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存儲(chǔ)設(shè)備漲價(jià)優(yōu)勢(shì) 三星半導(dǎo)體事業(yè)部躍居龍頭位置指日可待
三星挾帶存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢(shì)，本季營(yíng)收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來(lái)，隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車(chē)產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)
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閃存市場(chǎng)將發(fā)生巨變 3D NAND走上舞臺(tái)3D
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
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3D NAND助力，2016年全球半導(dǎo)體晶圓級(jí)制造設(shè)備年增11%
在3D NAND與尖端邏輯芯片制程設(shè)備支出成長(zhǎng)推動(dòng)下，調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner表示，2016全年全球半導(dǎo)體晶圓級(jí)制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模年增11.3%，達(dá)374.07億美元。一掃2015年規(guī)模年減1%陰霾。
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存儲(chǔ)器發(fā)展太快，都缺貨了
全球存儲(chǔ)器龍頭大廠針對(duì)3D NAND Flash開(kāi)始全力強(qiáng)化其戰(zhàn)力，包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等，3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn)，熟悉后段封測(cè)業(yè)者表示，估計(jì)2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解，價(jià)格漲勢(shì)回穩(wěn)，而進(jìn)入3D NAND時(shí)代后，存儲(chǔ)器封測(cè)業(yè)者中，又以力成最為受惠。
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你以為NAND Flash降價(jià)了，手機(jī)就便宜了？別逗了！
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開(kāi)始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。
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海士力要哭了!三星將量產(chǎn)最強(qiáng)64層3D NAND閃存芯片
前幾日，SK海力士正式宣布量產(chǎn)最強(qiáng)72層3D NAND閃存顆粒，一時(shí)間震撼全行業(yè)。可近日，韓國(guó)媒體給出的報(bào)道稱(chēng)，三星將從7月份開(kāi)始運(yùn)營(yíng)位于韓國(guó)京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠。這是全球規(guī)模最大的芯片工廠，占地289萬(wàn)平方
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三星全球第一的芯片工廠開(kāi)張，主要生產(chǎn)3D NAND閃存
據(jù)外媒報(bào)道，三星電子位于韓國(guó)京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠將從7月份開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。據(jù)了解，這是全球規(guī)模最大的芯片工廠，占地面積達(dá)289萬(wàn)平方米，2015年開(kāi)始建造，耗資15.6萬(wàn)億韓元，約合人民幣940億元。這座工廠將主要
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)穩(wěn)步發(fā)展 年底提供32層 3D NAND樣品 向64層邁進(jìn)
根據(jù)中國(guó)媒體的報(bào)導(dǎo)，有消息人士指出，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)公司(YMTC)目前正在規(guī)劃開(kāi)發(fā)自己的 DRAM 存儲(chǔ)器制造技術(shù)，而且可能直接進(jìn)入當(dāng)今世界最先進(jìn)的 20/18 納米的制程中。
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三星全球最大廠傳 7 月啟用 將生產(chǎn)第四代 3D NAND
三星電子位于韓國(guó)平澤(Pyeongtaek)的工廠，號(hào)稱(chēng)是全球最大的半導(dǎo)體工廠。消息傳出，平澤廠預(yù)定 7 月啟用，將生產(chǎn)第四代 3D NAND。
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SLC壽命MLC成本，宜鼎推全新iSLC NAND閃存的SATA 3IE4系列
2017年4月5日，宜鼎國(guó)際(Innodisk)在德國(guó).紐倫堡嵌入式電子與工業(yè)電腦應(yīng)用展上宣布獨(dú)家研發(fā)的iSLC NAND閃存已經(jīng)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)出貨.
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2017年全年硬盤(pán)供貨吃緊！英特爾將繼續(xù)以供應(yīng)企業(yè)級(jí) SSD 硬盤(pán)為主
根據(jù)科技網(wǎng)站 ZDNet 的報(bào)導(dǎo)指出，半導(dǎo)體龍頭英特爾(intel)正透過(guò)管道向合作伙伴發(fā)出通知，預(yù)計(jì) 2017 年全年 SSD 硬盤(pán)因?yàn)楣?yīng)吃緊，這也迫使得英特爾未來(lái)將優(yōu)先以供應(yīng)數(shù)
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假如沒(méi)有長(zhǎng)江存儲(chǔ) 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)真的會(huì)發(fā)展迅速嗎？
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
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慧榮推出旗下首款BGA SSD，搭配3D NAND最大容量達(dá)256GB
慧榮Silicon Motion是一家老牌的存儲(chǔ)設(shè)備控制器廠家，現(xiàn)在有相當(dāng)多的SSD在使用他家的主控，連Intel的SSD也在用，現(xiàn)在他們公布了旗下第一款整合主控與閃存的BGA SSD——FerriSSD。
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2017年整體TLC-SSD出貨比重將超過(guò)75%
固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Drives)，簡(jiǎn)稱(chēng)固盤(pán)，固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Drive)用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤(pán)，由控制單元和存儲(chǔ)單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤(pán)在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤(pán)的完全相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與普通硬盤(pán)一致。被廣泛應(yīng)用于軍事、車(chē)載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。
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東芝半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)白熱化，海力士備重金欲入主
SK海力士(SK Hynix)入主東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)部的競(jìng)爭(zhēng)即將進(jìn)入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計(jì)劃，是否能為SK海力士帶來(lái)1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現(xiàn)不同評(píng)價(jià)。
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NAND Flash市場(chǎng)最大變數(shù) 3D NAND良率
NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND Flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
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在邁出了產(chǎn)業(yè)化標(biāo)志性的一步之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND有啥突破？
在大數(shù)據(jù)需求驅(qū)動(dòng)下，存儲(chǔ)器芯片已是電子信息領(lǐng)域占據(jù)市場(chǎng)份額最大的集成電路產(chǎn)品。我國(guó)在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域長(zhǎng)期面臨市場(chǎng)需求大而自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境，開(kāi)展大容量存儲(chǔ)技術(shù)的研究和相關(guān)產(chǎn)品研制迫在眉睫。傳統(tǒng)平面型NAND存儲(chǔ)器在降低成本的同時(shí)面臨單元間串?dāng)_加劇和單字位成本增加等技術(shù)瓶頸。尋求存儲(chǔ)技術(shù)階躍性的突破和創(chuàng)新，是發(fā)展下一代存儲(chǔ)器的主流思路。
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美光計(jì)劃出售 NOR Flash 業(yè)務(wù) 點(diǎn)名華邦電接手
近年來(lái)，企業(yè)加速整合并購(gòu)，有一些企業(yè)也自我斷臂修整，以讓關(guān)鍵業(yè)務(wù)盈利能力更強(qiáng)，由于經(jīng)濟(jì)效益不明顯，美光計(jì)劃出售Nor Flash業(yè)務(wù)，全力發(fā)展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根據(jù)
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3D NAND Flash 自主存儲(chǔ)器的出口
受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào)，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車(chē)。
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瘋狂的存儲(chǔ)器 繼DRAM、NAND之后，NOR也漲瘋了
最近幾年存儲(chǔ)器市場(chǎng)大熱，儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)、DARM在淡季爆出“大冷門(mén)”，飆出歷年最大漲幅后，編碼型快閃存儲(chǔ)也緊隨其后，在蟄伏4年后，首次漲價(jià)，首季調(diào)漲5~7%不等，下季漲幅更大，估計(jì)會(huì)超過(guò)10%。
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