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存儲設備漲價優(yōu)勢 三星半導體事業(yè)部躍居龍頭位置指日可待
三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)
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閃存市場將發(fā)生巨變 3D NAND走上舞臺3D
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術將會在今年成為閃存領域的卓越性技術。
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3D NAND助力，2016年全球半導體晶圓級制造設備年增11%
在3D NAND與尖端邏輯芯片制程設備支出成長推動下，調(diào)研機構Gartner表示，2016全年全球半導體晶圓級制造設備市場規(guī)模年增11.3%，達374.07億美元。一掃2015年規(guī)模年減1%陰霾。
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存儲器發(fā)展太快，都缺貨了
全球存儲器龍頭大廠針對3D NAND Flash開始全力強化其戰(zhàn)力，包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等，3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn)，熟悉后段封測業(yè)者表示，估計2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解，價格漲勢回穩(wěn)，而進入3D NAND時代后，存儲器封測業(yè)者中，又以力成最為受惠。
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你以為NAND Flash降價了，手機就便宜了？別逗了！
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
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海士力要哭了!三星將量產(chǎn)最強64層3D NAND閃存芯片
前幾日，SK海力士正式宣布量產(chǎn)最強72層3D NAND閃存顆粒，一時間震撼全行業(yè)?？山?，韓國媒體給出的報道稱，三星將從7月份開始運營位于韓國京畿道平澤市的新半導體工廠。這是全球規(guī)模最大的芯片工廠，占地289萬平方
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三星全球第一的芯片工廠開張，主要生產(chǎn)3D NAND閃存
據(jù)外媒報道，三星電子位于韓國京畿道平澤市的新半導體工廠將從7月份開始運營。據(jù)了解，這是全球規(guī)模最大的芯片工廠，占地面積達289萬平方米，2015年開始建造，耗資15.6萬億韓元，約合人民幣940億元。這座工廠將主要
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長江存儲穩(wěn)步發(fā)展 年底提供32層 3D NAND樣品 向64層邁進
根據(jù)中國媒體的報導，有消息人士指出，紫光集團旗下的長江存儲技術公司(YMTC)目前正在規(guī)劃開發(fā)自己的 DRAM 存儲器制造技術，而且可能直接進入當今世界最先進的 20/18 納米的制程中。
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三星全球最大廠傳 7 月啟用 將生產(chǎn)第四代 3D NAND
三星電子位于韓國平澤(Pyeongtaek)的工廠，號稱是全球最大的半導體工廠。消息傳出，平澤廠預定 7 月啟用，將生產(chǎn)第四代 3D NAND。
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SLC壽命MLC成本，宜鼎推全新iSLC NAND閃存的SATA 3IE4系列
2017年4月5日，宜鼎國際(Innodisk)在德國.紐倫堡嵌入式電子與工業(yè)電腦應用展上宣布獨家研發(fā)的iSLC NAND閃存已經(jīng)實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)出貨.
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2017年全年硬盤供貨吃緊！英特爾將繼續(xù)以供應企業(yè)級 SSD 硬盤為主
根據(jù)科技網(wǎng)站 ZDNet 的報導指出，半導體龍頭英特爾(intel)正透過管道向合作伙伴發(fā)出通知，預計 2017 年全年 SSD 硬盤因為供應吃緊，這也迫使得英特爾未來將優(yōu)先以供應數(shù)
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假如沒有長江存儲 國產(chǎn)存儲真的會發(fā)展迅速嗎？
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
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慧榮推出旗下首款BGA SSD，搭配3D NAND最大容量達256GB
慧榮Silicon Motion是一家老牌的存儲設備控制器廠家，現(xiàn)在有相當多的SSD在使用他家的主控，連Intel的SSD也在用，現(xiàn)在他們公布了旗下第一款整合主控與閃存的BGA SSD——FerriSSD。
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2017年整體TLC-SSD出貨比重將超過75%
固態(tài)硬盤(Solid State Drives)，簡稱固盤，固態(tài)硬盤(Solid State Drive)用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與普通硬盤一致。被廣泛應用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡監(jiān)控、網(wǎng)絡終端、電力、醫(yī)療、航空、導航設備等領域。
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東芝半導體競爭白熱化，海力士備重金欲入主
SK海力士(SK Hynix)入主東芝(Toshiba)半導體事業(yè)部的競爭即將進入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計劃，是否能為SK海力士帶來1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現(xiàn)不同評價。
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NAND Flash市場最大變數(shù) 3D NAND良率
NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
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在邁出了產(chǎn)業(yè)化標志性的一步之后，長江存儲3D NAND有啥突破？
在大數(shù)據(jù)需求驅(qū)動下，存儲器芯片已是電子信息領域占據(jù)市場份額最大的集成電路產(chǎn)品。我國在存儲器芯片領域長期面臨市場需求大而自主知識產(chǎn)權和關鍵技術缺乏的困境，開展大容量存儲技術的研究和相關產(chǎn)品研制迫在眉睫。傳統(tǒng)平面型NAND存儲器在降低成本的同時面臨單元間串擾加劇和單字位成本增加等技術瓶頸。尋求存儲技術階躍性的突破和創(chuàng)新，是發(fā)展下一代存儲器的主流思路。
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美光計劃出售 NOR Flash 業(yè)務 點名華邦電接手
近年來，企業(yè)加速整合并購，有一些企業(yè)也自我斷臂修整，以讓關鍵業(yè)務盈利能力更強，由于經(jīng)濟效益不明顯，美光計劃出售Nor Flash業(yè)務，全力發(fā)展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根據(jù)
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3D NAND Flash 自主存儲器的出口
受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進3D NAND Flash。中國已吹響進軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領域人才和技術，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
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瘋狂的存儲器 繼DRAM、NAND之后，NOR也漲瘋了
最近幾年存儲器市場大熱，儲存型快閃存儲、DARM在淡季爆出“大冷門”，飆出歷年最大漲幅后，編碼型快閃存儲也緊隨其后，在蟄伏4年后，首次漲價，首季調(diào)漲5~7%不等，下季漲幅更大，估計會超過10%。
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