晶圓上形成TSV（硅貫通孔）時(shí)，TSV對(duì)CMOS電路特性的影響（演講編號(hào)：35.1）。以利

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2010-12-13

晶圓電路意法半導(dǎo)體 CMOS
半導(dǎo)體封裝篇：低成本的銅引線鍵合引人注目

2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。 2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅

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2010-12-13

DRAM 爾必達(dá) 封裝技術(shù) 半導(dǎo)體封裝
18寸晶圓熱度轉(zhuǎn)高，英特爾證實(shí)開發(fā)計(jì)劃

針對(duì)市場的謠傳紛紛，英特爾(Intel)已經(jīng)證實(shí)，該公司將在美國興建的新晶圓廠，將會(huì)支持18寸晶圓技術(shù)。據(jù)業(yè)界消息，英特爾將在美國奧勒岡州Hillsboro新建一座研發(fā)晶圓廠，并將該公司其它位于美國的晶圓廠升級(jí)至22納米

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2010-12-13

Intel 英特爾晶圓晶圓廠
基于LPC2148的步進(jìn)電機(jī)調(diào)速和測速系統(tǒng)設(shè)計(jì)

為了能夠快速精確地控制步進(jìn)電機(jī)，采用LPC2148和L298型驅(qū)動(dòng)器精確控制頻率輸出，實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)進(jìn)行簡單有效地調(diào)速和基于閉環(huán)反饋的轉(zhuǎn)速測量。給出硬件設(shè)計(jì)的總體框圖，詳細(xì)敘述了調(diào)速和測速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)原理與軟件實(shí)現(xiàn)方法，對(duì)L298型步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行分析，給出LPC2148與L298的硬件連接電路，以及電源模塊和通信接口的設(shè)計(jì)方案。經(jīng)過試驗(yàn)驗(yàn)證：該系統(tǒng)電機(jī)轉(zhuǎn)速誤差控制在±0．2 m／s以內(nèi)，簡化了外圍電路設(shè)計(jì)，提高了系統(tǒng)性價(jià)比。

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2010-12-12

系統(tǒng)設(shè)計(jì) 步進(jìn)電機(jī) 電機(jī)調(diào)速 LPC2148

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2010年全球前十大晶圓代工廠大中華業(yè)者占4席

2010全球十大半導(dǎo)體廠商排名出爐三星與英特爾差距縮小

英特爾和AMD將淘汰模擬視頻輸出接口技術(shù)

15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？

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臺(tái)積電松江廠強(qiáng)攻汽車晶片

晶圓雙雄擴(kuò)產(chǎn) 明年征兵5,000

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